Главная » Мануалы

1 2 3 4 5 ... 52

JqCH п~

-частота следования импульсов по управляющему электроду тиристора

-эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода

Температура

- температура окружающей среды

- температура корпуса

- максимальная температура окружающей среды

- минимальная температура окружающей среды -температура кристаллодержателя -температура перехода

1.4. Основные стандарты

ГОСТ 15133-77.

ОСТ 11 336.91,9-81

ГОСТ 2.73G-73

ГОСТ 18472-82.

ГОСТ 19613-80.

ГОСТ 25529-82.

ГОСТ 20332-84.

ОСТ 11 336.ВД7.3-81 ОСТ 11 336.907.6-82.

ОСТ 11.336.907.10-82

Приборы полупроводниковые. Термины и оп-

)еделения

Триборы полупроводниковые. Система условных обозначений

Обозначения условные, графические в схемах. Приборы полупроводниковые Приборы полупроводниковые. Основные размеры

Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые. Основные размеры Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Стабилитроны. Руководство по применению Диоды выпрямительные, столбы высоковольтные. Руководство по применению Приборы полупроводниковые. Тиристоры. Руководство по применению

Методы измерения параметров выпрямительных диодов и стабилитронов

ГОСТ 18986.0-74.

ГОСТ 18986.1-73, ГОСТ 18986.2-73. ГОСТ 18986.3-73.

ГОСТ 18986.14-85.

ГОСТ 18986.15-75. ГОСТ 18986,16-72.

измерения постоян-

Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного обратного тока Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения Диоды полупроводниковые. Метод постоянного прямого напряжения ного прямого тока

Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений

Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого

гост 18986.17-73

ГОСТ 18986,20-77,

ГОСТ 18986.21-78.

ГОСТ 18986.22-78. ГОСТ 18986.23-80. ГОСТ 18986.24-83.

ГОСТ ГОСТ

гост гост гост

гост гост гост

Методы 19138.0-74.

19138.1-73.,

19138.2-73.

19138.3-73. 19138.4-73. 19138.5-74.

19138.6-74.

19138.7-74.

19138.8.-75.

19138.9-76.

19138,11-75.

напряжения и среднего значения обратного тока

Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации

Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим

Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения дифференциального сопротивления Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения

измерения параметров тиристоров

Тиристоры. Методы измерения электрических

параметров. Общие положения

Тиристоры. Методы измерения напряжения

включения

Тиристоры. Метод измерения импульсного отпирающего тока и импульсного отпирающего напряжения управляющего электрода Тиристоры. Метод измерения времени выключения

Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки Тиристоры. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки по управляющему электроду

Тиристоры. Метод измерения критической скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии

Тиристоры. Метод измерения импульсного запирающего тока, импульсного запирающего напряжения, импульсного коэффициента запирания

Тиристоры. Метод измерения удерживающего тока

Тиристоры. Метод измерения тока в закрытом состоянии и обратного тока Тиристоры. Метод измерения постоянного отпирающего тока н постоянного отпирающего напряжения управляющего электрода

Раздел второй

Осо6@ни©ети применения п©лупрое©даишеых

Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся в настоящем справочнике, являются приборами общего применения и могут использоваться в разнообразных условиях и режимах, характерных для различных классов радиоэлектронной аппаратуры.

Общие технические требования, регламентирующие условия приме^ иеиия и поставки приборов, предназначенных для аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических условиях (ОТУ) на вти приборы. Конкретные значения электрических параметров и специфические требования, характерные для данного типа приборов, изложены в частных технических условиях (ЧТУ), технических условиях (ТУ) и гост.

Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета на стадиях ее проектирования, изготовления и эксплуатации следующих особенностей приборов:

разброса параметров, их зависимости от режима и условий работы;

изменения параметров в течение времени наработки или хранения; хорошего отвода теплоты от корпусов мощных приборов;

обеспечения запасов по электрическим, механическим и другим нагрузкам на приборч;

принятия мер, обеспечивающих отсутствие перегрузок приборов во время эксплуатации, монтажа и сборки аппаратуры.

Приведенные в справочнике значения параметров измерены в определенных режимах и условиях заводских классификационных испытаний приборов. Как правило, режимы классификационных испытаний являются предельно допустимыми илн оптимальными для данной группы приборов.

