|
| |
 |
Электронные компоненты Мануалы 2Л524А-4, 2А$24Б-4 Диоды кремниевые, диффузионные, переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, на кристаллодержателе, с защитным покрытием, с жесткими выводами. Тип диода приводится на полиэтилен-целлофановой ленте. Маркируются: 2А524А-4 - одной красной точкой у положительного электрода; 2А524Б-4--двумя красными точками. Масса диода не более 0,15 г. Габаритный чертеж соответствует прибору 2А523 (А-4, Б-4). Электрические параметры Критическая частота: при Рвд,и=3 кВт, /„р=150 мА и {/обр=100 В, не менее........... 40* ГГц при Рвд=30 мВт, /„р=150 мА и t/o6p=30 В, не менее: при 7=-60...+25°С ....... 200 ГГц прн Г=-Ц25Х........160 ГГц Прямое сопротивление потерь при Рид=30 мВт и /пр= 150 мА, не более . .......0,5 Ом . Время обратного восстановления при /пр=150 мА, t/o6p=100 В и i?r=150 Ом, не более .... 1,5 мкс Постоянное обратное напряжение . , . i . 40...200 В Постоянный прямой ток ....... 300 мА i Рассеиваемая мощность: при Т„=-60...+25°С 20 Вт при Тд= + 125°С.........7 Вт Импульсная рассеиваемая мощность при ta- =300 мкс, Q>5 и Тд=+25°С......100 Вт Тепловое сопротивление переход - корпус, не более ...... . ...... 4,5 С/Вт Температура окружающей среды ..... -60°С...Тд= = -j-125 X Примечания: 1. Пайку выводов диодов рекомендуется проводить низкотемпературными припоями с температурой плавления не свыше +145 °С. Время пайки не более 1 мнн. Перед пайкой торцевую поверхность диодов следует зачистить скальпелем или бритвой до появления блестящей поверхности. Г убива погружения выводов в припой ие более 0,6 мм от торцевой поверхности диода. 2. Прн монтаже в в условиях эксплуатации сжимающее усилие на диод ие должно превышать 19,6 Н. 3. Допускается применять диоды при постоянных обратных напряжениях, меньших 40 В, при амплитуде напряжения СВЧ не более 20 В. Накопленный заряд при /пр=150 мА и Uodvr . = 100 В, не более......... 400 нКл Пробивное напряжение при /обр=100 мкА, не ме- . нее: 2А524А-4 ........... 400 В 2А524Б-4 ........... 300 В Общая емкость при t/o6p=100 В и f=10...30 МГц: 2А524А-4 0,7...1,2пФ 2А524Б-4........... 0,-5...0.8пФ Гпр,0« 0,2 0,1 2А5214М,Б-и) Т--Н25С  500 225 150 75
о W 801201Б0ивЁр,В О 0,1 0,2 0,31пр,А О 0JJ750,150,225Ipp,А Зависимость обратного сопротивления потерь от напряжения Зависимости пря- Зависимость на-мого сопротивле- копленного заряда нпя потерь от тока от тока Г-о6р,иОм  ГоЬр,нОн 7,5 6,0 и,5 3,0 1,5
0,В 1,6 Рпр.,и.1Вт О 0,6 1,6P„j<.hBt Га(р,нОи 10 8 Б 2А52И(А-%Б-4) Поьр-2аав   0,6 1,БР„.к8т Зависимости обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощности Зависимость обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощности - Зависимости обратного сопротивления потерь от импульсной падающей СВЧ мощнот ,. сти . 2,25 1,50 0.75 О
-во -20 20 ВО 100 тгс 1,50 1,25 1,00
-ВО -20 20 БО 1DD тГС Зависимости предельной импульсной падающей СВЧ мощности от температуры Зависимость предельной рассеиваемой мощности от температуры Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение . . • . . 30... 100 В Постоянный прямой ток ....... 500 мА Рассеиваемая мощность: при Г=-60...-f85°C.......-. 1,5Вт при Г=-}-125°С......... 1 Вт Импульсная падающая СВЧ мощность при t/o6p= = 100 В в параллельной схеме с W=50 Ом и Т- =-60...-Ь85 X.......... 3 кВт Температура окружающей среды..... -60...+125°С Примечания; 1. Пайку выводов диодов рекомендуется проводить низкотемпературными припоями с температурой плавления не свыше -Ц45°С. Время пайки не более I мин. Глубина погружения выводов в припой не более В,5 мм от торцевой поверхности диода. Я. Сжимающее усилие вдоль продольной оси диода не должно превышать 16,5 И. 2А526А-5 2A526A-S ВыШ1  Днод кремниевый, диффузионный, переключательный. Предназначен для применения в переключающих устройствах СВЧ диапазона герметизированной аппаратуры. Бескорпусной, с жесткими выводами. Тип диода приводится на вкладыше. Масса диода не более 0,004 г. 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 [ 109 ] 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||