Главная » Мануалы

1 2 3 4 5 ... 59

S- спектральная плотность напряжения шумового диода ДЛо 5- ширина спектра излучения (на уровне 0,5 максимального значения) - относительный разброс яркости или силы света опто-электронного прибора 88ц,65р-неравномерности спектральной плотности напряжения и мощности шумового диода - угол излучения излучающего оптоэлектрониого прибора

Добротность, потери

Q-добротность СВЧ диода Qb - добротность варикапа Lg - потери запирания СВЧ диода Ljjp -потери пропускания СВЧ диода /прб - потери преобразования смесительного диода

Коэффициенты -коэффициент перекрытия по емкости варикапа ctU-коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода

Ki - коэффициент передачи тока норм- нормированный коэффициент шума смесительного диода

aj,-температурный коэффициент емкости варикапа ag-температурный коэффициент добротности варикапа Рьых ~ температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

Щ-температурный коэффициент частоты СВЧ диода аЗц, a-Sp-температурные коэффициенты спектральной плотности напряжения и мощности шумового диода

1.4. Основные стандарты

ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и

определения

ОСТ 11 336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений

ГОСТ 2.790-73 Обозначения условные, графические в схе-

мах. Приборы полупроводниковые

ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные

размеры ГОСТ 23448-79 Пг

1риборы полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры ГОСТ 25529-82 Дноды полупроводниковые. Термины, опре-

деления и буквенные обозначения парамет-ров

ГОСТ 22274-80 Излучатели полупроводниковые. Термины,

определения и буквенные обозначения параметров



гост 24354-80

OCT 11 336.907.0-79 OCT 11 336.907.1-79 OCT 11 336.907.4-81 OCT 11.336.907.5-81

Приборы полупроводниковые визуального представления информации. Основные размеры

Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Руководство по применению Диоды импульсные. Руководство по применению

Варикапы. Руководство по применению

Методы измерения параметров импульсных диодов и варикапов

ОСТ 18986.0-74

ГОСТ 18986.1-73 ГОСТ 18986.2-73 ГОСТ 18986.3-73

ГОСТ 18986.4-73 ГОСТ 18986.5-73 ГОСТ 18986.6-73 ГОСТ 18986.7-73

ГОСТ 18986.8-73 ГОСТ 18986.9-73 ГОСТ 18986.] О-74 ГОСТ 18986.11-84

ГОСТ 18986.12-74

ГОСТ 18986.13-74

ГОСТ 18986.14-85

ГОСТ 18986.18-73

ГОСТ 18986.19-73 ГОСТ 18986.24-83

Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости

Диоды полупроводниковые. Метод изме-!)ения времени выключения Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности

Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь

Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода

Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений

Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости Варикапы. Метод измерения добротности Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения



Методы измерения параметров СВЧ диодов

ГОСТ 19656.0-74 ГОСТ 19656.1-74

ГОСТ 19656.2-74 ГОСТ 19656.3-74 ГОСТ 19656.4-74 ГОСТ 19656.5-74 ГОСТ 19656.6-74 ГОСТ 19656.7-74 ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75 ГОСТ 19656.12-76 ГОСТ 19656.13-76 ГОСТ 19656.15-84

Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения среднего выпрямительного тока

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума

Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току

Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения сопротивления потерь при низком значении СВЧ мощности Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения прямого и обратного сопротивлений потерь Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления

Дноды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения тангенциальной чувствительности

Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления

Методы измерения параметров излучающих диодов ГОСТ 19834.0-75 ГОСТ 19834.2-74

ГОСТ 19834.3-76

Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости

Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения



гост 19834.4-79 ГОСТ 19834.5-80

Излучатели полупроводниковые. Методы измерения мощности излучения Излучатели полупроводниковые. Метод измерения временных параметров импульса излучения

Методы измерения параметров оптоэлектропных интегральных микросхем и оптопар

ГОСТ 24613.0-81

ГОСТ 24613.1-81

ГОСТ 24613.2-81 ГОСТ 24613.3-81

ГОСТ 24613.4-81

ГОСТ 24613.5-81

ГОСТ 24613.6-81 ГОСТ 24613.7-83 ГОСТ 24613.8-83 ГОСТ 24613.9-83 ГОСТ 24613.10-77

ГОСТ 24613.11-77

ГОСТ 24613.12-77

ГОСТ 24.613.13-77 24

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения

Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения времени включения и выключения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки

Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции

Оптопары резисторные. Метод измерения светового и теплового выходного сопротивлений

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения критической скорости изменения напряжения изоляции Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров

Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения тока помехи и напряжения помехи низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения входного напряжения низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения выходного напряжения низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения выходного тока ко-



гост 24613.14-77

ГОСТ 24613.15-77

гост 24613.16-77

ГОСТ 24613.17-77

гост 24613.18-77 ГОСТ 24613.19-77

роткого замыкания переключателей логических сигналов

Микросхемы интегральные оптозлектрон-ные. Метод измерения токов потребления при низком и высоком уровнях выходного напряжения переключателей логических сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные. Методы измерения тока потребления переключения и длительности тока потребления переключения переключателей логических сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные. Метод измерения начального остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные. Метод измерения выходного дифференциального сопротивления коммутаторов аналоговых сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току

Методы измерения параметров знакосинтезирующих индикаторов

ГОСТ 25024.0-83 ГОСТ 25024.1-81 ГОСТ 25024.2-83

ГОСТ 25024.3-83 ГОСТ 25024.4-85

Индикаторы знакосинтезирующие. Общие требования при измерении параметров Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения времени готовности Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения времени реакции и времени релаксации

Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения тока и напряжения Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения яркости, силы света, неравномерности яркости и неравномерности силы света

Раздел второй

Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся в настоящем справочнике, являются приборами общего применения и могут использоваться в разнообразных условиях и режимах, характерных для различных классов радиоэлектронной аппаратуры.



Общие технические требования, регламентирующие условия применения и поставки приборов, предназначенных для аппаратуры определенного класса, содержатся в общих технических условиях (ОТУ) на эти приборы. Конкретные зиаче|П1я электрических параметров и специфические требования, характерные для данного типа приборов, изложены в частных технических условиях (ЧТУ), технических условиях (ТУ) и ГОСТ.

Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах может быть обеспечена лишь при условии учета на стадиях ее проектирования, изготовления и эксплуатации следующих особенностей приборов:

разброса параметров, их зависимости от режима и условий работы;

изменения параметров в течение времени наработки или хранения;

хорошего отвода теплоты от корпусов мощных приборов;

обеспечения запасов по электрическим, механическим и другим нагрузкам на приборы;

принятия мер, обеспечивающих отсутствие перегрузок приборов во время эксплуатации, монтажа и сборки аппаратуры.

Приведенные в справочнике значения параметров измерены в определенных режимах и условиях заводских классификационных испытаний приборов. Как правило, режимы классификационных испытаний являются предельно допустимыми для данной группы приборов.

Параметры приборов одного типа, не одинаковы, а находятся в некотором интервале. Этот интервал ограничивается минимальными и максимальными значениями, указанными в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение значений.

Большинство параметров полупроводниковых приборов изменяется в зависимости от режима работы и температуры, например потери преобразования и коэффициент шума СВЧ диодов зависят от уровня подводимой мощности, .значительно изменяется в диапазоне температуры обратный ток диодов.

Приведенные в справочнике вольт-амперные характеристики, зависимости параметров от режима и температуры являются усредненными для большого числа приборов данного типа. В некоторых случаях на рисунках штриховыми линиями показаны зоны возможных значений электрических параметров для всей совокупности приборов данного типа. В этих зонах сплошными линиями показаны типовые зависимости. Приведенные зависимости могут использоваться при выборе типа прибора для конкретной схемы применения и ориентировочного ее расчета. При расчетах схем следует учитывать разброс значений параметров приборов. Подбор приборов по значениям параметров может привести к затруднениям при ремонте аппаратуры.

Для некоторых параметров приборов даются два значения (минимальное и максимальное) или три значения (минимальное, типовое и максимальное), разделенные отточиями.

Звездочкой отмечены значения параметров, приведенные в ЧТУ, ТУ илн ГОСТ в разделах справочных данных. При производстве приборов они могут не контролироваться. В тех случаях, когда у предельно допустимых эксплуатационных данных не указан диапазон температур, эти данные гарантированы во всем диапазоне температур окружающей среды (корпуса) данного прибора.

Применение и эксплуатация приборов должны осуществляться



в соответствии с ТУ н стандартами-руководствами по применению. При конструировании радиоэлектронной аппаратуры необходимо обеспечить ее работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров приборов. Разброс параметров приборов и изменение их значений во времени при проектировании аппаратуры учитываются расчетными методами или экспериментально, например методом граничных испытаний.

