Главная » Мануалы

1 2 3 4 ... 52

приборы

Усложнение радиоэлектронной алларатуры, расширение вылолняе-мых ею функций вызывает появление новых типов полупроводниковых приборов. Совершенствование технологии производства приводит к изменению количества типономиналов и значений параметров уже освоенных промышленностыо приборов. Соответственно изменяется система нормативно-технической документации.

В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры полупроводниковых приборов, используемых в выпрямителях, преобразователях и стабилизаторах напряжения, системах электропитания, управления и автоматического регулирования: выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков и матриц, стабилитронов, ограничительных диодов и тиристоров.

Настоящий справочник представляет собой первую книгу базового издания по диодам, тиристорам и оптоэлектронным приборам. Во вторую книгу Диоды высокочастотные, импульсные и оптоэлектронные приборы включены сведения о высокочастотных импульсных, сверх-высокочастотных, туннельных, светонзлучающих диодах, варикапах, оптопарах и оптоэлектронных интегральных микросхемах.

Базовое издание по перечисленным типам приборов отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. В него включены как вновь разработанные полупроводниковые приборы, так и находящиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендованные к применению в новых разработках. Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов.

Авторами сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на каждый тип прибора, а также зарекомендовавшаясебя положительно структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения об технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе, цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов.

В части Общие сведения приводятся классификация приборов и системы их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов.

Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в цнфро-алфавитной последовательности.

Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламаций.



ЧАСТЬ ПЕРВАЯ

О ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДАХ

Раздел первый

1.1. Классификация и система обозначений приборов

Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов,

В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система из условных обозначений, которая на протяжение последних 20 лет трижды претерпевала изменения.

Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов.

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г или 1 - для германия или его соединений; К или 2 - для кремния или его соединений;

А Или 3-для соединений галлия (например, для арсенида галлия);

И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия).

Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс (или группу) приборов.

Для обозначения подклассов приборов используетя одна из следующих букв:

Д - диодов выпрямительных и импульсных;

Ц - выпрямительных столбов и блоков;

В - варикапов;

И - туннельных диодов;

А - сверхвысокочастотных диодов;

G - стабилитронов;

Г - генераторов шума;

Д - излучающих оптоэлектронных приборов;

О - оптопар;

Н -диодных тиристоров;

У-триодных тиристоров,



третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов.

Диоды (подкласс Д);

1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 -для выпрямительных диодов с постоянным или средним вначе-нием прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;

4 -для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 не;

Б - для импульсных диодов с временем восстановления более 150 НС, но не свыше 500 не;

6 - для импульсных диодов с временем восстановления 30... 150 не;

7 - для импульсных диодов С временем восстановления 5...30 не;

8 - для импульсных диодов С временем восстановления 1...5 не; 9--для импульсных диодов С эффективным временем жизни Неосновных носителей наряда менее 1 не.

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 -для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3... 10 А;

3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого то< ка не более 0,3 А;

4 - Для блоков с постоянным или средним значением прямого то ка 0,3... 10 к.

Варикапы (подкласс В):

1 -для подстроечных варикапов; 2 -для умножительных варикапов.

Туннельные диоды (подкласс И):

1 -для усилительных туннельных диодов;

2 -для генераторных туннельных диодов;

3 - для переключательных туннельных диодов;

4 - для обращенных диодов.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1 - для смесительных диодов;

2 - для детекторных диодов;

3 - для усилительных диодов;

4 - для параметрических диодов;

5 - для переключательных и ограничительных диодов;

6 - для умножительных и настроечных диодов;

7 - для генераторных диодов;

8 - для импульсных диодов.

Стабилитроны (подкласс С):

1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;



2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт е номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

3 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

4 - для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

5 -для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

6 - для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

7 - для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

8 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

9 - для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.

Генераторы шума (подкласс Г):

1 - для низкочастотных генераторов шума;

2 - для высокочастотных генераторов шума.

Излучающие 0птоэлектрО!ные приборы (подкласс Л):

Источники инфракрасного излучения

1 - для излучающих диодов;

2 - для излучающих модулей.

Приборы визуального представления информации:

3 - для светоизлучающих диодов;

4 - для знаковых индикаторов;

5 -для знаковых табло;

6 - для шкал;

7 -для экранов.

Оптопары (подкласс О);

Р - для резисторных оптопар; Д - для диодных оптопар; У - для тиристорных оптопар; Т - для транзисторных оптопар.

Диодные тиристоры (подкласс Н):

1 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;

2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А.

