|
| |
 |
Главная » Мануалы 1 ... 54 55 56 57 58 59 Номинальный входной ток включения при [/пр.зкр.т=10 В; АОУ103А, АОУ103В 20 мА АОУЮЗБ.......,..... 50 мА Ток выключения, не более........ 10 мА Время включения, не более........ 15 мкс Время выключения, не более....... 100 .\жс Предельные эксплуатационные данные Входное напряжение........ 2 В Скорость изменения напряжения, прикладываемого к выходной цепи, ие более...... 5 В/мк; Входной ток 55 мА Постоянный прямой ток в выходной цепи:. .прн 3 =-60...+50Х........ IOOmA при Ч-ТСС . ........ 20 мА Ток помехи . ......... 0,5 мА Температура окружающей среды ..... -60.. .-f-TCC  11сткр,Б
ofi w t,2 i,u t,e 1,8 u B 1,2 0,8 0,4 -Б0 20 80 VC Зона возможных положений зависимости входного тока от входного напряжения Зона возможных положений зависимости напряжения в открытом состоянии от температуры
-т -20 20 60Т,Г
о 150 300450600 750 IxM Зона возможных положений зависимости времени включения от входного тока 15 12 9 6 tBbinn,MHC
-Ей -20 eot;c Зона возможных положений зависимости отпирающего тока управляющего электрода от температуры  Зона возможных положений зависимости времени выключения от выходного тока Раздел двенадцатый Оптоэлектроммые интегральные микро£кемь8 К249КН1Д, К249КН1Б, К249КН1В, К249НН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е И2ШН1(А'Е) у 1 25450 7 , Й1 1к 1211109 13,5 Микросхемы полупроводниковые оптоэлектронные, состоящие из оптопар и управляемых ими транзисторных прерывателей. Предназначены для использования в качестве оптоэлектропных коммутаторов (ОК) аналоговых электрических сигналов при необходимости гальванической развязки между цепями управления и сигнала. Выпускаются в металлическом корпусе. Масса прибора не более 2,5 г. < j Выход Вход < Выход
Электрические параметры Входное напряжение при /вх=20 мА, не более: при -Ь25°С ... - .....3,5 В при -f 70 °С: К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В ..... 3,5 В К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е..... 3,6 В при -60 С . . ......... 4 В Выходное остаточное напряжение при 7вх = 20 мА, не более: при -Ь25 °С........... . . 200 мкВ при -f 70 °С............ 350 мкВ при -60 С: K249KHIA, К249КН1Б, К249КН1В..... 700 мкВ К249КН1Г, К249КН1Д. K249KHIE..... 750 мкВ Ток утечки между эмиттером при /вх = 0 и икт, = 30 В, не более: при -+25 °С: К249КН1А, К249КН1Б, K249KHIB.....-50 нА К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е.....100 нА при -f70 и -60°С.......... 200 нА- Время задержки включения, не более.....10 мкс Время задержки выключения, не более.....10 мкс СопротиБ.ление выходное в открытом состоянии: К249КН1А, К249КН1Б, К249КН1В при /вх==20 мА и /ком = 0,5 мА, не более: при -+25°С........... 200 0м при +70 С...........300 Ом при -бО-С..........400 0м К249КН1Г, К249КН1Д, К249КН1Е при /ех=20мА а Л ком ~ 0,1 мА, не более: при +25 X ............ 200 0м при +70°С........... SCO Ом при -60°С........... 400 0м Сопротивление изоляции при t/ 3=100 В, не менее . . у' У' Проходная емкость, не более........ 5 пФ Коммутируемое напряжение Входное обратное напряжение Напряжение изоляции .... Коммутируемый ток при Г=+25°С Входной ток' при Г=-60...+35°С Входной импульсный ток при < =100 мкс Температура окружающей среды 30 В 3,5 В 100 В 500 мкА 30 мА 100 мА -60...+70 С В диапа.чоие те.мператур +35...+70С значение / макс ° Р^ ляется по формуле 
20 1вх, >1 J 2 1 С - -60 -20 20 бот;с Зависимость напряжения и сопротивления в открытом состоянии от входного тока Зависимость тока утечки между эмиттерами от температуры
О -дО -20 20 VC 1отр,шхгОм 100 50
О Ю 20 1ех,иА Зависимость времени включения и времени выключения от температуры. - Зона возможных положений зависимости выходного сопротивления в открытом состоянии от входного тока Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока
20 h,.MA К249КП11, К249КП2 Оптоэлектронные ключи, состоящие из излучающего диода на основе соеди?;ения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого фототранзистора. Предназначены для гальванической развязки узлов аппаратуры, между которыми передаются сигналы. Прибор К249КП1 состоит из двух транзисторных оптопар. В приборе К249КП2 работоспособность второй оптопары не гаран-TiipyeTCH или она отсутствует. У приборов К249КПГ вывод / с ключом; у приборов К249КП2 вывод / обозначается точкой; отсчет выводов - против часовой стрелки. Масса прибора не более 2 г. т9нт,н2тп2  D.iB о -off Электрические параметры Выходное остаточное напряжение при /вх=10 мА и /ком = 2 мА, не более . . ..... . . . 0,4 В Ток утечки на выходе при ?У„ом = 30 В, не более . . ЮО мкА КоэффйЩ5ент передачи тока при ?Уком=Ю В, /вх=Ю мА и i?H=l,2 кОм, не менее ... . Время задержки включения: при /?н=ШО Ом, {7,оы = Ш В и 7вх=Ю мА, не более при Rb=\ кОм, /кок=2 мА и /вх=Ю мА, не более 0,5 % время задержки выключения, не более: при /?н==100 Ом, Ukom~0 в и 1вх~ 10 мА . i * 4 мкс при /?н=1000 Ом, /ком-2 мА и /вх=10 мА . . i 25 мкс Сопрогивлекие изоляции при {7иа=100 В, не менее б-10 Ом Предельные эксплуатационные данные Коммутируемое напряжение па выходе Обратное напряжение на входе ... Напряжение изоляции...... Постоянный коммутируемый ток на выходе . Постоянный входной ток...... Импульсный входной ток: при < <10 мс и Q = 2 .......15 мА при < =0,1 мс и Q = 10.......10...20мА Рассеиваемая мощность транзистора .... 20 мВт Рассеиваемая мощность всем прибором ... 34 мВт Температура окружающей среды.....-45...+-55°С 30 В 2.5 В 100 В 5 мА 10 мА ,0.8 0.4
lliM(wma) 1,5 1,2 0,9 0,6
о 40 В0Иъз.иОн О 3 6 9 12 ISIbx.mA Зона возможных положении зависимости времени задержки включения от сопротивления база-эмиттер Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока от входного тока 1,0 0,8 0,6 0.4 0,2 О
-60 -20  0,9 1.0 1,1 1,2 1,3 1,4 Us Зона возможных положений зависимости коэффициента передачи тока от сопротивления база-эмиттер
О 20 кО 60 ВО 100 Нъэ,кОп 249ЛтА, 249ЛП11Б, 24§ЛтВ Коммутаторы логических сигналов, оптоэлектронные, состоящие из арсенидогаллиевого излучателя, кремниевого фотодиода и интегрального усилителя, обеспечивающего на выходе цифровые уровни напряжения для совместной работы с ТТЛ-микросхемами. Предназначены для передачи цифровых сигналов между узлами аппаратуры при необходимости обеспечения между ними гальванической развязки. Масса прибора не более 0,4 г. 2Шт{А-В) ш IX---Ч.1 1 lh1 KJ I JVTS  Питание 37-63 577.  Электрические параметры Наприжсиие питания ........ 5 В+10 % Входное напряжение при /вх= Ю мА: при Г = +25°С......... 1,1...1,В при Г =+70°С......... 1...1,5В при 7=-60°С......... 1,1...1,93 Выходное напряжение низкого уровня прн /ех= = 10 мА и / = 1.8 мА (втекающем), не более - 0,3 В Выходное напряжение высокого уровня при /вх= = 1 мА и / =0,12 мА (вытекающем), не более . 2,3 В Время задержки включения при /вх=10 мА, не более: 249ЛП1А: при Г = +25°С......... 500 нс при 7=-60 и +70 °С....... 900 нс 249ЛП1Б: при Г = +25 С......... 300 нс при Г=-60 и +70 °С....... 600 нс 249ЛПШ: при 7=+25°С......... 1000 нс при Г=-60°С......... 1500 НС при Г=+70С......... 1200 НС Время задержки выключения при /вх=10 мА, ие более: 249ЛП1Л: при Г=+25 и -60°С....... 900 нс при 7=+70 °С ....... 500 нс 249ЛП1Б: при Г =+25 и -60 С....... 600 нс при 7=+70°С . . , , , . . . . 300 нс 249ЛП1В: при Г=+25С......... 1200 НС при 7=-вес . ,....... 1300 НС прн Г=+70°С......... 1000 НС Сопротивление изоляции при С/нз=100 В, не менее ............. 10 Ом Проходная емкость, не более ....... 2 пФ 0,5 О
15 lex-tA WOO 800 БОО Ш 200 О
15 Isx A Зона возможных положений зависимости входного напряжения от входного тока Зависимости времени задержки включения от входного тока 1000 Ш 200 О
10 15 lxM
0 1 2 3 4 5 1вх,мА Зависимости времени задержки выключения от входного тока Напряжение изоляции i ...... . ЮО В Обратное входное напряжение...... 3,5 В Входной ток . . ...... 20 мА Входной импульсный ток при /и=10 мкс . . . ЮО мА Минимальный входной ток: 249ЛП1А........... 5 мА 249ЛП1В, 249ЛП1В ....... 8 мА Выходной вытекающий гок...... 1,5 мА Выходной втекающий ток . . . . . . . 1,8 мА Потребляемая мощность, не более .... 5 мВт Температура окружающей среды ..... -60...+70°G
Зависимости выходного напряжения от входного тока 6 Igx,tiA 29$АГ1А. IfSAfli. 295АГ1В, 295АГ1Г, 295АГ1Д 1льные, oHTOSj JHCTOp и одног 295/irffA-A) Микросхемы интегральные, оптоэлектронные, содержащие ти-ристорную оптопару, тиристор и однопереходной транзистор. Пред- 1 г 3 4 5 6 7 О о ф-ф-ф-ф-(И^ 13 12 11 10 9 ~J2,5--15 13,3  02 63 Об 04 1 ... 54 55 56 57 58 59 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||