|
| |
 |
Электронные компоненты Мануалы 1Д507А, ГД507А Диоды германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,21 г. 1Д50 7А, ГД507А, 1Д508А,ГД508(А,Б)
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при /„р=5 мА; 1Д507А при Т=+2Ь и -НТСС, ГД507А при 7-=-f25 и +60 °С.........0,5 В при /пр=5 мА: 1Д507А при 7"=-60°С, ГД507А при 7"= =-40.............0,7 В при /пр=20 мА и 7-=+25С........0,8 В Импульсное прямое напряжение при /пр,п==50 мА, не более: 1Д507А .............3,5 В ГД507А...............4 В Постоянный обратный ток при [/06?=20 В, не более: 1Д507А при Т=-60 и +25 °С, ГД507А при Т=-40 и +25 °С.............50 мкА 1Д507А при 7-=+70 "С, ГД507А при 7=+60=С . . 300 ыкА Время обратного восстановления при /пр.и = 1 мА, Собр,и= = 20 В, /„р=1 мЛ, не более.........0,1 мкс Общая емкость диода при [оСр=5 В, не более . . . 0,8 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение . 20 В Импульсное обратное напряжение при Q>4 и <5 мкс.............30 В Постоянный или средний прямой ток . . . . 16 мА Постоянный или средний прямой ток при снижении обратного напряжения до 12 В......35 мА Импульсный прямой ток: 1Д507А при <и<1 мкс........ 200 мА ГД507А при <и<10 мкс.......100 мА Температура окружающей среды: 1Д507А............-60...+70 Х ГД507А............-40...+60 °С Примечания: 1. Изгнб выводов допускается не ближе 3 мм от кор< пуса. Растягивающая выводы сила не должна превышать 14,7 Н. 2. Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +72 С. 0,2 0,15 0,10
О 5 10 15 20 ищ,В Зависимость общей емкости диода от напряжения 50 О hoc, НС 60 50
10 20 30 w Гпр,т Зависимость времени обратного восстановления от прямого тока
0,5 О
10-" 10- t„,c "fOJnpiiA Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока 1Д108А, ГД508А, ГД508Б Диоды германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,2 г. Габаритный чертеж соответствует приборам 1Д507А, ГД507А. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при /пр=1 мА и 7-=25°С для 1Д508А.....0,4 В при /пр=10 мА, 7"=+25 и +70 °С для 1Д508А, 7"=+25 и +55°С для ГД508А..........0,7 В прн /пр=10 мА, 7-=+25 н +55 °С для ГД508Б . . . 0,65 В прп /„..= 10 мА. Г=-бОХ-для 1Д508А, Т=-40°С для ГЛГ.ОЯА . . ..... 0,9 В 11)1, /„р=10 мА и Т=-40°С для ГД508Б- . - . . . 0,85 В lb; iv.boHoe прямое напряжение 1Д508А при /пр,и=30 мА, ГЛЯ08А. ГД508Б .при /„р.„=12 мА, не более , . . 1,5 В Постоянный обратный ток, не более: при 17обр=8 В: 1Д508А при Г-60 и +25"С, ГД508А при 7=-40 и +25 °С . . . ;......60 мкА при 17оСр=8 В, 7"=-40 и +25 °С для ГД508Б . . .100 мкА при С/обр=8 В: 1Д508А при 7-=+70°С, ГД508А при Т= = +55°С ...... ...... 150 мкА при (7обр=8 В и 7=+55°С для ГД508Б..... 250 мкА при г7обр=5 В и Т=+25°С для 1Д508А . . . .20* мкА Заряд переключения при /пр=10 мА и t/oCp.h=5 В, не более 20 пКл Обшая емкость диода при t/oop=0,5 В, не более . , . 0,75 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напря>кеиие . 8 В Импульсное обратное напряжение при <о<5 мкс и Q>4.............10 В Постоянный или средний прямой ток . , . , 10 мА Импульсный прямой ток при /и<10 мкс . ... 30 мА Температура окружающей среды: 1Д508А ..... v .... . .-60...+70 °С ГД.08А, ГД508Б ......... -40,..+55 С П р,» м е ч а в и я: 1 Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от кор-пугй Растягивающая выводы сила не должна превышать 14,7 Н. 2 Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Темперятура корпуса при пгйке не должна превышать- +70 "С. Qm,nHn 0,8 0,6 0,2 О
1 -Л 8 1пр,Ш Зависимость общей емкости. Зависимость заряда переклю- >i диода от напряжения.: чения от импульсного прямого •У тока . I 2Д509А, КД509А . у "V:" Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные,, импульсные, Предназна11ены для применения в импульсных устройствах, B.binjjc7. каются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 [ 19 ] 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||