Главная » Мануалы

1 2 3 4 ... 59

полупроводниковые приборы

Настоящее издание по перечисленным выше типам приборов отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. Б него включены как вновь разработанные, так и находящиеся в составе эксплуатируемой радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендованные к применению в новых разработках.

Авторами, сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на группу однотипных приборов. Табличная форма представления справочных сведений себя не оправдала, так как в документах на поставку отдельных приборов одного класса всегда имеются технически обоснованные отступления от правил, определяющих систему параметров, пояснения и дополнения, которые невозможно разместить в общей таблице с приемлемым количеством граф.

Пренебрежение этими уточнениями искажает информацию, делает ее неполной, что, в свою очередь, может привести к неправильному применению прибора в аппаратуре.

Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов. Авторами сохранена также зарекомендовавшая себя структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения о технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке (в том числе цветной), значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, о режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов.

В части Общие сведения приводятся классификация приборов и системы их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов.

Для удобства пользования справочником обозначения приборов расположены в цифроалфавитной последовательности.

Справочник не заменяет технических условий, утверждаемых в установленном порядке, и не является юридическим документом для предъявления рекламаций.



ЧАСТЬ ПЕРВАЯ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ,

И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ

Раздел первый Класеификациза

1.1. Клаееификациза и система обозначений приборов

Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов.

В соответствии с возникновением новых классификационных групп приборов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 20 лет трижды претерпевала изменения.

Система обозначений современных полупроводниковых диодов, тиристоров и оптоэлектропных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов.

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г и I - для германия или его соединений; К и 2 - для кремния или его соединений; А или 3 - для соединений галлия (например, для арсенида галлия);

И или 4 - для соединений индия (например, для фосфида индия).

Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс Лили группу) приборов.

Для обозначения подклассов приборов ипользуется одна из следующих букв:

Д - диодов выпрямительных и импульсных;

Ц - выпрямительных столбов и блоков;

В - варикапов;

И - туннельных диодов;

А - сверхвысокочастотных диодов;

С - стабилитронов;

Г - генераторов шума;



л - излучающих оптоэлектронных приборов;

0 -оптопар;

Н - диодных тиристоров; У - триодных тиристоров.

Третий элемент обозначения - цифра, определяюш.ая основные функциональные возможности прибора.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов.

Диоды (подкласс Д):

1 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 - для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А;

4 - для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 не;

5 - для импульсных диодов с временем восстановления более 150 НС, но ие свыше 500 не;

6 - для импульсных диодов с временем восстановления 30 .. 150 не;

7 - для импульсных диодов с временем восстановления 5...30 не;

8 - для импульсных диодов с временем восстановления 1...5 не;

9 - для импульсных диодов с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 не.

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 - для столбов с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А;

3 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

4 - для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 ... 10 А.

Варикапы (подкласс В):

1 - для подстроечных варикапов;

2 - для умножительных варикапов.

Туннельные диоды (подкласс И):

1 - для усилительных туннельных диодов;

2 - для генераторных туннельных диодов;

3 -для переключательных туннельных диодов;

4 - для обращенных диодов.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1 -для смесительных диодов; 2- для детекторных диодов;

3 - для усилительных диодов;

4 - для параметрических диодов;

5-для переключательных и ограничительных диодов;

6 - для умножительных и настроечных диодов;

7 - для генераторных диодов;

8 - для импульсных диодов.



Стабилитроны (подкласс С):

1 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

2 - для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации I0...100 В;

3 -для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

4 - для ст;абилитронов мощностью 0,3 ... 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

5 - для стабилитронов мощностью 0,3... 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10 ... 100 В;

6 - для стабилитронов мощностью 0,3-... 5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

7 - для стабилитронов мош.ностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В; .

8 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10... 100 В;

9 - для стабилитронов мощностью 5... 10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.

1 енераторы шума (подкласс Г):

1-для низкочастотных генераторов шума;

2 - для высокочастотных генераторов шума.

Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л): Источники инфракрасного излучения:

1 ~ для излучающих диодов;

2 - для излучающих модулей.

Приборы визуального представления информации:

3 - для светоизлучающих диодов;

4 - для знаковых индикаторов;

5 - для знаковых табло;

6 - для шкал;

7 - для экранов.

Оптопары (подкласс О): Р - для резисторных оптопар; Д-для диодных оптопар; У - для тиристорных оптопар; Т - для транзисторных оптопар.

Диодные тиристоры (подкласс Н);

1-для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;

2 - для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А.

Триодные тиристоры (подкласс У): Незапираемые тиристоры:

1 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

2 - для тиристоров с лгаксимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15... 100 А;



7 - для тиристоров с максимально допустимым гиаченисм среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Запираемые тиристоры:

3 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии ие более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более )5 А;

4 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15... 100 А;

8 -для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока Б открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Симметричные тиристоры:

5-для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

6 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3... 10 А или с максимально^ допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии 15... 100 А;

9 - для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.

