|
| |
 |
Главная » Мануалы 1 ... 38 39 40 41 42 43 44 ... 52 Температурный коэффициент пробивного-Htf пряжения при /овр=1 мА: 2С514А, 2С514А1 . . . 2С514Б, 2С514Б1 . . . 2С514В, 2С514В1 . . . 2С602А, 2С602А1 . . . Постоянный обратный ток: при Г=+25°С: 2С514А прн 6обр=53 В . 2С514А1 при Соср=50,2 В 2С614Б при i;oep=58,l В 2С514Б1 при 1;обр=55,1 В 2С514В при г;обр=70,1 В 2С514В1 при i;o6p=66,4 В 2С602А при 1/обр=94 В . 2С602А1 при i;o6p=89,2 В . . . при 7=+125°С и Uc0v=53 В для 2С514А; t/o6p=50,2 В для 2С514А1; Уобр=58,1 В для 2С514Б; Собр=55,1 В для 2С514Б1; 1;обр = 70,1 В для 2С514В; 1/сбр=66,4 В для 2С514В1; Собр=94 В для 2С602А; Собр=89,2 В для 2С602А1, не более ......... Емкость диода: 2С514А ......... . 2С514А1 ........ 2С514Б......... 2С514Б1 ... ..... 2С514В......... 2С514В1 ........ 2С602А ......... 2С602А1........ Индуктивность диода...... Расчетное время пробоя, не более . 0,088*...0,090*.,. 0,104 %ГС 0.088*...0,089 ... 0,104 %ГС 0,092*...0,094*.., 0,105 %ГС 0,096*...0,097*... 0,107 %ГС 0.007*...О,012*...5 мкА 0,006*.. .0,011*...5 мкА 0,008*...0,015*...5 ыкА 0,007*...О,015*...5 мкА 0,008*...0,028*...Б мкА О,006*...О,026*...5 мкА 0,007*...О,030*...5 мкА 0,006*...0,030*...5 мкА 500 мкА 250*...258*. 247*...258*. 235*...238*. 231*...237*. 172*...174*. 168*... 174*. 123*...126*. 117*...125*. 15* нГн 1* ПС ..261* пФ ..265* пФ ..242* пФ ,.245* пФ ,. 175* пФ ..179* пФ .. 128* пФ ,. 134* пФ Предельные эксплуатационные данные Импульсный обратный ток' при импульсе в виде убывающей экспоненты с <и(с,5) = 1 мкс и QIO*: при 7<-}-35С: 2С514А 2С514А1 2С514Б 2С514Б1 2С514В 2С514В1 2С602А 2С602А1 при 7=-1-125С: 2С514А ........... 3,5 А 17,7 А 16,9 А 16,3 А 15,3 А 13,3 А 12,7 А 9,9 А 9,5 А 2С514А1........... 3,3 А 2С514Б........... 3,2А 2С514Б1........... ЗА SC514B........... 2,6 А -.. 2С514В1............. 2,5 А 2С602А| 2С602А1 ........ 1,9 А при Г^+ЗБХ и Р=-I.S-IO- Па: 2С514А 8,85 А 2С514А1 ........... 8.45 А 2С514Б........... 8,15 А 2С514Б1........... 7.65 А 2С514В........... 6,65 А . 2С514В1............ 6.35 А 2С602А............ 4,95 А 2С602А1........... 4,75 А при 7=+125°С и Р=1,3-10-Па: 2С514А.......... . 1,75 А . 2С514А1........... 1,65 А 2С514Б ........... 1,6 А 2С514Б1.......... . 1,5А 2С514В ........... 1,3 А 2С614В1........... 1.25 А 2С602А, 2С602А1........ 1,45 А Импульсный прямой ток при <и=10 мс по основанию полусинусоиды ........... 100 А Постоянная обратная рассеиваемая мощность: при Т'+ЗбХ.......... 1 Вт при 7= + 125°С......... 0,25 Вт Импульсная неповторяющаяся обратная рассеиваемая мощность при импульсе в виде, убывающей экспоненты с /и(о,5) = 1 мс, /ф<10 мкс и QIO*: при r<-f35C.......... 1.5 кВт при 7-=-Ы25°С.......... 300 Вт при Т-+ЗбХ и Р=1,3-10-* Па .... 750 Вт при 7-=--125°С и Р=1,3-10- Па .... 150 Вт Число импульсов с максимально допустимой импульсной не повторяющейся обратной рассеиваемой мощ- .. . иостью............. 500 Потенциал статического электричества .... 1 кВ Тепловое сопротивление переход - среда . . . 95*°С/мВт Температура окружающей среды...... -60. ..-f 125 С В интервале температур окружающей среды +35...+125 С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой мощности снижаются ли-иейно. Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса или расплющенной части трубки. Пайка выводов допускается не ближе 3 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать -Цгб'С. В схемах защиты от переходных процессов допускается использовать диоды при прямом токе, равном допустимому обратному току. Допускается последовательное и встречно-последовательное соединение диодов. Параллельное соединение разрешается при условиях, если ток каждого диода не превышает -допустимых значений, а разница между ними по пробивному напряжению не превышает 20 мВ. 2С801А, 2С802А, 2С802А1, 2С802Б, 2С802Б1 Диоды кремниевые, эпитаксиальные, ограничительные, несимметричные, большой мощности. Предназначены для защиты радиоэлектронной аппаратуры от перенапряжений, обусловленных переходными процессами, разрядами статического электричества или наведенных электромагнитными импульсами. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Корпус в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса диода не более 6 г. 2C80iA,2C802A,2Cea2A1,2C802B,2C8026f  Электрические параметры Пробивное напряжение: 2С801А при /обр=40 мА: 7=-}-25 С . . . 7-=-60 С . . . . . . 2С802А при /обр=70 мА: 7=-}-30°С . . . Г^-бО-С . . . Т=-}-125С . . . 29,7...33 ...36,3 В £6,9...36,3 Б 29,7...40,3 В 15,2...16*...16,8 В 14...16,8 В 15.2...18.2 В 2C802AI при /обр=70 мА: Г=+25°С ...... Г=-60С . ... . . ;Г=+125 С...... 2С802Б при /обр=30 мА: Г=+30С ...... Г^-бОХ ... . . . Г=+125С ...... 2С802Б1 при /обр=30 мА: Г=+25 С ...... Г=-60°С ...... Г=+125 ...... Импульсное обратное напряжение: при Г=+25 С: 2С801А при /обр.и = 104 А . . 2С802А при /обр, =222 А .. , 2С802А1 при /обр,1.=212 А . . 2С802Б при /обр.11=100 А . . 2С802Б1 при /обр.в=96 А . . при Г=+125°С, не более: 2С801А при /обр.и=21 А . . 2С802А при /обр,и=45 А . . 2С802А1 при /обр,и=42 Л . . 2С802Б при /обр.и=20 А . . 2С802Б1 при /обр,и-19 А Постоянное прямое напряжение: 2С801А при /пр=40 мА . . 2С802А, 2С802А1. 2С802Б. 2С802Б1 при /пр=50 мА . . Импульсное прямое напряжение при /пр=100 А, <и=10 мс по основанию полусинусоиды: 2С801А, не более .... 2С802А, 2С802А1 .... 2С802Б, 2С802Б1 .... Температурный коэффициент пробивного напряжения: 2С801А при /обр=40 мА . . 2С802А, 2С802А1 при / ер =70 мА....... 2С802Б. 2С802Б1 при /оер= -30 мА * а 14.4...16*...17,6 в 13.2...17,6 В 14,4...19.3 В 34,2...36*...37,8 В 31...37.8 В 34.2...41,5 В 32.4...36*...39.6 В 29.3...39,6 В 32.4.. .43.9 В 33*...37.2*...47 В 16,8 ...17.5*...21 В 15.7*...17.5*...23.5 В 37.6*...42*...46 В 36*...42*...52 В 47 В 21 В 23.5 В 46 В 52 В 0.7*...0.75*...0.8* В 0,7*...0.8*...!* В 2* В 1,5*...2*...3.5*8 1.7*...2.4*...3,5* В 0.075*.. .0.ОТ9*.. .0,098 %/°0 0,063*...0,071*...0.086 %Г0 0,079*...0,081 ...0,099 %т Постоянный обратный ток: при 7;:!=+25 С: . 2С801А при Uoep=26,8 В . 2С802А при (/о р=13,6 В . 2С802А1 при (/обр =12,9 В 2С802Б прн (Уобр=30,8 В . 2С802Б1 при (/о р=29,1 В . при 7=+Т25Х и (/обр =26,8 В для 2С801А; Uccp=-lSfi В для 2С802А; (/обр-12,9 В для 2С802А1; (/оор=30,8 В для 2С802Б; (/обр=29,1 В для 2С802Б1, не более . . . . Емкость диода: , 2С801А 2С802А, 2С802А1 . . . . 2С802Б, 2С802Б1 . . . . Индуктивность днода . . . Расчетное время пробоя, не более 0,017*...0,045*...5 мкА 0,018*...0,048*...5 мкА 0,018*...0,035*...5 мкА 0,015*...0,070* .5 мкА 0,020*...0,070*...5 ыкА 500 мкА 2300*... 2500*...2800* пФ 7200*.. .7400*v-. .7500* лФ 2290*... 23S0*.. .;2400*пФ 15* нГн . 1* ПС Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: 2С801А ........... 26,&В 2С802А , . , . , . , . ,. , . 13,6 В 2С802А1........... 12,9 В 2С802Б 30,8 В 2С802Б1 . . . . . . . . . . 29,1 В Импульсный обратный ток' при импульсе в виде убывающей экспоненты с <и (о .5) = 1 мс, /ф<10 мкс и при Г^+ЗбС с теплоотводом: 2С801А....... .... 