Параметры приборов одного типа не одинаковы, а находятся в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными или максимальными значениями, указанными в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение значений.

Большинство параметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например, время обратного восстановления выпрямительных диодов зависит от значения прямого тока, напряжения и сопротивления нагрузки, значительно изменяется в диапазоне температур обратный ток диодов.

Приведенные в справочнике вольт-амперные характеристики, зависимости параметров от режима и температуры являются усредненными для большого числа приборов данного типа. В некоторых случаях на рисунках штриховыми линиями показаны зоны возможных значений электрических параметров для всей совокупности приборов данного типа. В этой зоне сплошной линией показана типовая зависимость. Приведенные зависимости могут использоваться при выборе типа прибора для конкретной схемы и ориентировочного ее расчета. При расчетах схем следует учитывать разброс значений параметров приборов. Подбор приборов по значениям параметров может привести к затруднениям при ремонте аппаратуры.

Для некоторых параметров приборов даются два значения (мини-

мальиое и максимальное) или три значения (минимальное, типовое и максимальное), разделенные отточиями.

В разделах Предельные эксплуатационные данные в правой части звездочкой отмечены значения параметров, приведенные в ТУ в разделах справочных данных. При производстве приборов они могут не контролироваться. В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных данных не указан интервал температур, эти данные гарантированы во всем интервале температур окружающей среды (корпуса).

Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться в соответствии с требованиями ТУ и стандартами-руководствами по применению. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры необходимо обеспечить ее работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров приборов. Разброс параметров и изменение их значений во времени при проектировании аппаратуры учитываются расчетными методами или экспериментально, например методом граничных иепытаний.

Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут работать в аппаратуре (их срок службы), практически неограничено. Тем не менее за время наработки и хранения могут происходить изменения параметров приборов. У отдельных экземпляров эти изменения оказываются столь значительными, что вызывают отказ аппаратуры. Для определения надежности приборов используют такие показатели, как гамма-прсцентный ресурс, гамма-процентная сохраняемость, минимальная наработка (гарантийная наработка), интенсивность отказов, определяемые при специальных испытаниях. Нормы на эти показатели уста- иавливаются в ТУ на приборы.

Для расчета надежности радиоэлектронной аппаратуры следует использовать количественные показатели надежности, получаемые при обработке статистических данных различных заводских испытаний, а также эксплуатации приборов в аппаратуре.

Экспериментально установлено, что интенсивность (вероятность) отказов приборов уменьшается при снижении рабочей температуры, напряжений иа электродах и токов. Снижение рабочей температуры уменьшает отказы практически всех видов: короткие замыкания, обрывы и значительные изменения параметров. Снижение напряжения значительно уменьшает отказы приборов с высоковольтными переходами. Снижение рабочего тока приводит, главным образом, к замедлению деградации контактных соединений и токоведущих дорожек металлизации иа кристаллах.

Приближенная зависимость интенсивности отказов от нагрузок имеет вид:

/ и \2 / I \

Я (Та, и, 1) = К (7п.макс i макс > /макс) ( 77 (7

\ с'макс/ \макс /

X ехр

п Jn.MaKc /J

где Я(7п.макС, {/макс, /маис) - ИНТСНСИВНОСТЬ ОТКЗЗОВ ПрИ МЗКСИМаЛЬИЫХ

нагрузках (может быть получена из результатов кратковременных испытаний в форсированных режимах); В 6000 К, Т„ и Гп.макс - в гра^ дусах Кельвина.

Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре рекомендуется устанавливать напряжения и токи (мощность) на уровне 0,5...0,8 предельных (максимальных) значений. Не допускается даже

кратковременное (импульсное) превышение предельно допустимых электрических режимов при эксплуатации. Поэтому необходимо принимать меры по защите приборов от электрических перегрузок, возникающих, при переходных процессах (при включении и выключении аппаратуры, при изменении режима ее работы, подключении нагрузок, случайных изменениях напряжения источников питания).

Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуатации аппаратуры (повышенная окружающая температура, пониженное атмосферное давление и др.).

