+7(495)926-7456
+7(495)926-7456
Электронные компоненты  Мануалы 

0 1 2 3 [ 4 ] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193

Методы измерения параметров СВЧ диодов

ГОСТ 19656.0-74 ГОСТ 19656.1-74

ГОСТ 19656.2-74 ГОСТ 19656.3-74 ГОСТ 19656.4-74 ГОСТ 19656.5-74 ГОСТ 19656.6-74 ГОСТ 19656.7-74 ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75 ГОСТ 19656.12-76 ГОСТ 19656.13-76 ГОСТ 19656.15-84

Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения среднего выпрямительного тока

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения

Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума

Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току

Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения сопротивления потерь при низком значении СВЧ мощности Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения прямого и обратного сопротивлений потерь Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления

Дноды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения тангенциальной чувствительности

Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления

Методы измерения параметров излучающих диодов ГОСТ 19834.0-75 ГОСТ 19834.2-74

ГОСТ 19834.3-76

Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости

Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения



гост 19834.4-79 ГОСТ 19834.5-80

Излучатели полупроводниковые. Методы измерения мощности излучения Излучатели полупроводниковые. Метод измерения временных параметров импульса излучения

Методы измерения параметров оптоэлектропных интегральных микросхем и оптопар

ГОСТ 24613.0-81

ГОСТ 24613.1-81

ГОСТ 24613.2-81 ГОСТ 24613.3-81

ГОСТ 24613.4-81

ГОСТ 24613.5-81

ГОСТ 24613.6-81 ГОСТ 24613.7-83 ГОСТ 24613.8-83 ГОСТ 24613.9-83 ГОСТ 24613.10-77

ГОСТ 24613.11-77

ГОСТ 24613.12-77

ГОСТ 24.613.13-77 24

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения

Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения времени включения и выключения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки

Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции

Оптопары резисторные. Метод измерения светового и теплового выходного сопротивлений

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения критической скорости изменения напряжения изоляции Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров

Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения тока помехи и напряжения помехи низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения входного напряжения низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения выходного напряжения низкого и высокого уровней переключателей логических сигналов Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения выходного тока ко-



гост 24613.14-77

ГОСТ 24613.15-77

"гост 24613.16-77

ГОСТ 24613.17-77

гост 24613.18-77 ГОСТ 24613.19-77

роткого замыкания переключателей логических сигналов

Микросхемы интегральные оптозлектрон-ные. Метод измерения токов потребления при низком и высоком уровнях выходного напряжения переключателей логических сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные. Методы измерения тока потребления переключения и длительности тока потребления переключения переключателей логических сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные. Метод измерения начального остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные. Метод измерения выходного дифференциального сопротивления коммутаторов аналоговых сигналов

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные и оптопары. Методы измерения сопротивления изоляции

Микросхемы интегральные оптоэлектрон-ные и оптопары. Метод измерения коэффициента передачи по току

Методы измерения параметров знакосинтезирующих индикаторов

ГОСТ 25024.0-83 ГОСТ 25024.1-81 ГОСТ 25024.2-83

ГОСТ 25024.3-83 ГОСТ 25024.4-85

Индикаторы знакосинтезирующие. Общие требования при измерении параметров Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения времени готовности Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения времени реакции и времени релаксации

Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения тока и напряжения Индикаторы знакосинтезирующие. Методы измерения яркости, силы света, неравномерности яркости и неравномерности силы света

Раздел второй

Полупроводниковые приборы, сведения о которых приводятся в настоящем справочнике, являются приборами общего применения и могут использоваться в разнообразных условиях и режимах, характерных для различных классов радиоэлектронной аппаратуры.



0 1 2 3 [ 4 ] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193