104 А 2С8б2А . . . . . . . . . . . 222 А 2С802А1..... ; . . . . . 212 А 2С802Б ........... 100 А 2С802Б1.....,......96 А при Г<+35°С без теплоотвода или +125 °С с теплоотводом: - .- 2С801А........... 21 А 2С802А...........45 А 2С802А1 . . . . .....: . 42 А 2С802Б . . . . :...... . 2G.A, 2С802В1 . ;........ . 19 А при f =+125 °С без теплоотвода: 2С801А........... - 2C8b2A : . . . . 2С802А1........... . 2С802Б, 2С802Б1 ч: ,- . . ..... прн Р==1,3-10- Па и Г<35°е с теплоотводом;, if, V i2C801A : . V... . 7 . 6 А 4 А-.. 2С802А , . . . . . . . . . . IHA 2С802А1 ........... 106 А 2С802Б............ 50 А 2С802Б1 ........... 48 А при Р=1,3-10-* Па и Г^+ЗбХ без теплоотвода или+125 С с теплоотводом: 2С801А........... 10,5 А 2С802А ........... 22,5 А 2С802А1 . . . . .... . . . 21 А 2С802Б........... 10 А 2С802Б1........... У,5 А при Р=1,3-10-* Па и Г=+125°С без теплоотвода: 2С801А ,.......... ЗА 2С802А ........... 4,5 А 2С802А1........... 4 А 2С802Б, 2С802Б1 ......... 2 А Импульсный прямой ток при f =10MC по основанию полусинусоиды с теплоотводом ...... 100 А Постоянная обратная рассеиваемая мощность: при f<+35 °С с теплоотводом..... 10 Вт при Г<+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом......... . 2 Вт при Т=+125°С без теплоотвода ..... 0,4 Вт Импульсная неповторяющаяся обратная рассеиваемая мощность при импульсе в виде убывающей экспоненты с <и{о,б)?=1 мс, *ф<10 мкс и QW: при Г^+ЗБ °С с теплоотводом ..... 5 кВт при f<+35°C без теплоотвода илн +125 С с теплоотводом.......... 1 кВт при Г=+125°С без теплоотвода..... 200 Вт при Р=1,3-10-< Па и Г<+35°С с теплоотводом 2,5 кВт при Р=1,3-10- Па и Г<+35°С без теплоотвода или +125°С с теплоотводом ....... 500 Вт ; при P=l,3 10-Пa и Г=+125°С без теплоотвода ............. 100 Вт Число импульсов с максимально допустимой импульсной неповторяющейся обратной рассеиваемой мощ- ностью............ . 500 Потенциал статического электричества .... 1 кВ Тепловое сопротивление переход - среда . . . 50* °С/Вт Температура окружающей среды...... -60...+125 G в интервале температур окружающей среды +35...+125°С допустимые значения импульсного обратного тока и рассеиваемой Мощности снижаются линейно, Значения предельных эксплуатационных данных с применением теплоотвода приведены для случая /?т{п-с)=5С/Вт (радиатор в виде алюминиевой пластины толщиной 3 мм, квадратной формы со стороной 100 мм)...... при креплении диода к радиатору крутящий момент, ьлэдсйствую-щий на вывод анода, не должен превышать 1,76 Н-м. Запрещается прилагать к катодному выводу усилие более 4,9 Н. Температура корпуса при пайке катодного вывода не должна превышать + 125 С, минимальное расстояние места пайки от корпуса 6 мм. в схемах защиты от переходных процессов допускается использовать диоды при прямом токе, равном допустимому обратному току. Допускается последовательное и встречно-последовательное соединение диодов. Параллельное соединение разрешается при условиях, если ток каждого диода не превышает допустимых значений, а разница между ними по пробивному напряжению не превышает 50 мВ. шнс 10000 8000 6000 2000 о
5 10 15 го [/ ер,5 Зависимости емкости диода от напряжения 0.8 0,6 0,4 0,2 О
5 10 15 Пип-ф'Фг Зависимость максимальной рассеиваемой мощности от теплового сопротивления переход - среда  10- 10-* 10- 10- 10- 1ц,с 10 lOS lOf W3 10 10
