+7(495)926-7456
+7(495)926-7456
Электронные компоненты  Мануалы 

0 1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193

- полное входное сопротивление свч диода Z.-переходное тепловое сопротивление

т(п-с)-переходное тепловое сопротивление переход-среда т(п-к)- переходное тепловое сопротивление переход-корпус

Емкость

Сд-обш.ая емкость диода Qop - емкость корпуса диода Сдер - емкость перехода диода

Время, частота, длина волны

вос.обр-время обратного восстановления диода вос.пр- время прямого восстановления диода выкл- время выключения свч диода 4д-время задержки диода

?зп-время запаздывания обратного напряжения диода

- длительность импульса *нр-время нарастания диода

сп - время спада обратного тока диода <ф - длительность фронта импульса /гр-граничная частота шумового диода /кр - критическая частота переключательного диода fnpeH-предельная частота умножительного диода пред.в - предельная частота варианта

ffl - предельная резистивная частота туннельного диода а/-диапазон частог шумового диода а /-полоса частот свч диода АЯт=макс-Я-макс (7") - изменение длины волны спектра излучения в максимуме спектральной плотности от температуры !макс(71 - длина волны излучения в максимуме спектральной плотности при данной температуре макс- длина волны излучения в максимуме спектральной плотности

т-г-время тепловой релаксации свч диода Тэф-эффективное время жизии неравновесных носителей заряда диода

Температура

Т~ температура окружающей среды Гц - температура корпуса Тнакс -максимальная температура окружающей среды Тьшп- минимальная температура окружающей среды 7осн- температура кристаллодержателя Гд-температура перехода

Спектрофотометрические параметры

Iv - сила света излучаюш.его оптоэлектронного полупроводникового прибора

/е- сила излучения излучающего оптоэлектронного прибора

G - спектральная плотность мощности шумового диода L-яркость излучающего оптоэлектронного полупровод-. никового прибора



S- спектральная плотность напряжения шумового диода ДЛо 5- ширина спектра излучения (на уровне 0,5 максимального значения) - относительный разброс яркости или силы света опто-электронного прибора 88ц,65р-неравномерности спектральной плотности напряжения и мощности шумового диода «- угол излучения излучающего оптоэлектрониого прибора

Добротность, потери

Q-добротность СВЧ диода Qb - добротность варикапа Lg - потери запирания СВЧ диода Ljjp -потери пропускания СВЧ диода /прб - потери преобразования смесительного диода

Коэффициенты -коэффициент перекрытия по емкости варикапа ctU-коэффициент стоячей волны по напряжению СВЧ диода

Ki - коэффициент передачи тока норм- нормированный коэффициент шума смесительного диода

aj,-температурный коэффициент емкости варикапа ag-температурный коэффициент добротности варикапа Рьых"~ температурный коэффициент выходной мощности СВЧ диода

Щ-температурный коэффициент частоты СВЧ диода аЗц, a-Sp-температурные коэффициенты спектральной плотности напряжения и мощности шумового диода

1.4. Основные стандарты

ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и

определения

ОСТ 11 336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений

ГОСТ 2.790-73 Обозначения условные, графические в схе-

мах. Приборы полупроводниковые

ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные

размеры ГОСТ 23448-79 Пг

1риборы полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры ГОСТ 25529-82 Дноды полупроводниковые. Термины, опре-

деления и буквенные обозначения парамет-ров

ГОСТ 22274-80 Излучатели полупроводниковые. Термины,

определения и буквенные обозначения параметров



гост 24354-80

OCT 11 336.907.0-79 OCT 11 336.907.1-79 OCT 11 336.907.4-81 OCT 11.336.907.5-81

Приборы полупроводниковые визуального представления информации. Основные размеры

Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Руководство по применению Диоды импульсные. Руководство по применению

Варикапы. Руководство по применению

Методы измерения параметров импульсных диодов и варикапов

ОСТ 18986.0-74

ГОСТ 18986.1-73 ГОСТ 18986.2-73 ГОСТ 18986.3-73

ГОСТ 18986.4-73 ГОСТ 18986.5-73 ГОСТ 18986.6-73 ГОСТ 18986.7-73

ГОСТ 18986.8-73 ГОСТ 18986.9-73 ГОСТ 18986.] О-74 ГОСТ 18986.11-84

ГОСТ 18986.12-74

ГОСТ 18986.13-74

ГОСТ 18986.14-85

ГОСТ 18986.18-73

ГОСТ 18986.19-73 ГОСТ 18986.24-83

Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости

Диоды полупроводниковые. Метод изме-!)ения времени выключения Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения Диоды полупроводниковые. Методы измерения индуктивности

Диоды полупроводниковые. Методы измерения последовательного сопротивления потерь

Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода

Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений

Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента емкости Варикапы. Метод измерения добротности Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения



0 1 2 [ 3 ] 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193