|
| |
 |
Главная » Мануалы 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 59 1лр,и.ианс> 20 16 12 и
2 4 6 6 t ,MC Зависимости допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса 50 UD 30 20 10
О 200 400600 800 1ц,нс Зависимости допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса  О 10 20 30 40 501и,мс Зависимости допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса  О 20 40 60 80 Jn,MC Зависимости допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса 2Д412А ВИЧ-100-10Ь 2Д412Б (ВИЧ-100-8}, 2Д412В 1ВИЧ-10-6], НД412А, НД412Б, КД4128, КД412Г Диоды кремниевые, диффузионные, пмпульсные. Предназначены для применения в цепях регулируемых источников питания, инверторах, прерывателях и других импульсных устройствах на частоте до 20 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа и схема соединения электродов с выводом приводятся на корпусе. Масса диода не более 8 г. 2ДША (ВИЧ-ЮО-Ш), 2ДШБ(ВИЧ-Ш0-8), 2Д412в(вичш-е;, идш(а-г)  Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр=10 А, не более.............2 В Импульсное прямое напряжение при /пр,и = 100 А и и=50 мкс, не более .......3 В Постоянный обратный ток при [/обр=[/обр,макс, не более: при T=-f25C..........0,1 мА при Г= + 110С для 2Д412А, 2Д412В, 2Д412В . 2 мА Время обратного восстановления при t/o6p = 100 В и /пр= 1 А, не более: при Т<+25°С..........1,5 мкс при Г„= + 110°С для 2Д412А, 2Д412Б, 2Д412В . 2,8 мкс Предельные эксплуатационные данные Постоянное и импульсное обратное напряжения: 2Д412А, КД412А......... 1000 В 2Д412В, КД412Б 2Д412В, КД412В 800 В 600 В КД412Г............ 400 В = 25 А/мкс: Постоянный прямой ток при 7+85 С Импульсный прямой ток: прямоугольной формы при /и=15 мкс,-= f=l кГц . = 15 кГц ........... =20 кГц........ . . . полусинусоидальной формы при U = 15 мкс (по основанию), f=20 кГц с модуляцией по амплитуде сигналом полусинусоидальной формы /и=10 мс (по основанию), f=100 Гц........ Средняя рассеиваемая мощность при Т<+85°С Температура окружающей среды: КД412А, КД412Б. КД412В, КД412Г 10 А 100 А 35 А 20 А 50 А 35 Вт . . . -60°С... ...Г„=+80°С 2Д412А, 2Д412Б, 2Д412В ....... -60°С... ...Гк=+125°С Примечания: 1. Шероховатость поверхности теплоотвода не хуже 6. плоскопараллельность не хуже 0,02 мм. Отверстие в теплоотводе или шасси для крепления диода должно быть без фаскн диаметром не более 5,1 мм. 2. Пайка выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не выше +2Б0С, время пайки 4 с.  С * 8 12 16 20Г,нГа  О 0,и 0,8 1,2 1,6 Г,нГи. Зависимости допустимого импульсного прямого тока от частоты Зависимость. допустимого импульсного прямого тока от температуры корпуса Зависимости допустимого импульсного прямого тока от частоты пр,и,г1ансАпр,и,манс(г5°С) 1,0 0,8 о,и о 20 hO ВО 80 100 Тц,С 2Д413А, 2Д413Б, КД413А, КДШВ 2Д413{Л,Б),НДи13(А,Б) Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n. Предназначены для применения в качестве высокочастотных рези-стивных элементов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветным кодом у положительного вывода: 2Д413А -одной зеленой точкой; 2Д413Б - зеленой и красной точками; КД413А - одной белой точкой; КД413Б - белой и красной точками. Масса диода не более 0,035 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр=20 мА, не более............... приГ= + 25°С...........IB при Г=-60 С...........1,2В Дифференциальное сопротивление при /пр=2 мА на частоте 50 МГц: 2Д413А, КД413А..........30... 60 Ом 2Д413Б, КД413Б..........40... 80 Ом Заряд переключения при /пр=2 мА и i7oCD=10 В . . 2... 3,8* нКл Общая емкость диода при <7ьбр=0, не более . . . 0,7 пФ ДИф ,0Н и 100 в 6 f 10 8 6
2 Ч в 8 j 2 4 6 8 to
О 5 10 15 20 Inp,iiA Зависимость дифференциально- Зависимость заряда переклю- го сопротивления от прямого тока чения от прямого тока 0,3 0,2 0,1
10 О
О 5 10 15 UoSp,B / 2 ЦБВ10 2 4 Б81001,МГц Зависимость общей емкости Зависимость среднего выпрям-. диода от напряжения ленного тока от частоты Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение . 24 В Постоянный или средний прямой ток .... 20 мА Рассеиваемая мощность ......20 мВт Температура окружающей среды: 2Д413А, 2Д413Б.........-60... + 125 °С КД413А, КД413Б.........-60... 2Д416А, КДША, КД416Б Диоды кремниевые, диффузионные, универсальные. Предназначены для применения в формирователях импульсов с частотой до 500 Гц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 4 г.  Электрические параметры Импульсное прямое напряжение при /пр.и=15 А, /и=30... ...50 мкс и =5-50 Гц, не более.......3 В Постоянный обратный ток при <7оСр=£/обр,макс, не более: 2Д416А, КД416А........... 400 мА КД416Б.............. 200 м А Предельные эксплуатациоииые данные Постоянное обратное напряжение: 2Д416А, КД416А........... 400 В КД416Б.............. 200 В Средний прямой ток при 7<-f70G ......0,3 А Им-ульсный прямой ток при Г^ + ТСС, f <:.l мс, /ф>10мс и Q=50..............15 А Частота следования импульсов........ 500 Гц Температура окружающей среды: 2Д416А.............-60... +125 С КД416А, КД416Б...........-60... + 100 °G Примечания: 1. Изгиб вывода допускается не ближе 4 мм от корпуса. 2. Пайка вывода рекомендуется не ближе 4 мм от корпуса. Температура пайки не свыше +285 °С, время пайки 2...4 с.
