+7(495)926-7456
+7(495)926-7456
Электронные компоненты  Мануалы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173

Электрические параметры

Постояннное прямое напряжение при /пр=75 мА, не более:

при Г=+25 и +70 "С.......1,2 В

при Г=-60°С.......... 1,3 В

Импульсное прямое напряженке при /ар,и=0,3 А и

iH=3 мкс, не более......... 2,3 В

Постоянный обратный ток t/o6p=20 В, не более:

при Г=-60 и +25 °С ....... 0,5 мкА

при Г=+70°С .......... 5 мкА

Время обратного восстановления при Lo6p=10 В, /обр,и=0,3 А и/оер = 1 мА, не более . . . . . 150 нс

Общая емкость при f/o6p=5 В и /=1 МГц, не более 10 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение..... 20 В

Импульсное обратное напряжение при <и<3 мкс и

Q>10 ............. SO В

Постоянный прямой ток {одного или всех диодов

матрицы) ............ 75 мА

Импульсный прямой ток при <и<3 мкс и /ар,ср<75 мА 0,35 А

Температура окружающей среды...... -60- • .+70 "С

70 60 50

30 20 10

2Дт(А,6) НД903(А,Б)

г/,г

2Д903(А,Б)

НД%ЫА,Б)

S

О 100 2003001щу,,А WVIO-IO-IO-Ч.С


Зависимости времени обратного восстановления от тока

Зависимость Допусти-.«ого импульсного прямого тока от длительности импульса

Зависимость общей емкости диода от напрян4ения

2Д904Е-1; КД904А.1, КД904Б -1,

-1, If И

Диодные матрицы, состоящие из одного {2Д904А-1, КД904А-1), двух {2Д904Б-1, КД904Б-1), трех (2Д904В-1, КД904В-1), четырех {2Д904Г-1, 2Д904Е-1, КД904Г-1, КД904Е-1) кремниевых планарных



диодов с общим анодом. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.

Масса матрицы не более 10 мг.


2р,тА-1 2дтв-г

ИД90ЧА-1 ИД90ЧБ-1

2Д90ШЛ- 2Д90иМ,Е-Г

нд9ош,д-1 идтг-1,в-1

А9 (,9KMQAQHififlt

2111.Ж

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр=0,01 мА, не менее:

при Г=+25°С.......... 0,45 В

при Т=-}-85°С.......... 0,31 В

Постоянное прямое напряжение при /пр = 1 мА, не

более:

при r=-f25°C .......... 0,8 В

при Г=-бОХ.......... 1,05 В

Разность прямых напряжений двух диодов из числа первых трех диодов при /пр=0,05...0,5 мА для

2Д904Д-1, 2Д904Е-1, КД904Д-1, КД904Е-1, не более 10 мВ Постоянный обратный ток при t/o6p=10 В, не более:

при Г=+25°С .......... 0,2 мкА

при r-fSSX .......... 1 мкА

Время обратного восстановления при {7обр,и=5 В,

/пр,и=5 мА и /обр=1 мА, не более..... 10 не

Общая емкость каждого диода прн t/o6p=0,I В и

f=1...10 МГц, не более........ 2 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение.....Ю В

импульсное обратное напряжение при ги<2 мкс и

Q>10 .............. 12 В

Средний выпрямленный ток (суммарный ток всех ди-

х1д0в матрицы)...........5 мА

импульсный прямой ток при <и<10 мкс и /пр,ср<

5 мА............. 100 мА

Температура окружающей среды -60. ..+85°С



Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 мм от защитного покрытия. Не допускается соприкосновение выводов с кристаллом и перегиб выводов на инструменте с острыми краями.

Пайка (сварка) выводов допускается не ближе 2 и-не далее 7 мм от защитного покрытия. Нагрев кристалла и защитного покрытия при пайке (сварке) не должен превышать +85 "С.

При включении матрицы в измерительную или испытательную схему, находящуюся под напряжением, общий вывод (анод) должен присоединяться первым и откл;очаться последним.

Защитное покрытие матриц изготовлено из эмали ЭП-91.

(ВО 80 БО W 20 О

2Дт(М-Е-1) H0904(A-i-F-i)

Зависимость заряда переключения от тока

Я Ч Б, 8 и.о5р,1

75 70 65 БО 55

2Д90Ч(А-1-Е4):

и nnniJ/i t с А

80 ЕО

iio го о

гД90Ч1А1-Е-1)

=5tifi

0 12 3 4 1пр,рА 10-= Ш-" 10Г t\,,c

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 [ 73 ] 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173