Если требуемое значение тока или напряжения превышает предельно допустимое для данного прибора, то рекомендуется применение более мощного или высоковольтного прибора, а для диодов - их параллельное или последовательное соединение. При параллельном соединении необходимо выравнивать токи через диоды с помощью резисторов, включаемых последовательно с каждым диодом. При последовательном включении диодов обратные напряжения на них выравниваются с помощью шунтирующих резисторов или конденсаторов. Рекомендуемые значения резисторов и емкостей шунтов обычно указываются в ТУ на диоды. Между последовательно или параллельно включенными приборами должна быть обеспечена хорошая тепловая связь (например, все приборы устанавливаются на одном радиаторе). В противном случае распределение нагрузки между приборами может быть неустойчивым.

Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий (температуры, влаги, агрессивных химических сред и др.) служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода теплоты. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют ограничения по герметичности и коррозионной устойчивости, поэтому при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности рекомендуется покрывать их специальными лаками (например, типа УР-231, ЭП-730).

Обеспечение отвода теплоты от мощных полупроводниковых приборов является одной из главных задач при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов. Для охлаждения мощных диодов или тиристоров используются теплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверхность или хороший теплоотвод. Крепление приборов к радиатору должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Если корпус прибора необходимо изолировйть, то для уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем диод или тиристор от радиатора.

Отвод теплоты улучшается при вертикальном расположении активных поверхностей радиатора, так как при этом улучшаются условия конвекции. Ориентировочные размеры теплоотводящих радиаторов в форме вертикально ориентированных пластин из алюминия (квадратных или прямоугольных) в зависимости от рассеиваемой мощности приборов можно определить по формуле: S==40 Р, где S - площадь одной стороны пластины, см; Р - рассеиваемая в приборе мощность, Вт.

Пластины площадью до 25 см могут иметь толщину 1...2 мм, площадью до 100 см и свыше 100 см -3...4 мм.

При сборке приборов с радиатором необходимо использовать специальные ключи с нормированным усилием крутящего момента, а для

приборов таблеточной конструкции - устройства с нормированным сжимающим усилием. При этом следует учитывать, что превышение допустимых усилий создает дополнительные механические напряжения в кристалле и корпусе, что может привести к нх разрушению. При недостаточном усилии увеличивается тепловое сопротивление корпус - охладитель, в результате возможен выход прибора нз строя вследствие его перегрева.

Для улучшения теплового контакта прибор - радиатор следует применять специальные теплопроводящие пасты, например КПТ-8.

В случае заливки плат с полупроводниковыми приборами компаундами, пенопластами, пенорезиной следует учитывать изменение теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева приборов от расположенных вблизи элементов, обладающих большим тепловьще-лением. Температура при заливке не должна превышать максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ. При заливке также не должны возникать механические нагрузки на выводы, нарушающие целостность стеклянных изоляторов или корпусов приборов.

В процессе подготовки и проведения монтажа полупроводниковых приборов в аппаратуру механические и климатические воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ.

Рихтовка, формовка и обрезка участков выводов приборов должна производиться так, чтобы в выводах не возникали изгибающие или растягивающие усилия. Оснастка и приспособления для формовки выводов должны быть заземлены. Расстояние от корпуса прибора до начала изгиба вывода, как правило, должно быть не менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен быть не менее 0,5 мм, при диаметре 0,6... 1 мм - не менее 1 мм, при диаметре свыше 1 мм - не менее 1,5 мм.

Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны быть низковольтными. Расстояние от корпуса или изолятора до места лужения или пайки вывода должно быть не менее 3 мм. Для отвода теплоты участок вывода между корпусом и местом пайки зажимается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно быть надежно заземлено. Если температура припоя не превышает 260 °С, а время пайки не более 3 с, то можно производить пайку без теплоот-вода или групповым методом (волной, погружением в припой н др.).

Очистка печатных плат от флюса производится жидкостями, которые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса (например, спиртобензиновой смесью).

В настоящем разделе приведены наиболее общие особенности использования полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре. Комплекс более конкретных указаний по применению для каждой из классификационных групп полупроводниковых приборов (выпрямительных диодов, стабилитронов, тиристоров и т. д.), приведен в стандартах - руководствах по применению (см. § 1.4).

ЧАСТЬ ВТОРАЯ

Раздел третий

Диоды германиевые, точечные. Предназначены для преобразования и детектирования сигналов с частотой до 150 МГц в амплитудных и фазовых детекторах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветной точкой у положительного вывода или кольцевыми полосами: Д2Б - желтой и белой; Д2В- желтой и оранжевой; Д2Г- желтой и красной; Д2Д - желтой и голубой; Д2Е - желтой и зеленой; Д2Ж - желтой и черной; Д2Й - желтой и серой.