Триодные тиристоры (подкласс У): Незапираемые тиристоры:

1 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего



тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или максимально допустимым аиа чением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 Д.;

7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А,

Запираемые тиристоры:

3 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А илн максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3...10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 А;

8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А,

Симметричные тиристоры:

5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тоКа в открытом состоянии не более 15 А;

6 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 А;

9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа.

Для обозначения порядкового номера- разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы;

цифры 1...9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5 -с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;

6 - с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов; буква Р после последнего элемента обозначения для приборов



с парным подбором, буква Г - с подбором в четверки, буква К - с подбором в шестерки.

Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора.

Примеры обозначения приборов:

ГД107Б - германиевый выпрямительный диод с /пр,ср,макс<10 А, номер разработки 7, группа Б;

2Ц202Г - столб выпрямительный из кремниевых диодов с 0,3 А< </др,ср,ма!;с<10 А, номер разработки 2, группа Г;

КУ202Н - кремниевый незапираемый триодный тиристор с 0,3 А< </пр.ср,макс<10 А и 15 А</ос,п<100 А, номер разработки 2, группа Н.

Поскольку ОСТ 336.919-81 введен в действие в 1982 г. для ранее разработанных приборов использована иная система обозначений. Условные обозначения приборов, разработанных до 1964 г. состоят нз Д!зух или трех элементов.

Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.

Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения:

от 1 до 100 - для точечных германиевых диодов;

от 101 до 200 -для точечных кремниевых диодов;

от 201 до 300 - для плоскостных кремниевых диодов;

от 301 до 400 - для плоскостных германиевых диодов;

от 401 до 500 - для смесительных СЕЧ детекторов;

от 501 до 600 - для умножительных диодов;

от 601 до 700 - для видеодетекторов;

от 701 до 749 - для параметрических германиевых диодов;

от 750 до 800 -для параметрических кремниевых диодов;

от 801 до 900 -для стабилитронов;

от 901 до 950 - для варикапов;

от 951 до 1000 -для туннельных диодов;

от 1001 до 1100 - для выпрямительных столбов.

Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов.

Данная система обозначений содержала значительно меньше классификационных признаков.

Для большинства приборов, включенных в настоящий справочник, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе мало отличается от системы обозначений по ОСТ 11336.919-81 (кроме обозначений для стабилитронов).

Согласно указанным стандартам до 1981 г. стабилитронам в качестве третьего и четвертого элементов присваивались числа:

малой мощности (Р<0,3 Вт):

от 101 до 199 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 210 до 299 - с напряжением стабилизации 10...99 В; от 301 до 399 -с напряжением стабилизации 100...199 В;

средней мощности (0,3 Вт<Р<5 Вт):

от 401 до 499 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 510 до 599 -с напряжением стабилизации 10...99 В; от 601 до 699 - с напряжением стабилизации 100...199 В;



большой мощности (Р>5 Вт);

от 701 до 799 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В;

от 810 до 899 - с напряжением стабилизации 10...99 В;

от 901 до 999 -с напряжением стабилизации 100...199 В.

Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например 2С168А-кремниевый стабилитрон малой мощности с [/ст=6,8 В.

1.2. Условные графические обозначения

В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых при> боров в соответствии с ГОСТ 2.730-73.

Графические обозначения полупроводниковых приборов

Наименование приборов

Обозначение

Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение Стабилитроны: односторонний

двусторонний

Тиристор диодный (динисторУ Тиристор незапираемый триодный; с управлением по аноду

с управлением по катоду

Тиристор запираемый:

с управлением по аноду

с управлением по катоду



1.3. Условные обозначения электрических параметроа

30,макс fscMHH

Напряжение

f/зс - постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора

максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора

минимальное напряжение в закрытом состоянии тиристора

Г/нот,и - импульсное неотпирающее напряжение тиристора

fo6p - постоянное обратное напряжение диода, тиристора fo6p,H-импульсное обратное напряжение диода to6p,H,MaKc -максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода

fo6p,MaKc-максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода

f/oc - постоянное напряжение в открытом состоянии тиристора

Uoc,4-импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора

toT.H-импульсное отпирающее напряжение тиристора Unop - пороговое напряжение выпрямительного днода пр - постоянное прямое напряжение диода fnp.H - импульсное прямое напряжение диода fnpo6 - пробивное напряжение диода пр.ср-среднее прямое напряжение диода

f/cT-напряжение стабилизации стабилитрона f/y.3 H -запирающее импульсное напряжение управления тиристора

