Главная
Приборы: усложнение радиоэлектронной аппаратуры
Полупроводниковые приборы
Операционные усилители
Измерительные цепи
Повышение энергетической эффективности
Операционные усилители
Электропривод роботов
Правила техники безопасности
Технология конструкции микросхем
Расчет конденсатора
Лазерная звукозапись
Деление частоты
Проектирование
Создание термоэлектродных сплавов
Радиопомехи
Вспомогательные номограммы
|
Главная » Мануалы 1 2 3 4 ... 59 полупроводниковые приборы Настоящее издание по перечисленным выше типам приборов отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. Б него включены как вновь разработанные, так и находящиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендованные к применению в новых разработках. Авторами, сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на группу однотипных приборов. Табличная форма представления справочных сведений себя не оправдала, так как в документах на поставку отдельных приборов одного класса всегда имеются технически обоснованные отступления от правил, определяющих систему параметров, пояснения и дополнения, которые невозможно разместить в общей таблице с приемлемым количеством граф. Пренебрежение этими уточнениями искажает информацию, делает ее неполной, что, в свою очередь, может привести к неправильному применению прибора в аппаратуре. Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов. Авторами сохранена также зарекомендовавшая себя структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения о технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, о режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов. В части Общие сведения приводятся классификация приборов и системы их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов. Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в цифроалфавитной последовательности. Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламаций. ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ, И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Раздел первый Класеификациза 1.1. Клаееификациза и система обозначений приборов Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 20 лет трижды претерпевала изменения. Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектропных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы: Г и I - для германия или его соединений; К и 2 - для кремния или его соединений; А или 3 - для соединений галлия (например, для арсенида галлия); И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия). Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс Лили группу) приборов. Для обозначения подклассов приборов ипользуется одна из следующих букв: Д - диодов выпрямительных и импульсных; Ц - выпрямительных столбов и блоков; В - варикапов; И - туннельных диодов; А - сверхвысокочастотных диодов; С - стабилитронов; Г - генераторов шума; л - излучающих оптоэлектронных приборов; 0 -оптопар; Н - диодных тиристоров; У - триодных тиристоров. Третий элемент обозначения - цифра, определяюш.ая основные функциональные возможности прибора. Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов. Диоды (подкласс Д): 1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А; 4 - для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 не; 5 - для импульсных диодов с временем восстановления более 150 НС, но ие свыше 500 не; 6 - для импульсных диодов с временем восстановления 30 .. 150 не; 7 - для импульсных диодов с временем восстановления 5...30 не; 8 - для импульсных диодов с временем восстановления 1...5 не; 9 - для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 не. Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц): 1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 2 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А; 3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А; 4 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А. Варикапы (подкласс В): 1 - для подстроечных варикапов; 2 - для умножительных варикапов. Туннельные диоды (подкласс И): 1 - для усилительных туннельных диодов; 2 - для генераторных туннельных диодов; 3 -для переключательных туннельных диодов; 4 - для обращенных диодов. Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А): 1 -для смесительных диодов; 2- для детекторных диодов; 3 - для усилительных диодов; 4 - для параметрических диодов; 5-для переключательных и ограничительных диодов; 6 - для умножительных и настроечных диодов; 7 - для генераторных диодов; 8 - для импульсных диодов. Стабилитроны (подкласс С): 1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации I0...100 В; 3 -для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 4 - для ст;абилитронов мощностью 0,3 ... 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; 5 - для стабилитронов мощностью 0,3... 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 ... 100 В; 6 - для стабилитронов мощностью 0,3-... 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В; 7 - для стабилитронов мош.ностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; . 8 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В; 9 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В. 1 енераторы шума (подкласс Г): 1-для низкочастотных генераторов шума; 2 - для высокочастотных генераторов шума. Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л): Источники инфракрасного излучения: 1 ~ для излучающих диодов; 2 - для излучающих модулей. Приборы визуального представления информации: 3 - для светоизлучающих диодов; 4 - для знаковых индикаторов; 5 - для знаковых табло; 6 - для шкал; 7 - для экранов. Оптопары (подкласс О): Р - для резисторных оптопар; Д-для диодных оптопар; У - для тиристорных оптопар; Т - для транзисторных оптопар. Диодные тиристоры (подкласс Н); 1-для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А; 2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А. Триодные тиристоры (подкласс У): Незапираемые тиристоры: 1 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 2 - для тиристоров с лгаксимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15... 100 А; 7 - для тиристоров с максимально допустимым гиаченисм среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А. Запираемые тиристоры: 3 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии ие более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более )5 А; 4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15... 100 А; 8 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока Б открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А. Симметричные тиристоры: 5-для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А; 6 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или с максимально^ допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15... 100 А; 9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А. Четвертый элемент ~ число, обозначаюш.ее порядковый номер разработки технологического типа. Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999. Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии. В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы. Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э). В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы: цифры 1-9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров; букву С для обозначения сборок-наборов в общем корпусе однотипных приборов, ие соединенных электрически или соединенных одноименными выводами; цифры, написанные через дефис для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов! 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя; 2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке); 3 -с жесткими выводами без кристаллодержателя (ПОД.ТОЖКИ); 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке); 5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов; 6 - с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов, буква Р - после последнего элемента обозначеиня для приборов с парным подбором, буква Г~с подбором в четверки, буква К- с подбором в шестерки. Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора. Примеры обозначений приборов: 2Д921А - кремниевый импульсный диод с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее не, номер разработки 21, группа А; ЗИ203Г - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер разработки 3, группа Г; АД103Б - арсенидогаллиевый излучаюш.ий диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б. Поскольку ОСТ 11 336.919-81 введен в действие в 1982 г., для ранее разработанных приборов использована иная система обозначений. Условные обозначения приборов, разработанных до 1964 г., состоят из двух или трех элементов. Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов. Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения: от 1 до 100 - для точечных германиевых диодов; от 101 до 200 - для точечных кремниевых диодов; от 201 до 300 - для плоскостных кремниевых диодов; от 301 до 400-для плоскостных германиевых диодов; от 401 до 500--для смесительных СЕЧ детекторов; от 501 до 600 - для умножительных диодов; от 601 до 700 - для видео детекторов; от 70! до 749 -для параметрических германиевых диодов; от 750 до 800 - для параметрических кремниевых диодов; от 801 до 900 - для стабилитронов; от 901 до 950 - для варикапов; от 951 до 1000 -для туннельных диодов; от I00I до 1100 - для выпрямительных столбов. Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов. Данная система обозначений содержала значительно меньше классификационных признаков. Для большинства приборов, включенных в настоящий справочник, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе мало отличается от системы обозначений по ОСТ 11 336.919-81, Наряду с приборами, условное обозначение которых соответствует описанным системам обозначений, в настоящем справочнике приведены сведения о некоторых типах диодов более ранних лет разработки, до сих пор находящих применение в аппаратуре и обозначаемых иными способами (смесительные диоды ДГ-С1, ДК-С7М, детекторные диоды ДК-В1, ДКВ-2, ДК-И1М и некоторые другие). 1.2. Условные графические обозначения в технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 (см. таблицу). Графические обозначения полупроводниковых приборов Наименование приборов Обозначение Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение Диод туннельный Диод обращенный Варикап Диод светоизлучающий Оптопары: диодная тиристорная транзисторная с однопереходным транзистором и. Условные обозначения электрических параметров Напряжение Us-напряжение впадины туннельного диода вх> вых-входное и выходное напряжения оптопары вых'вых-выходные напряжения низкого и высокого уровней Usis- напряжение изоляции оптопары из.пик- пиковое напряжение изоляции оптопары и.