Масса диода не более 0,3 г.

Д2(БЛГ,Д,ЕЛИ)

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение, не более:

при 7=-60°С и /пр=0,6 мА для Д2Б; 1,5 мА -для Д2В; 0,3 мА -для Д2Г, Д2Ж, Д2И; 0,5 мА -для Д2Д, Д2Е IB

при Г=-бСС и /i,p=0,6 мА для Д2Б; 1,5 мА -для Д2В; 0,3 мА -Д.ЛЯ Д2Г, Д2Ж, Д2И; 0,5 мА -для Д2Д,Д2Е IB

Импульсное прямое напряжение при /пр=30 мА, не более 7 В Постоянный обратный ток при /обр=Ь'обр,млнс не более: при Г-Ч-гби -60 С:

Д2Б..............100 мкА

Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И..... 250 мкА

при Г=+70°С:

Д2Б.......400 мкА

Лродолокение

Д2В, Д2Г, Д2Д.......... 1 мА

Д2Е, Д2И, Д2Ж.......... 0,7 мА

Отношение среднего выпрямленного тока на частоте 100 МГц к току на частоте 0,1 МГц, не менее:

при нагрузке 1 кОм 0,2

при нагрузке 10 кОм......... 0,3

при нагрузке 100 кОм........ . 0,5

Время обратного восстановления при /пр,и=10 мА, 11ойь,а==

= 10 В, /б()р,и=1 мА, не более....... . 3 мкс

Общая емкость диода при f/o6p=l,5 В, не более . . . 0,2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение' при !Г=--60...-4-35 °С:

2ДБ ........... 7 10В

Д2В........... . , ЗОВ

Д2Г, Д2Д.........., . 50 В

Д2Е, Д2И ............ IOOB

Д2Ж............. 150В

Импульсное обратное напряжение:

при 7=-60...+35 °С:

Д2Б ............, ЗОВ

Д2В ............. 40В

Д2Г, Д2Д ............ 75В

Д2Е, Д2И ............ 100 В

Д2Ж............. 150В

прн Г=+70С:

Д2Б ............, ЗОВ

Д2В............. 40В

Д2Г, Д2Д ........... 56В

Д2Е, Д2И............ 75 В

Д2Ж.............112В

Средний выпрямленный ток на частотах до 0,1 МГц:

Д2Ж............. 8 мА

Д2Б. Д2Г. Д2Д, Д2Е, Д2И.......16 мА

Д2В............. 25 мА

Импульсный прямой ток:

Д2Ж......-.......25 мА

Д2Б, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2И.......50 мА

Д2В .......-......78 мА

Средняя рассеиваемая мощность:

Д2Б, Д2Г, Д2Д-, Д2Е.........16 мВт

Д2В.............25 мВт

Д2Ж.............8 мВт

Тепловое сопротивление переход - среда..... 460° С/Вт

Температура окружающей среды ....... -60...

... --~70 С

в диапазоне температур +35... + 70°С максимально допустимое постоянное обратное напряжение определяется по формуле орр^макс обр.макс

X (Г-+70°С) +2 (/o r)[[; gp (Г = +35 С)- С^обр.Мако(=+ °С)].В,

Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса диода.

Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса. При пайке выводов необходимо обеспечивать температуру корпуса не свыше +70 °С.

6 S и 3 2 1 О WG 200

				Д2В
					ч	у
					/г	г
					У
	-еСс

икА 12

Вольт-амперные характеристики

Вольт-амперные характеристики

ео 40 20 О 04 0,8 %,е

Вольт-амперные характеристики

				*BOcJ
				+20cJ
	-BOC			А
		А

Вольт-амперные характеристики

Во.льт-ампер1!ые характеристики

тЛ т 60 40 О М Рпр.в

Вольт-амперные характеристики

0,5 0,4 0.3

о

5 W i5 20llgos,8

Зависимости общей емкости диода от напряжения

0,5 ОМ

о J о

ч

о

Зависимость общей Зависимость вре-емкости диода от менн обратного

напряжения

восстановления от тока

мдз

Диод германиевый, точечный. Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на упаковке.

Масса диода не более 0,035 г.

1 2 3 4 5 ... 52