Четвертый элемент ~ число, обозначаюш.ее порядковый номер разработки технологического типа.

Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999.

Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы. Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

цифры 1-9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

букву С для обозначения сборок-наборов в общем корпусе однотипных приборов, ие соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;

цифры, написанные через дефис для обозначений следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов!

1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 -с жесткими выводами без кристаллодержателя (ПОД.ТОЖКИ);

4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);



5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;

6 - с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов, буква Р - после последнего элемента обозначеиня для приборов с парным подбором, буква Г~с подбором в четверки, буква К- с подбором в шестерки.

Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора.

Примеры обозначений приборов:

2Д921А - кремниевый импульсный диод с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее не, номер разработки 21, группа А;

ЗИ203Г - арсенидогаллиевый туннельный генераторный диод, номер разработки 3, группа Г;

АД103Б - арсенидогаллиевый излучаюш.ий диод инфракрасного диапазона, номер разработки 3, группа Б.

Поскольку ОСТ 11 336.919-81 введен в действие в 1982 г., для ранее разработанных приборов использована иная система обозначений.

Условные обозначения приборов, разработанных до 1964 г., состоят из двух или трех элементов.

Первый элемент обозначения - буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.

Второй элемент обозначения - число (номер), которое указывает на область применения:

от 1 до 100 - для точечных германиевых диодов;

от 101 до 200 - для точечных кремниевых диодов;

от 201 до 300 - для плоскостных кремниевых диодов;

от 301 до 400-для плоскостных германиевых диодов;

от 401 до 500--для смесительных СЕЧ детекторов;

от 501 до 600 - для умножительных диодов;

от 601 до 700 - для видео детекторов;

от 70! до 749 -для параметрических германиевых диодов;

от 750 до 800 - для параметрических кремниевых диодов;

от 801 до 900 - для стабилитронов;

от 901 до 950 - для варикапов;

от 951 до 1000 -для туннельных диодов;

от I00I до 1100 - для выпрямительных столбов.

Третий элемент обозначения - буква, указывающая на разновидность групп однотипных приборов.

Данная система обозначений содержала значительно меньше классификационных признаков.

Для большинства приборов, включенных в настоящий справочник, использована система обозначений согласно ранее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе мало отличается от системы обозначений по ОСТ 11 336.919-81,

Наряду с приборами, условное обозначение которых соответствует описанным системам обозначений, в настоящем справочнике приведены сведения о некоторых типах диодов более ранних лет разработки, до сих пор находящих применение в аппаратуре и обозначаемых иными способами (смесительные диоды ДГ-С1, ДК-С7М, детекторные диоды ДК-В1, ДКВ-2, ДК-И1М и некоторые другие).



1.2. Условные графические обозначения

в технической документации и специальной литературе следует применять условные графические обозначения полупроводниковых приборов в соответствии с ГОСТ 2.730-73 (см. таблицу).

Графические обозначения полупроводниковых приборов

Наименование приборов

Обозначение

Диод выпрямительный. Столб выпрямительный. Общее обозначение

Диод туннельный Диод обращенный Варикап

Диод светоизлучающий

Оптопары: диодная

тиристорная транзисторная с однопереходным транзистором




и. Условные обозначения электрических параметров

Напряжение

Us-напряжение впадины туннельного диода вх> вых-входное и выходное напряжения оптопары вых'вых-выходные напряжения низкого и высокого уровней Usis- напряжение изоляции оптопары из.пик- пиковое напряжение изоляции оптопары и.р-импульсное рабочее напряжение диода Ганна ком- коммутируемое напряжение оптопары обр.вх-обратное входное напряжение оптопары обр.в'ых-обратное выходное напряжение оптопары обр-постоянное обратное напряжение диода обр.и-импульсное обратное напряжение днода обр.макс-максимально допустимое постоянное обратное напряжение диода

toep.H.MaKC- максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода ост-выходное остаточное напряжение оптопары

Оп- напряжение пика туннельного диода порг- постоянное пороговое напряжение диода Ганна

пр- постоянное прямое напряжение диода пр,и - импульсное прямое напряжение диода пр,ср - среднее прямое напряжение диода проб-пробивное напряжение диода

Up- постоянное рабочее напряжение диода Ганна Upp-напряжение раствора туннельного диода с,эф- эффективное значение напряжения сигнала

t/ш- постоянное напряжение шумового диода вос-заряд восстановления диода Снк-накопленный заряд диода

Ток

/в-ток впадины туннельного диода /вкл-ток включения оптопары .выкл-ток выключения оптопары