Время, в течение которого полупроводниковые приборы могут работать в аппаратуре (срок службы), практически неограниченно. Тем не менее за время наработки и хранения могут происходить изменения параметров приборов. У отдельных экземпляров эти изменения оказываются столь значительными, что вызывают отказ аппаратуры.

Для определения надежности приборов используют такие показатели, как гамма-процентный ресур, гамма-процентная сохраняемость, минимальная наработка (гарантийная наработка), интенсивность отказов, определяемые при специальных испытаниях. Нормы иа эти показатели устанавливаются в ТУ на приборы

Для расчета надеасности радиоэлектронной аппаратуры следует использовать количественные показатели надежности, получаемые при обработке статистических данных различных заводских испытаний, а также при эксплуатации приборов в аппаратуре.

Экспериментально установлено, что интенсивность (вероятность) отказов приборов уменьшается при снижении рабочей температуры, напряжений на электродах и токов. Снижение рабочей температуры уменьшает отказы практически всех видов: короткие замыкания, обрывы и значительные изменения параметров. Снижение напряжения уменьшаем- отказы приборов с высоковольтными переходами. Снижение рабочего тока приводит главным образом к замедлению деградации контактных соединений и токоведущих дорожек металлизации на кристаллах.

Приближенная зависимость интенсивности отказов от нагрузок имеет вид

tMaKc. /макс) frr-] Р X

х^макс/ \макс /

,макс /J

\ п.макс I-

где Я,(7п.макс, f/макс, /макс) - интенсивность откэзов при максимальных нагрузках (может быть получена из результатов кратковременных испытаний в форсированных режимах); ВжбООО К; Г„ и Т'п.макс - в градусах Кельвина.

Для повышения надежности работы приборов в аппаратуре рекомендуется устанавливать напряжения и токи (мощность) на уровне 0,5 ... 0,8 предельных (максимальных) значений. Не допускается даже кратковременное (импульсное) повышение предельно допустимых электрических режимов при эксплуатации. Поэтому необходимо принимать меры по защите приборов от электрических перегрузок, возникающих при переходных процессах (при включении и выключении аппаратуры, изменении режима ее работы, подключении нагрузок, случайных изменениях напряжения источников питания). Режимы работы приборов должны контролироваться с учетом возможных неблагоприятных сочетаний условий эксплуа-



тацин аппаратуры (повышенная окружающая температура, пониженное атмосферное давление и др.)-

Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий (температуры, влаги, агрессивных химических сред и др.) служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода теплоты, а корпуса СВЧ диодов - также оптимальное соединение электродов приборов со схемой. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют ограничения по герметичности и коррозионной устойчивости, поэтому при эксплуатации приборов в условиях повышенной влал<ности рекомендуется покрывать их специальными лаками (например, типа УР-231, ЭП-730).

Обеспечение отвода теплоты от мощных полупроводниковых приборов является одной из главных задач при конструировании радиоэлектронной аппаратуры. Необходимо придерживаться принципа максимально возможного снижения температуры переходов и корпусов приборов. Для охлал<дения мощных диодов используются теплоотводящие радиаторы, работающие в условиях естественной конвекции или принудительного обдува, а также конструктивные элементы узлов и блоков аппаратуры, имеющие достаточную поверхность нли хороший теплоотвод. Если корпус прибора необходимо изолировать, то дчя уменьшения общего теплового сопротивления лучше изолировать радиатор от корпуса аппаратуры, чем диод от радиатора.

При сборке приборов с радиатором необходимо использовать специальные ключи с нормированным усилием крутящего момента, а для приборов таблеточной конструкции - устройства с нормированным сжимающим усилием. При этом следует учитывать, что превышение допустимых усилий создает дополнительные механические напряжения в кристалле и корпусе, что может привести к их разрушению. При недостаточном усилии увеличивается тепловое сопротивление корпус - охладитель, в результате возможен выход прибора из строя вследствие его перегрева. Для улучшения теплового контакта прибор - радиатор следует применять специальные теплопроводящие пасты, например КПТ-8.

В случае заливки плат с полупроводниковыми приборами компаундами, пенопластами, пенорезиной следует учитывать изменение теплового сопротивления между корпусом прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева приборов от расположенных вблизи элементов, обладающих большим тепловыделением. Температура при.заливке не должна превышать максимальной температуры корпуса прибора, указанной в ТУ. При заливке также не должны возникать механические нагрузки на выводы, нарушающие целостность стеклянных изоляторов или корпусов приборов.