у,и,обр,макс - максимально допустимое обратное импульсное напряжение управления тиристора fy,H3-незапирающее постоянное напряжение управления тиристора

f/y,нот-неотпирающее постоянное напряжение управления тиристора

неотпирающее импульсное напряжение управления тиристора

у.обр.макс -максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления тиристора fy.oT-отпирающее постоянное напряжение управления тиристора

l/y oTiH-отпирающее импульсное напряжение управления тиристора

(й!Идс/Л)кр-критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора (йМзс/Омакс-максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора af/cT-температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона

6f/cT-временная нестабильность напряжения стабилизации

стабилитрона Qboc - заряд восстановления диода Qhk-накопленный заряд диода

у,-нот,и-



Ток

/вп.ср-средний Быпрямленности ток диода la-запираемый ток тиристора /зс - постоянный ток в закрытом состоянии тиристора /обр -постоянный обратный ток диода, тиристора /обр,и -импульсный обратный ток диода, тиристора /обр.с'р - средний обратный ток диода, тиристора

/ос - постоянный ток в открытом состоянии тиристора /ос.макс -максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии тиристора /ос.п-повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора

/оо,п,макс-максимально допустимый повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора /ос.ср - средний ток в открытом состоянии тиристора /ос.ср.макс- максимально допустимый средний ток в открытом состоянии тиристора /пр - постоянный прямой ток диода ., /пр,и-импульсный прямой ток диода /пр.макс -макшмально допустимый постоянный прямой ток диода /пр.и.макс - максимально допустимый импульсный прямой ток диода

/пр.ср-средний прямой ток диода /пр.ср.манс - максимально допустимый средний прямой ток диода /от- ток стабилизации стабилитрона /ст,и-импульсный ток стабилизации стабилитрона /ст,и,макс-максимально допустимый импульсный ток стабилизации стабилитрона

/ст.макс - максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона

/ст,мин-минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона /у,з,и-запирающий импульсный ток управления тиристора /у,и5макс - максимально допустимый импульсный ток управления тиристора

/у,ма11с-максимально допустимый постоянный ток управления тиристора

/у,нз - незапирающий постоянный ток управления тиристора /у,обр,и-обратный импульсный ток управления тиристора /у.обр.в.макс-максимально допустимый обратный импульсный ток управления тиристора I /у.от- отпирающий постоянный ток управления тиристора

I /у, от,и-отпирающий импульсный ток управления тиристора /у,пр- прямой постоянный ток управления тиристора /у,пр,и- прямой импульсный ток управления тиристора /у>пр,и,макс - максимально допустимый прямой импульсный ток управления тиристора /у.пр.макс-максимально допустимый прямой постоянный ток управления тиристора (Й ос/ЙОмакс - максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора /dt, Pdi-защитный показатель диода, тиристора

Мощность

/вс-рассеиваемая мощность в акрытом состоянии тиристора



зс,ср~-средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора

и- импульсная рассеиваемая мощность диода Робр- обратная рассеиваемая мощность диода Рос- рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора

ос.ср- средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора

Рцр- прямая рассеиваемая мощность диода ср- средняя рассеиваемая мощность диода Ру- рассеиваемая мощность управления тиристора у,н-импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора

.обр-обратная рассеиваемая мощность управления тиристора fy.np- прямая рассеиваемая мощность управления тиристора Ру,ср-средняя рассеиваемая мощность управления тиристора

Сопротивление

Rt- тепловое сопротивление т(п-с) ~ тепловое сопротивление переход - среда т(п-к)-тепловое сопротивление переход'-корпус

Адан-динамическое сопротивление выпрямительного днода, тиристора

диф- дифференциальное сопротивление диода Ги- последовательное сопротивление потерь диода псдин-динамическое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора от- дифференциальное сопротивление стабилитрона

Емкость

Сд- общая емкость диода Скор- емкость корпуса диода Собщ- общая емкость тиристора Спер- емкость перехода диода

Время и частота

вос.обр- время обратного восстановления диода, тиристора всс.пр- время прямого восстановления диода, тиристора выкл- время выключения тиристора 4д- время задержки тиристора ta- длительность импульса нр- время нарастания диода, тиристора нр.обр- время нарастания обратного тока восстановления тиристора

сп.обр-время спада обратного тока восстановления тиристора

iy- длительность импульса по управляющему электроду у,выкл-время выключения по управляющему электроду тиристора

h.sn- время запаздывания по управляющему электроду тиристора

у,сп- время спада по управляющему электроду тиристора У.пр- длительность импульса прямого тока управления /у,ф-длительность фронта импульса по управляющему электроду тиристора



1 2 3 4 ... 52

Яндекс.Метрика