![]() | |
![]() |
Главная » Мануалы 1 2 3 4 ... 52 приборы Усложнение радиоэлектронной алларатуры, расширение вылолняе-мых ею функций вызывает появление новых типов полупроводниковых приборов. Совершенствование технологии производства приводит к изменению количества типономиналов и значений параметров уже освоенных промышленностыо приборов. Соответственно изменяется система нормативно-технической документации. В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры полупроводниковых приборов, используемых в выпрямителях, преобразователях и стабилизаторах напряжения, системах электропитания, управления и автоматического регулирования: выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков и матриц, стабилитронов, ограничительных диодов и тиристоров. Настоящий справочник представляет собой первую книгу базового издания по диодам, тиристорам и оптоэлектронным приборам. Во вторую книгу Диоды высокочастотные, импульсные и оптоэлектронные приборы включены сведения о высокочастотных импульсных, сверх-высокочастотных, туннельных, светонзлучающих диодах, варикапах, оптопарах и оптоэлектронных интегральных микросхемах. Базовое издание по перечисленным типам приборов отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. В него включены как вновь разработанные полупроводниковые приборы, так и находящиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендованные к применению в новых разработках. Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов. Авторами сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на каждый тип прибора, а также зарекомендовавшаясебя положительно структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения об технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе, цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов. В части Общие сведения приводятся классификация приборов и системы их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов. Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в цнфро-алфавитной последовательности. Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламаций. ЧАСТЬ ПЕРВАЯ О ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДАХ Раздел первый 1.1. Классификация и система обозначений приборов Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов, В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система из условных обозначений, которая на протяжение последних 20 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы: Г или 1 - для германия или его соединений; К или 2 - для кремния или его соединений; А Или 3-для соединений галлия (например, для арсенида галлия); И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия). Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов используетя одна из следующих букв: Д - диодов выпрямительных и импульсных; Ц - выпрямительных столбов и блоков; В - варикапов; И - туннельных диодов; А - сверхвысокочастотных диодов; G - стабилитронов; Г - генераторов шума; Д - излучающих оптоэлектронных приборов; О - оптопар; Н -диодных тиристоров; У-триодных тиристоров, третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора. Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов. Диоды (подкласс Д); 1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 -для выпрямительных диодов с постоянным или средним вначе-нием прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А; 4 -для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 не; Б - для импульсных диодов с временем восстановления более 150 НС, но не свыше 500 не; 6 - для импульсных диодов с временем восстановления 30... 150 не; 7 - для импульсных диодов С временем восстановления 5...30 не; 8 - для импульсных диодов С временем восстановления 1...5 не; 9--для импульсных диодов С эффективным временем жизни Неосновных носителей наряда менее 1 не. Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц): 1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 -для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3... 10 А; 3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого то< ка не более 0,3 А; 4 - Для блоков с постоянным или средним значением прямого то ка 0,3... 10 к. Варикапы (подкласс В): 1 -для подстроечных варикапов; 2 -для умножительных варикапов. Туннельные диоды (подкласс И): 1 -для усилительных туннельных диодов; 2 -для генераторных туннельных диодов; 3 - для переключательных туннельных диодов; 4 - для обращенных диодов. Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А): 1 - для смесительных диодов; 2 - для детекторных диодов; 3 - для усилительных диодов; 4 - для параметрических диодов; 5 - для переключательных и ограничительных диодов; 6 - для умножительных и настроечных диодов; 7 - для генераторных диодов; 8 - для импульсных диодов. Стабилитроны (подкласс С): 1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт е номинальным напряжением стабилизации 10...100 В; 3 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 4 - для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 5 -для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В; 6 - для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 7 - для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 8 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В; 9 - для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В. Генераторы шума (подкласс Г): 1 - для низкочастотных генераторов шума; 2 - для высокочастотных генераторов шума. Излучающие 0птоэлектрО!