Главная
Приборы: усложнение радиоэлектронной аппаратуры
Полупроводниковые приборы
Операционные усилители
Измерительные цепи
Повышение энергетической эффективности
Операционные усилители
Электропривод роботов
Правила техники безопасности
Технология конструкции микросхем
Расчет конденсатора
Лазерная звукозапись
Деление частоты
Проектирование
Создание термоэлектродных сплавов
Радиопомехи
Вспомогательные номограммы
|
Главная » Мануалы 1 2 3 4 ... 52 приборы Усложнение радиоэлектронной алларатуры, расширение вылолняе-мых ею функций вызывает появление новых типов полупроводниковых приборов. Совершенствование технологии производства приводит к изменению количества типономиналов и значений параметров уже освоенных промышленностыо приборов. Соответственно изменяется система нормативно-технической документации. В справочнике приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры полупроводниковых приборов, используемых в выпрямителях, преобразователях и стабилизаторах напряжения, системах электропитания, управления и автоматического регулирования: выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков и матриц, стабилитронов, ограничительных диодов и тиристоров. Настоящий справочник представляет собой первую книгу базового издания по диодам, тиристорам и оптоэлектронным приборам. Во вторую книгу Диоды высокочастотные, импульсные и оптоэлектронные приборы включены сведения о высокочастотных импульсных, сверх-высокочастотных, туннельных, светонзлучающих диодах, варикапах, оптопарах и оптоэлектронных интегральных микросхемах. Базовое издание по перечисленным типам приборов отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. В него включены как вновь разработанные полупроводниковые приборы, так и находящиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендованные к применению в новых разработках. Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов. Авторами сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на каждый тип прибора, а также зарекомендовавшаясебя положительно структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения об технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе, цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов. В части Общие сведения приводятся классификация приборов и системы их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов. Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в цнфро-алфавитной последовательности. Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламаций. ЧАСТЬ ПЕРВАЯ О ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДАХ Раздел первый 1.1. Классификация и система обозначений приборов Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов, В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система из условных обозначений, которая на протяжение последних 20 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы: Г или 1 - для германия или его соединений; К или 2 - для кремния или его соединений; А Или 3-для соединений галлия (например, для арсенида галлия); И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия). Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс (или группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов используетя одна из следующих букв: Д - диодов выпрямительных и импульсных; Ц - выпрямительных столбов и блоков; В - варикапов; И - туннельных диодов; А - сверхвысокочастотных диодов; G - стабилитронов; Г - генераторов шума; Д - излучающих оптоэлектронных приборов; О - оптопар; Н -диодных тиристоров; У-триодных тиристоров, третий элемент обозначения - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора. Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов. Диоды (подкласс Д); 1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 -для выпрямительных диодов с постоянным или средним вначе-нием прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А; 4 -для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 не; Б - для импульсных диодов с временем восстановления более 150 НС, но не свыше 500 не; 6 - для импульсных диодов с временем восстановления 30... 150 не; 7 - для импульсных диодов С временем восстановления 5...30 не; 8 - для импульсных диодов С временем восстановления 1...5 не; 9--для импульсных диодов С эффективным временем жизни Неосновных носителей наряда менее 1 не. Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц): 1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 -для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3... 10 А; 3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого то< ка не более 0,3 А; 4 - Для блоков с постоянным или средним значением прямого то ка 0,3... 10 к. Варикапы (подкласс В): 1 -для подстроечных варикапов; 2 -для умножительных варикапов. Туннельные диоды (подкласс И): 1 -для усилительных туннельных диодов; 2 -для генераторных туннельных диодов; 3 - для переключательных туннельных диодов; 4 - для обращенных диодов. Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А): 1 - для смесительных диодов; 2 - для детекторных диодов; 3 - для усилительных диодов; 4 - для параметрических диодов; 5 - для переключательных и ограничительных диодов; 6 - для умножительных и настроечных диодов; 7 - для генераторных диодов; 8 - для импульсных диодов. Стабилитроны (подкласс С): 1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт е номинальным напряжением стабилизации 10...100 В; 3 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 4 - для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 5 -для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В; 6 - для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 7 - для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 8 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В; 9 - для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В. Генераторы шума (подкласс Г): 1 - для низкочастотных генераторов шума; 2 - для высокочастотных генераторов шума. Излучающие 0птоэлектрО!