О о,г 0,4 0,0 Зависимости максимальной импульсной рассеиваемой мощности от длительности импульса Зависимость максимального числа импульсов от импульсной рассеиваемой мощности ЧАСТЬ ТРЕТЬЯ, СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТИРИСТОРОВ In Раздел адс1эМой Тиристоры Д235А, Д23$Б, Д235В, Д23$Г Г Тиристоры кремниевые, диффузионно-сплавиые, структуры р-п-р-п, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве перек,чючающих элементов средней мощности. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип тиристора приводится на корпусе. . ..... Масса Тиристора не более 16 г. Д235(А-Г) - 0:21,5.  Катод Управляющий электрод . Электрические параметры Напряжение в открытом состоянии при /ос =2 А, 1у.от~ =50 мА, не более: при 7 =+25 С . . ........ v при 7 =-60 С........... Отпирающее импульсное напряжение управления при {/ад= = 10 б- и Т--60 С. не более....... . Постоянный TQK в закрытом состоянии при {/зо = {/ос,макс, ,не болре,:,.. .. при Г=+25 и -60*С . . , . . . ., при г=+10о°с, Тк+еас . . . ,. . . . 2 В 2.5 В 5 В .2 hjA ~ 3 мА In-- - Ностаяняый о#атиый ток пр (/вбр=1/овр мако, не более: при Г==?4-25 и ,-г601С.........2 мА при г=+100°С, 7- =+80°С . , . ... ; . ЗмА Отпирающий постоянный ток управления при (/зс=10 В, не при Г=+25°С...........30 мА при Г=-бОС ........... 50мА Отпирающий импульсный ток управления при t/ac=I0 В: при Г=-60°С, не более . . . . . . . . . 250 мА при Г=+100°С, не менее ........ 0.5 мА Время включения при (/зс=25 В, /ос=2 А, /у.от.и^ЮО мА, у,Ф=0.3 мкс, fy=50...100 Гц,/н = 15 мкс, не более . . 5 мкс Время выключения при /ос=2 А, fa=50 мкс, у=50...100 Гц, (/зс,н=25 В, dU3eldt=5 В/мкс, йё более ..... 35 мкс . Предельные эксплуатационные данные Обратноепостояннее напряжение управления . IB ..... Постоянное напряжение в.закрытом состодаи ; ... . при Г=+25 С: .i.. Д235А, Д235В....... . V Д235Б, Д235Г ......... ЮО В при Г=:-60 и +100°С: Д235А, Д235В.........40 В ; Д235Б. Д235Г ......... 80 В ПостЬянное обратное напряжение: при Г=+25С: : Д235В.......... . 50 В :- , Д235Г ........... too В j при Г=-60 и +100°С: ; Д235В.......... . 40 В . Д235Г . . . : . . . ... . . . 80 В Постоянный ток в открытом состоянии при 7к=-60... ...+70Х ............ 2А Импульсный ток в открытом состоянии: при/оо.ср<1 А и / <10 мс...... ЮА при одиночных импульсах длительностью до 50 мкс............ 60 А Постоянный ток управления при Гк=-60...+100°С 150 мА Импульсный ток управления при <и=50 мкс и. Гк= ... =-60...+100°С ........ . . , 350 мА ; / Средняя рассеиваемая мощность при ? =-60... . ...+70.G............ .4 Вт Температура окружаютей среды . , . . . -60 С*-jk == Примечание. ГТрн Г„=+7Й.:.100 С максимально дойустимые постоянный .ток в открытом состоянии и средняя рассеиваемая мощность онре)Йля1ОТСЯ по формулам: 27-971 . 7 20 /5
W 20 30 fs,or. W Зависимость отпирающего импульсного тока управления от длительности отпирающего импульса 800 600 т 200 О
10 20 30 1ц^т,Ш Зависимость отпирающего импульсного напряжения управления от длительности отпирающего импульса
-60 -20 20 60 100 1C Зависимость отпирающего импульсного тока управления от температуры 800 700 600 500
/1/1-1 ..I > ----------!-- 60 -20 20 60 тт;с Зависимость отпирающего импульсного напряжения управления от температуры Для повышения надежности тиристоров рекомендуется шунтировать цепи упрацления. резистором сопротивлением 51 Ом. При монтаже, запрещается прилагать к изолированным выводам тиристора усилия, превышающие 0,98 Н. 1 ... 38 39 40 41 42 43 44 ... 52 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||