ные приборы (подкласс Л): Источники инфракрасного излучения 1 - для излучающих диодов; 2 - для излучающих модулей. Приборы визуального представления информации: 3 - для светоизлучающих диодов; 4 - для знаковых индикаторов; 5 -для знаковых табло; 6 - для шкал; 7 -для экранов. Оптопары (подкласс О); Р - для резисторных оптопар; Д - для диодных оптопар; У - для тиристорных оптопар; Т - для транзисторных оптопар. Диодные тиристоры (подкласс Н): 1 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А; 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А. Триодные тиристоры (подкласс У): Незапираемые тиристоры: 1 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или максимально допустимым аиа чением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 Д.; 7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А, Запираемые тиристоры: 3 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А илн максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3...10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 А; 8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А, Симметричные тиристоры: 5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тоКа в открытом состоянии не более 15 А; 6 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 А; 9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А. Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера- разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999. Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э). В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы; цифры 1...9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров; букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами; цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя; 2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); 3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки); 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке); 5 -с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов; 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов; буква Р после последнего элемента обозначения для приборов с парным подбором, буква Г - с подбором в четверки, буква К - с подбором в шестерки. Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора. Примеры обозначения приборов: ГД107Б - германиевый выпрямительный диод с /пр,ср,макс<10 А, номер разработки 7, группа Б; 2Ц202Г - столб выпрямительный из кремниевых диодов с 0,3 А< </др,ср,ма!;с<10 А, номер разработки 2, группа Г; КУ202Н - кремниевый незапираемый триодный тиристор с 0,3 А< </пр.ср,макс<10 А и 15 А</ос,п<100 А, номер разработки 2, группа Н. Поскольку ОСТ 336.919-81 введен в действие в 1982 г. для ранее разработанных приборов использована иная система обозначений. Условные обозначения приборов, разработанных до 1964 г. состоят нз Д!зух или трех элементов. Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов. Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения: от 1 до 100 - для точечных германиевых диодов; от 101 до 200 -для точечных кремниевых диодов; от 201 до 300 - для плоскостных кремниевых диодов; от 301 до 400 - для плоскостных германиевых диодов; от 401 до 500 - для смесительных СЕЧ детекторов; от 501 до 600 - для умножительных диодов; от 601 до 700 - для видеодетекторов; от 701 до 749 - для параметрических германиевых диодов; от 750 до 800 -для параметрических кремниевых диодов; от 801 до 900 -для стабилитронов; от 901 до 950 - для варикапов; от 951 до 1000 -для туннельных диодов; от 1001 до 1100 - для выпрямительных столбов. Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов. Данная система обозначений содержала значительно меньше классификационных признаков. Для большинства приборов, включенных в настоящий справочник, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе мало отличается от системы обозначений по ОСТ 11336.919-81 (кроме обозначений для стабилитронов). Согласно указанным стандартам до 1981 г. стабилитронам в качестве третьего и четвертого элементов присваивались числа: малой мощности (Р<0,3 Вт): от 101 до 199 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 210 до 299 - с напряжением стабилизации 10...99 В; от 301 до 399 -с напряжением стабилизации 100...199 В; средней мощности (0,3 Вт<Р<5 Вт): от 401 до 499 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 510 до 599 -с напряжением стабилизации 10...99 В; от 601 до 699 - с напряжением стабилизации 100...199 В; большой мощности (Р>5 Вт); от 701 до 799 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 810 до 899 - с напряжением стабилизации 10...99 В; от 901 до 999 -с напряжением стабилизации 100...199 В. Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например 2С168А-кремниевый стабилитрон малой мощности с [/ст=6,8 В. 1.2. Условные графические обозначения В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых при> боров в соответствии с ГОСТ 2.730-73. Графические обозначения полупроводниковых приборов Наименование приборов Обозначение Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение Стабилитроны: односторонний двусторонний Тиристор диодный (динисторУ Тиристор незапираемый триодный; с управлением по аноду с управлением по катоду Тиристор запираемый: с управлением по аноду с управлением по катоду 1.3. Условные обозначения электрических параметроа 30,макс fscMHH Напряжение f/зс - постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора минимальное напряжение в закрытом состоянии тиристора Г/нот,и - импульсное неотпирающее напряжение тиристора fo6p - постоянное обратное напряжение диода, тиристора fo6p,H-импульсное обратное напряжение диода to6p,H,MaKc -максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода fo6p,MaKc-максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода f/oc - постоянное напряжение в открытом состоянии тиристора Uoc,4-импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора toT.H-импульсное отпирающее напряжение тиристора Unop - пороговое напряжение выпрямительного днода пр - постоянное прямое напряжение диода fnp.H - импульсное прямое напряжение диода fnpo6 - пробивное напряжение диода пр.