В процессе подготовки и проведения монтажа полупроводниковых приборов в аппаратуру механические и климатические воздействия на них не должны превышать значений, указанных в ТУ. Рихтовка, формовка и обрезка участков выводов приборов должна производиться так, чтобы в выводах не возникали изгибающие или растягивающие усилия. Оснастка и приспособления для формовки должны быть заземлены. Расстояние от корпуса прибора до начала изгиба вывода, как правило, должно быть не менее 2 мм. Радиус изгиба при диаметре вывода до 0,5 мм должен быть не менее 0,5 мм, прп диаметре 0,6... 1 мм - не менее ] мм, яри диаметре свыше 1 мм - не менее 1,5 мм.



Паяльники, применяемые для пайки выводов приборов, должны быть низковольтными. Расстояние от корпуса или изолятора до места лужения или пайки должно быть не менее 3 мм. Для отвода теплоты участок вывода между корпусом и местом пайки зажимается пинцетом с губками из красной меди. Жало паяльника должно быть заземлено. Если температура припоя не превышает -1-260 С, а время пайки не более 3 с, то можно производить пайку без теп-лоотвода или групповым методом (волной, погружением в припой и др-)-

Очистка печатных плит от флюса производится жидкостями, которые не влияют на покрытие, маркировку или материал корпуса (например, спирте бензиновой смесью).

В процессе монтажа, транспортировки и хранения СВЧ диодов необходимо обеспечить их защиту от воздействия статического электричества. Для этого все измерительное, испытательное, монтажное оборудование и инструменты надежно заземляют; для снятия заряда с оператора применяют заземляющие браслеты или кольца, используют антистатическую одежду, обувь, покрытия столов рабочих мест.

Диоды СВЧ необходимо предохранять от воздействия внешних электрических наводок и электромагнитных полей. Не следует хранить или кратковременно оставлять СВЧ диоды без специальной экранирующей упаковки. Перед установкой СВЧ диодов в аппаратуру последняя должна быть заземлена. Входы и выходы СВЧ тракта в неработающем или хранящемся блоке аппаратуры с использованием СВЧ диодов должны быть перекрыты металлическими заглушками.

При эксплуатации аппаратуры должны быть приняты меры, предохраняющие СВЧ диоды от электрических СВЧ перегрузок, которые могут привести либо к необратимому ухудшению параметров, либо к полному отказу (выгоранию) диодов. Для защиты от СВЧ перегрузок в аппаратуре применяются резонансные разрядники, ферритовые ограничители, газоразрядные аттснгоаторы.

В настоящем разделе приведены наиболее обшие особенности использования полупроводниковых приборов в радиоэлектронной аппаратуре. Комплекс более конкретных указаний по применению для каждой из классификационных групп полупроводниковых приборов (импульсные и СВЧ диоды, варикапы, оптоэлектронные приборы и др.) приведен в стандартах - руководствах по применению (см. § 1.4).



ЧАСТЬ ВТОРАЯ СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ДИОДОВ

Раздел третий Диоды высокочастотные и импульсные

Диод германиевый, точечный, имнульсный. Предназначен для применения в импульсных устройствах. Выпускается в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,6 г.

Д18,Д20,Д2т,Д220, Д220(А,Б),Д31а,ДЩДШ, Д312,Д312А

О,63*...0,82*...! 1,2 В 1 В

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр= =20 мА:

при 7=+25°С......

при Г^:-60°С, не более при Г=--70°С, не более . Импульсное прямое напряжение при /пр,Е=

= 50 мА..........1,15*...1,5*...5В

Постоянный обратный ток при t/o6p = 20 В:

при 7-=+25 С.......

при 7=-60°С, не более ....

при 7=--70°С, не более . .

Время обратного восстановления при /пр,е=

= 50 мА и t/oep,H=IO В.....

Время прямого восстановления при 1/о6р,е= =3 В и /пр,и=50 мА, не более Общая емкость диода при i7o6p=3 В ,

В

2*...5,5*...50 мкА

50 мкА 150 мкА

47*...68*...100 НС

80 НС

0,1*...0,22*

.0,5 пФ



1 2 3 4 5 ... 59

Яндекс.Метрика