.вп.ср- средний выпрямительный ток диода вх-постоянный входной ток оптопары вх,и-импульсный входной ток оптопары вх.ср-средний входной ток оптопары /вх. /вх-входные токи низкого и высокого уровней

/дых- выходной ток нагрузки, втекающий для приборов

с цифровым выходом /рих- выходной ток нагрузки, вытекающий для приборов с цифровым выходом .и.пуск-импульсный пусковой ток ЛПД

Лирг-импульсный рабочий ток диода Ганна Аьрлпд- импульсный рабочий ток ЛПД оБр- постоянный обратный ток диода .обр.и-импульсный обратный ток диода .обр.ср- средний обратный ток диода



/п- пиковый ток туннельного диода /пр-постоянный прямой ток диода /пр.макс-максимально допустимый постоянный прямой ток диода

/пор-пороговый ток диода Ганна /яр,и-импульсный прямой ток диода /пр,и,макс- максимально допустимый импульсный прямой ток диода

/пр.ср- средний прямой ток диода /пр ср.макс-максимально допустимый средний прямой ток диода /рр-постоянный рабочий ток диода Ганна /пуск - постоянный пусковой ток ЛПД

,вых-ток утечки на выходе оптопары

jpdt, l?dt - защитные показатели диода

Мощность

Р- мошлость излучения излучающего диода Рвых-непрерывная выходная мощность СВЧ диода /вых.и-импульсная выходная ыош.ность СВЧ диода

Ра-импульсная мощность излучения излучаюш.его диода, импульсная рассеиваемая мощность диода Робр-обратная рассеиваемая мощность диода Рпп-падающая на диод СВЧ мощность Рпп,п- импульсная падающая на диод СВЧ мощность пр-прямая рассеиваемая мощность диода /рао-Р.ассеиваемая мощность СВЧ диода /рас,п-импульсная рассеиваемая мощность СВЧ диода /расор-средняя рассеиваемая мощность СВЧ диода Рср-средняя рассеиваемая мощность диода

Рз, Ps-мощность 3-й, 8-й гармоник

Сопротивление, проводимость

Riij-сопротивление изоляции - тепловое сопротивление т(п-с) - тепловое сопротивление переход-среда /?т(п к) - тепловое сопротивление переход-корпус

вые-сопротивление ограничительного диода прн высоком

значении СВЧ мощности вых-выходное сопротивление смесительного диода

Гр-сопротивление диода Ганна / дин - динамическое сопротивление диода диф - дифференциальное сопротивление диода низ-сопротивление ограничительного диода при низком

значении СВЧ мощности обр-обратное сопротивление потерь переключательного диода

Гц- последовательное сопротивление потерь диода поел- сопротивление резистора, включенного последовательно с диодом

пр-прямое сопротивление потерь переключательного диода

/ ш- шумовое сопротивление СВЧ диода W - волновое сопротивление



- полное входное сопротивление свч диода Z.-переходное тепловое сопротивление

т(п-с)-переходное тепловое сопротивление переход-среда т(п-к)- переходное тепловое сопротивление переход-корпус

Емкость

Сд-обш.ая емкость диода Qop - емкость корпуса диода Сдер - емкость перехода диода

Время, частота, длина волны

вос.обр-время обратного восстановления диода вос.пр- время прямого восстановления диода выкл- время выключения свч диода 4д-время задержки диода

?зп-время запаздывания обратного напряжения диода

- длительность импульса *нр-время нарастания диода

сп - время спада обратного тока диода <ф - длительность фронта импульса /гр-граничная частота шумового диода /кр - критическая частота переключательного диода fnpeH-предельная частота умножительного диода пред.в - предельная частота варианта

ffl - предельная резистивная частота туннельного диода а/-диапазон частог шумового диода а /-полоса частот свч диода АЯт=макс-Я-макс (7 ) - изменение длины волны спектра излучения в максимуме спектральной плотности от температуры !макс(71 - длина волны излучения в максимуме спектральной плотности при данной температуре макс- длина волны излучения в максимуме спектральной плотности

т-г-время тепловой релаксации свч диода Тэф-эффективное время жизии неравновесных носителей заряда диода

Температура

Т~ температура окружающей среды Гц - температура корпуса Т'накс -максимальная температура окружающей среды Тьшп- минимальная температура окружающей среды 7осн- температура кристаллодержателя Гд-температура перехода

Спектрофотометрические параметры

Iv - сила света излучаюш.его оптоэлектронного полупроводникового прибора

/е- сила излучения излучающего оптоэлектронного прибора

G - спектральная плотность мощности шумового диода L-яркость излучающего оптоэлектронного полупровод-. никового прибора



1 2 3 4 ... 59

Яндекс.Метрика