ср-среднее прямое напряжение диода f/cT-напряжение стабилизации стабилитрона f/y.3 H -запирающее импульсное напряжение управления тиристора у,и,обр,макс - максимально допустимое обратное импульсное напряжение управления тиристора fy,H3-незапирающее постоянное напряжение управления тиристора f/y,нот-неотпирающее постоянное напряжение управления тиристора неотпирающее импульсное напряжение управления тиристора у.обр.макс -максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления тиристора fy.oT-отпирающее постоянное напряжение управления тиристора l/y oTiH-отпирающее импульсное напряжение управления тиристора (й!Идс/Л)кр-критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора (йМзс/Омакс-максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора af/cT-температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона 6f/cT-временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона Qboc - заряд восстановления диода Qhk-накопленный заряд диода у,-нот,и- Ток /вп.ср-средний Быпрямленности ток диода la-запираемый ток тиристора /зс - постоянный ток в закрытом состоянии тиристора /обр -постоянный обратный ток диода, тиристора /обр,и -импульсный обратный ток диода, тиристора /обр.с'р - средний обратный ток диода, тиристора /ос - постоянный ток в открытом состоянии тиристора /ос.макс -максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии тиристора /ос.п-повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора /оо,п,макс-максимально допустимый повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора /ос.ср - средний ток в открытом состоянии тиристора /ос.ср.макс- максимально допустимый средний ток в открытом состоянии тиристора /пр - постоянный прямой ток диода ., /пр,и-импульсный прямой ток диода /пр.макс -макшмально допустимый постоянный прямой ток диода /пр.и.макс - максимально допустимый импульсный прямой ток диода /пр.ср-средний прямой ток диода /пр.ср.манс - максимально допустимый средний прямой ток диода /от- ток стабилизации стабилитрона /ст,и-импульсный ток стабилизации стабилитрона /ст,и,макс-максимально допустимый импульсный ток стабилизации стабилитрона /ст.макс - максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона /ст,мин-минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона /у,з,и-запирающий импульсный ток управления тиристора /у,и5макс - максимально допустимый импульсный ток управления тиристора /у,ма11с-максимально допустимый постоянный ток управления тиристора /у,нз - незапирающий постоянный ток управления тиристора /у,обр,и-обратный импульсный ток управления тиристора /у.обр.в.макс-максимально допустимый обратный импульсный ток управления тиристора I /у.от- отпирающий постоянный ток управления тиристора I /у, от,и-отпирающий импульсный ток управления тиристора /у,пр- прямой постоянный ток управления тиристора /у,пр,и- прямой импульсный ток управления тиристора /у>пр,и,макс - максимально допустимый прямой импульсный ток управления тиристора /у.пр.макс-максимально допустимый прямой постоянный ток управления тиристора (Й ос/ЙОмакс - максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора /dt, Pdi-защитный показатель диода, тиристора Мощность /вс-рассеиваемая мощность в акрытом состоянии тиристора зс,ср~-средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора и- импульсная рассеиваемая мощность диода Робр- обратная рассеиваемая мощность диода Рос- рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора ос.ср- средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора Рцр- прямая рассеиваемая мощность диода ср- средняя рассеиваемая мощность диода Ру- рассеиваемая мощность управления тиристора у,н-импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора .обр-обратная рассеиваемая мощность управления тиристора fy.np- прямая рассеиваемая мощность управления тиристора Ру,ср-средняя рассеиваемая мощность управления тиристора Сопротивление Rt- тепловое сопротивление т(п-с) ~ тепловое сопротивление переход - среда т(п-к)-тепловое сопротивление переход'-корпус Адан-динамическое сопротивление выпрямительного днода, тиристора диф- дифференциальное сопротивление диода Ги- последовательное сопротивление потерь диода псдин-динамическое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора от- дифференциальное сопротивление стабилитрона Емкость Сд- общая емкость диода Скор- емкость корпуса диода Собщ- общая емкость тиристора Спер- емкость перехода диода Время и частота вос.обр- время обратного восстановления диода, тиристора всс.пр- время прямого восстановления диода, тиристора выкл- время выключения тиристора 4д- время задержки тиристора ta- длительность импульса нр- время нарастания диода, тиристора нр.обр- время нарастания обратного тока восстановления тиристора сп.обр-время спада обратного тока восстановления тиристора iy- длительность импульса по управляющему электроду у,выкл-время выключения по управляющему электроду тиристора h.sn- время запаздывания по управляющему электроду тиристора у,сп- время спада по управляющему электроду тиристора У.пр- длительность импульса прямого тока управления /у,ф-длительность фронта импульса по управляющему электроду тиристора 1 2 3 4 ... 52 |
|