20 40 60 80 100 Тк,°С Зависимость импульсного пря- Зависимость допустимого сред-мого напряжения от длнтель- него прямого тока от темпера- ности импульса туры корпуса 15 10
20 W БО 80 100 Т^.С Зависимость допустимого импульсного прямого тока от температуры корпуса
КД417А, Диод кремниевый, эпитак-сиальный. Предназначен для V.JikilA применения в качестве высокочастотного резистивиого элемента. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода обозначается белой точкой со стороны положительного вывода. Масса диода не более 0,035 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр=20 мА, не более 1 В Дифференциальное сопротивление при /пр = 2 мкА, не более 25 0м Общая емкость диода при t/o6p=0, не более . . . . 0,4 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение.....24 В Постоянный прямой ток........20 мА Средняя рассеиваемая мощность.....20 мВт Температура окружающей среды.....-40... +85 °С 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В Диоды кремниевые с барьером Шотки. Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится иа корпусе. Отрицательный вывод - со стороны кристалла. Масса диода не более 0,035 г. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при Г=+25 С: /пр=1 мА ......... . /пр=0,1 мА.......... при Г=-бСС и Апр=0,1 мА...... Постоянный обратный ток при f/o6p=15 В, не более Общая емкость диода при {7обр=0, ие более 0,4 В 0,15 В 0,5 В ЮмкА 1,5 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение: при7<+35°С: 2Д419А........... 15 В . 2Д419Б........... 30 В 2Д419В .......... 50 В при Г= + 125°С: 2Д419А........... J0 В 2Д419Б........... 24 В 2Д419В........... 40 В Постоянный выпрямленный ток...... 10 мА Температура окружающей среды..... -60... + 125°С I пр. МнА Ш 10 I
0,6 0,5 0,4 0,3
О 0,1 0,2 0,3Unp,B О 10 20 Uotp,B Зависимость прямого тока от прямого напряжения Зависимость общей емкости диода от обратного напряжения 2Д420А Диод кремниевый со структурой p-i-n, коммутационный. Предназначен для коммутация высокочастотных сигналов в диапазоне частот 30... 300 МГц. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода пе более 0,25 г. 2Д 420А
Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр=5 мА; не более: приГ=+25С ......... IB при Г=-60°С.......... . 1,4 В Дифференциальное сопротивление при /пр=10 мА и f= =50 МГц, не более ..... ..... I Ом Общая емкость диода при t/o6p=0 и /=1 МГц, не более . 1 пФ 0,5 О
Гру,ф,Ом
5 10 501 р,мА 10 100 Г, к Гц Зависимость дифференциаль- Зависимость дифференциального сопротивления от прямо- ного сопротивления от частоты го тока 3. 2 1 О
1 10 100 Г,МГц Зависимость дифференциального сопротивления от частоты 0,75 0,5 0,25 О
2 4 6 8 Uo6p,B Зависимость общей емкости диода от напряжения Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение ..... 24 В Импульсное обратное напряжение ..... 35 В . .-........ 50 мА Средний ток: при Г<+35°С при Г= + 125°С......... 25 мА Импульсный прямой ток /и<10 мкс и Q;>10: при 7<+35С . . . 500 мА при Г=+125°С ......... 250 мА Коммутируемая мощность: при 7<:+85Х......... 1,5 Вт при Г=+125С......... ГВт Рабочая частота.......... 30... 300 МГц Температура окружающей среды..... -60... (00 500 100 SO
Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса 10- и,с Диод кремниевый, точечный, универсальный. Предназначен для применения в схемах ШАРУ. Выпускается в стеклянном корпусе. Тип диода условно обозначается на корпусе продольной чертой красного цвета и тире у положительного вывода. Масса диода не более 0,15 г. 2Д422А
1 2 3 4 5 6 7 8 ... 59 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||