ные приборы (подкласс Л): Источники инфракрасного излучения 1 - для излучающих диодов; 2 - для излучающих модулей. Приборы визуального представления информации: 3 - для светоизлучающих диодов; 4 - для знаковых индикаторов; 5 -для знаковых табло; 6 - для шкал; 7 -для экранов. Оптопары (подкласс О); Р - для резисторных оптопар; Д - для диодных оптопар; У - для тиристорных оптопар; Т - для транзисторных оптопар. Диодные тиристоры (подкласс Н): 1 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А; 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А. Триодные тиристоры (подкласс У): Незапираемые тиристоры: 1 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или максимально допустимым аиа чением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 Д.; 7 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А, Запираемые тиристоры: 3 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А илн максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3...10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 А; 8 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А, Симметричные тиристоры: 5 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением импульсного тоКа в открытом состоянии не более 15 А; 6 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15...100 А; 9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А. Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера- разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999. Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э). В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы; цифры 1...9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров; букву С для обозначения сборок - наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами; цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов: 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя; 2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); 3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки); 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке); 5 -с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов; 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов; буква Р после последнего элемента обозначения для приборов с парным подбором, буква Г - с подбором в четверки, буква К - с подбором в шестерки. Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора. Примеры обозначения приборов: ГД107Б - германиевый выпрямительный диод с /пр,ср,макс<10 А, номер разработки 7, группа Б; 2Ц202Г - столб выпрямительный из кремниевых диодов с 0,3 А< </др,ср,ма!;с<10 А, номер разработки 2, группа Г; КУ202Н - кремниевый незапираемый триодный тиристор с 0,3 А< </пр.ср,макс<10 А и 15 А</ос,п<100 А, номер разработки 2, группа Н. Поскольку ОСТ 336.919-81 введен в действие в 1982 г. для ранее разработанных приборов использована иная система обозначений. Условные обозначения приборов, разработанных до 1964 г. состоят нз Д!зух или трех элементов. Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов. Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения: от 1 до 100 - для точечных германиевых диодов; от 101 до 200 -для точечных кремниевых диодов; от 201 до 300 - для плоскостных кремниевых диодов; от 301 до 400 - для плоскостных германиевых диодов; от 401 до 500 - для смесительных СЕЧ детекторов; от 501 до 600 - для умножительных диодов; от 601 до 700 - для видеодетекторов; от 701 до 749 - для параметрических германиевых диодов; от 750 до 800 -для параметрических кремниевых диодов; от 801 до 900 -для стабилитронов; от 901 до 950 - для варикапов; от 951 до 1000 -для туннельных диодов; от 1001 до 1100 - для выпрямительных столбов. Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов. Данная система обозначений содержала значительно меньше классификационных признаков. Для большинства приборов, включенных в настоящий справочник, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе мало отличается от системы обозначений по ОСТ 11336.919-81 (кроме обозначений для стабилитронов). Согласно указанным стандартам до 1981 г. стабилитронам в качестве третьего и четвертого элементов присваивались числа: малой мощности (Р<0,3 Вт): от 101 до 199 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 210 до 299 - с напряжением стабилизации 10...99 В; от 301 до 399 -с напряжением стабилизации 100...199 В; средней мощности (0,3 Вт<Р<5 Вт): от 401 до 499 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 510 до 599 -с напряжением стабилизации 10...99 В; от 601 до 699 - с напряжением стабилизации 100...199 В; большой мощности (Р>5 Вт); от 701 до 799 -с напряжением стабилизации 0,1...9,9 В; от 810 до 899 - с напряжением стабилизации 10...99 В; от 901 до 999 -с напряжением стабилизации 100...199 В. Две последние цифры каждого числа соответствуют номинальному напряжению стабилизации стабилитронов данного типа, например 2С168А-кремниевый стабилитрон малой мощности с [/ст=6,8 В. 1.2. Условные графические обозначения В технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых при> боров в соответствии с ГОСТ 2.730-73. Графические обозначения полупроводниковых приборов Наименование приборов Обозначение Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение Стабилитроны: односторонний двусторонний Тиристор диодный (динисторУ Тиристор незапираемый триодный; с управлением по аноду с управлением по катоду Тиристор запираемый: с управлением по аноду с управлением по катоду 1.3. Условные обозначения электрических параметроа 30,макс fscMHH Напряжение f/зс - постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора максимально допустимое постоянное напряжение в закрытом состоянии тиристора минимальное напряжение в закрытом состоянии тиристора Г/нот,и - импульсное неотпирающее напряжение тиристора fo6p - постоянное обратное напряжение диода, тиристора fo6p,H-импульсное обратное напряжение диода to6p,H,MaKc -максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода fo6p,MaKc-максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода f/oc - постоянное напряжение в открытом состоянии тиристора Uoc,4-импульсное напряжение в открытом состоянии тиристора toT.H-импульсное отпирающее напряжение тиристора Unop - пороговое напряжение выпрямительного днода пр - постоянное прямое напряжение диода fnp.H - импульсное прямое напряжение диода fnpo6 - пробивное напряжение диода пр.