р-импульсное рабочее напряжение диода Ганна ком- коммутируемое напряжение оптопары обр.вх-обратное входное напряжение оптопары обр.в'ых-обратное выходное напряжение оптопары обр-постоянное обратное напряжение диода обр.и-импульсное обратное напряжение днода обр.макс-максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода toep.H.MaKC- максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода ост-выходное остаточное напряжение оптопары Оп- напряжение пика туннельного диода порг- постоянное пороговое напряжение диода Ганна пр- постоянное прямое напряжение диода пр,и - импульсное прямое напряжение диода пр,ср - среднее прямое напряжение диода проб-пробивное напряжение диода Up- постоянное рабочее напряжение диода Ганна Upp-напряжение раствора туннельного диода с,эф- эффективное значение напряжения сигнала t/ш- постоянное напряжение шумового диода вос-заряд восстановления диода Снк-накопленный заряд диода Ток /в-ток впадины туннельного диода /вкл-ток включения оптопары .выкл-ток выключения оптопары .вп.ср- средний выпрямительный ток диода вх-постоянный входной ток оптопары вх,и-импульсный входной ток оптопары вх.ср-средний входной ток оптопары /вх. /вх-входные токи низкого и высокого уровней /дых- выходной ток нагрузки, втекающий для приборов с цифровым выходом /рих- выходной ток нагрузки, вытекающий для приборов с цифровым выходом .и.пуск-импульсный пусковой ток ЛПД Лирг-импульсный рабочий ток диода Ганна Аьрлпд- импульсный рабочий ток ЛПД оБр- постоянный обратный ток диода .обр.и-импульсный обратный ток диода .обр.ср- средний обратный ток диода /п- пиковый ток туннельного диода /пр-постоянный прямой ток диода /пр.макс-максимально допустимый постоянный прямой ток диода /пор-пороговый ток диода Ганна /яр,и-импульсный прямой ток диода /пр,и,макс- максимально допустимый импульсный прямой ток диода /пр.ср- средний прямой ток диода /пр ср.макс-максимально допустимый средний прямой ток диода /рр-постоянный рабочий ток диода Ганна /пуск - постоянный пусковой ток ЛПД ,вых-ток утечки на выходе оптопары jpdt, l?dt - защитные показатели диода Мощность Р- мошлость излучения излучающего диода Рвых-непрерывная выходная мощность СВЧ диода /вых.и-импульсная выходная ыош.ность СВЧ диода Ра-импульсная мощность излучения излучаюш.его диода, импульсная рассеиваемая мощность диода Робр-обратная рассеиваемая мощность диода Рпп-падающая на диод СВЧ мощность Рпп,п- импульсная падающая на диод СВЧ мощность пр-прямая рассеиваемая мощность диода /рао-Р.ассеиваемая мощность СВЧ диода /рас,п-импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода /расор-средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода Рср-средняя рассеиваемая мощность диода Рз, Ps-мощность 3-й, 8-й гармоник Сопротивление, проводимость Riij-сопротивление изоляции - тепловое сопротивление т(п-с) - тепловое сопротивление переход-среда /?т(п к) - тепловое сопротивление переход-корпус вые-сопротивление ограничительного диода прн высоком значении СВЧ мощности вых-выходное сопротивление смесительного диода Гр-сопротивление диода Ганна / дин - динамическое сопротивление диода диф - дифференциальное сопротивление диода низ-сопротивление ограничительного диода при низком значении СВЧ мощности обр-обратное сопротивление потерь переключательного диода Гц- последовательное сопротивление потерь диода поел- сопротивление резистора, включенного последовательно с диодом пр-прямое сопротивление потерь переключательного диода / ш- шумовое сопротивление СВЧ диода W - волновое сопротивление - полное входное сопротивление свч диода Z.-переходное тепловое сопротивление т(п-с)-переходное тепловое сопротивление переход-среда т(п-к)- переходное тепловое сопротивление переход-корпус Емкость Сд-обш.ая емкость диода Qop - емкость корпуса диода Сдер - емкость перехода диода Время, частота, длина волны вос.обр-время обратного восстановления диода вос.пр- время прямого восстановления диода выкл- время выключения свч диода 4д-время задержки диода ?зп-время запаздывания обратного напряжения диода - длительность импульса *нр-время нарастания диода сп - время спада обратного тока диода <ф - длительность фронта импульса /гр-граничная частота шумового диода /кр - критическая частота переключательного диода fnpeH-предельная частота умножительного диода пред.в - предельная частота варианта ffl - предельная резистивная частота туннельного диода а/-диапазон частог шумового диода а /-полоса частот свч диода АЯт=макс-Я-макс (7 ) - изменение длины волны спектра излучения в максимуме спектральной плотности от температуры !макс(71 - длина волны излучения в максимуме спектральной плотности при данной температуре макс- длина волны излучения в максимуме спектральной плотности т-г-время тепловой релаксации свч диода Тэф-эффективное время жизии неравновесных носителей заряда диода Температура Т~ температура окружающей среды Гц - температура корпуса Т'накс -максимальная температура окружающей среды Тьшп- минимальная температура окружающей среды 7осн- температура кристаллодержателя Гд-температура перехода Спектрофотометрические параметры Iv - сила света излучаюш.его оптоэлектронного полупроводникового прибора /е- сила излучения излучающего оптоэлектронного прибора G - спектральная плотность мощности шумового диода L-яркость излучающего оптоэлектронного полупровод-. никового прибора 1 2 3 4 ... 59 войлок натуральный оптом |
|