ср-среднее прямое напряжение диода f/cT-напряжение стабилизации стабилитрона f/y.3 H -запирающее импульсное напряжение управления тиристора у,и,обр,макс - максимально допустимое обратное импульсное напряжение управления тиристора fy,H3-незапирающее постоянное напряжение управления тиристора f/y,нот-неотпирающее постоянное напряжение управления тиристора неотпирающее импульсное напряжение управления тиристора у.обр.макс -максимально допустимое обратное постоянное напряжение управления тиристора fy.oT-отпирающее постоянное напряжение управления тиристора l/y oTiH-отпирающее импульсное напряжение управления тиристора (й!Идс/Л)кр-критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора (йМзс/Омакс-максимально допустимая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии тиристора af/cT-температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона 6f/cT-временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона Qboc - заряд восстановления диода Qhk-накопленный заряд диода у,-нот,и- Ток /вп.ср-средний Быпрямленности ток диода la-запираемый ток тиристора /зс - постоянный ток в закрытом состоянии тиристора /обр -постоянный обратный ток диода, тиристора /обр,и -импульсный обратный ток диода, тиристора /обр.с'р - средний обратный ток диода, тиристора /ос - постоянный ток в открытом состоянии тиристора /ос.макс -максимально допустимый постоянный ток в открытом состоянии тиристора /ос.п-повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора /оо,п,макс-максимально допустимый повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии тиристора /ос.ср - средний ток в открытом состоянии тиристора /ос.ср.макс- максимально допустимый средний ток в открытом состоянии тиристора /пр - постоянный прямой ток диода ., /пр,и-импульсный прямой ток диода /пр.макс -макшмально допустимый постоянный прямой ток диода /пр.и.макс - максимально допустимый импульсный прямой ток диода /пр.ср-средний прямой ток диода /пр.ср.манс - максимально допустимый средний прямой ток диода /от- ток стабилизации стабилитрона /ст,и-импульсный ток стабилизации стабилитрона /ст,и,макс-максимально допустимый импульсный ток стабилизации стабилитрона /ст.макс - максимально допустимый ток стабилизации стабилитрона /ст,мин-минимально допустимый ток стабилизации стабилитрона /у,з,и-запирающий импульсный ток управления тиристора /у,и5макс - максимально допустимый импульсный ток управления тиристора /у,ма11с-максимально допустимый постоянный ток управления тиристора /у,нз - незапирающий постоянный ток управления тиристора /у,обр,и-обратный импульсный ток управления тиристора /у.обр.в.макс-максимально допустимый обратный импульсный ток управления тиристора I /у.от- отпирающий постоянный ток управления тиристора I /у, от,и-отпирающий импульсный ток управления тиристора /у,пр- прямой постоянный ток управления тиристора /у,пр,и- прямой импульсный ток управления тиристора /у>пр,и,макс - максимально допустимый прямой импульсный ток управления тиристора /у.пр.макс-максимально допустимый прямой постоянный ток управления тиристора (Й ос/ЙОмакс - максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора /dt, Pdi-защитный показатель диода, тиристора Мощность /вс-рассеиваемая мощность в акрытом состоянии тиристора зс,ср~-средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора и- импульсная рассеиваемая мощность диода Робр- обратная рассеиваемая мощность диода Рос- рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора ос.ср- средняя рассеиваемая мощность в открытом состоянии тиристора Рцр- прямая рассеиваемая мощность диода ср- средняя рассеиваемая мощность диода Ру- рассеиваемая мощность управления тиристора у,н-импульсная рассеиваемая мощность управления тиристора .обр-обратная рассеиваемая мощность управления тиристора fy.np- прямая рассеиваемая мощность управления тиристора Ру,ср-средняя рассеиваемая мощность управления тиристора Сопротивление Rt- тепловое сопротивление т(п-с) ~ тепловое сопротивление переход - среда т(п-к)-тепловое сопротивление переход'-корпус Адан-динамическое сопротивление выпрямительного днода, тиристора диф- дифференциальное сопротивление диода Ги- последовательное сопротивление потерь диода псдин-динамическое сопротивление в обратном проводящем состоянии тиристора от- дифференциальное сопротивление стабилитрона Емкость Сд- общая емкость диода Скор- емкость корпуса диода Собщ- общая емкость тиристора Спер- емкость перехода диода Время и частота вос.обр- время обратного восстановления диода, тиристора всс.пр- время прямого восстановления диода, тиристора выкл- время выключения тиристора 4д- время задержки тиристора ta- длительность импульса нр- время нарастания диода, тиристора нр.обр- время нарастания обратного тока восстановления тиристора сп.обр-время спада обратного тока восстановления тиристора iy- длительность импульса по управляющему электроду у,выкл-время выключения по управляющему электроду тиристора h.sn- время запаздывания по управляющему электроду тиристора у,сп- время спада по управляющему электроду тиристора У.пр- длительность импульса прямого тока управления /у,ф-длительность фронта импульса по управляющему электроду тиристора 1 2 3 4 ... 52 |
|