Главная
Приборы: усложнение радиоэлектронной аппаратуры
Полупроводниковые приборы
Операционные усилители
Измерительные цепи
Повышение энергетической эффективности
Операционные усилители
Электропривод роботов
Правила техники безопасности
Технология конструкции микросхем
Расчет конденсатора
Лазерная звукозапись
Деление частоты
Проектирование
Создание термоэлектродных сплавов
Радиопомехи
Вспомогательные номограммы
|
Главная » Мануалы 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 ... 59 . Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при /пр=0,5 мА, ие более: при 7-=+25...+100 °С ... при 7-=-60 С........... Постоянный обратный ток при t/o6p=l В, не более: при 7-=-60...+25С......... при 7-=+100С.......... Общая емкость диода при t/o6p=0, не более 0,35 В 0,5 В 50мкА 150 мкА 0,6 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение.....1,5 В Постоянный обратный ток......, 5 м. Температура окружающей среды . . . . . -60... + 100 00 Примечание. Пайка выводов допускается с теплоотводом при температуре не свыше +170 С в течение 15 с.
О 0,1 0,2 0,3 0,4 [/пр. 6 f/ofip.B -2 Ч
20 40 50 Зависимости прямого тока от напряжения Зависимости обратного тока от напряжения 2Д502А, 2Д502Б, 2Д502В, 2Д502Г Диоды кремниевые, сплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах в микромодульном исполнении. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с ленточными выводами. Тип диода приводится на корпусе. Катодом служит приваренный вывод. Масса диода не более 0,05 г. 2Д502{А-Г) BbiSodl , i!iS,35 Электрические параметры Постоянное прямое напряжение 2Д502А, 2Д502В при /пр= = 10 мА и 2Д502Б, 2Д502Г при /пр=50 мА, не более: при 7-=+25 и+85 С . . ..... IB при 7-=-60°С........... 1,2 В Импульсное прямое напряжение при /пр,и=50 мА, не более: 2Д502А, 2Д502В..... ....3,5В 2Д502Б, 2Д502Г.......... 2,5 В Постоянный обратный ток при [обр= обр.макс, не более: при 7 =-60...+25°С ........ 5мкА при7-=+85°С ........... 25мкА Время обратного восстановления при {7овр=30 В и /пр= =30 мА, не более ...... 0,5 мкс Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение: 2Д502А, 2Д502Б..... . . ЗОВ 2Д502В, 2Д502Г........ 100 В Средний прямой ток: при Г = -60...+25°С ........ 20 мА при 7 =+85°С . ... . . 10 мА Импульсный прямой ток при.и<10 мкс . . 300 мА Температура окружающей среды . . -60...+85°С Примечания: 1. В интервале температур окружающей среды +25... +85 °С допустимое значение прямого тока снижается линейно. 2. Изгиб выводов не допускается. 3. Пайка выводов рекомендуется не ближе 1 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должка превышать +80 С. После монтажа на ынкро-плату диоды заливаются эмалью ЭП-274Т. 2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М, 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М Диоды кремниевые, сплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах в заливных и капсулированных микромодулях. Выпускаются напаянными на керамическую плату с распайкой к пазам 1-6, 1-4 илн 2-5. Тип диода приводится на микропла-те. Анод соединяется с пазом 1 или 2. Масса диода с микроплатой не более 0,4 г. 12 3 Электрические параметры Постоянное прямое напряжение 2ДМ502А-М, 2ДМ502В-М при /пр=10мА И-2ДМ502Б-М, 2ДМ502Г-М при /пр=50мА, не более: при 7-=-1-25 и -f85°C......... IB при 7 =-60 °С............ 1,2 В Импульсное прямое напряжение при /пр,и=50 ик, не бол-ее: 2ДМ502А-М, 2ДМ502В-М ....... 3,5 В 2ДМ502Б-М, 2ДМ502Г-М......... 2,5 В Постоянный обратный ток при t/oOp=t/oCp,MaKc: при 7=-60...Ч-25ОС.......... 5 МКА при 7=+85°С ........... 25мкА Время обратного восстановления при t/o6p=30 В и /пр= =30 мА, не более........... 0,5 мкс Предельные эксплуатационные данные Обратное напряжение: 2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М.......ЗОВ 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М.......100 В Средний прямой ток: при Т=-60...-f 25 °С . . . . . . . , 20 мА при 7-=-f85°C..........10 мА Импульсный прямой ток при и<10 мрс . . . 300 мА Температура окружающей среды . , . . . -60... -f85°C Примечания: 1. В интервале температур окружающей среды +25... +85 С допустимое значение пряного тока снижается линейно. 2. Температура пайки пазов микроплаты не должна превышать +240 С, длительность пайки не более 1 с. 2Д503А, 2Д5С$ЗВ, НД503А, КД503Б Диоды кремниевые, эпитаксиальные, импульсные. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,3 г. Электрические параметры : Постоянное прямое напряжение при /ор= = 10 мА: 2Д503А, КД503А при 7=+25°С . . 0,72*...0,8*... 1 В 2Д503Б, КД503Б при 7=+25С . . 0,7*...0,85*... 1,2 В при 7=-60 и+125°С: : 2Д503Б.........1,4 В - 2Д503Б.........1,6 В КД503А при Т=-40 и +125°С, не более 1,4 В = * КД503Б при 7-=-40 и+125°С, не более 1,6 В ; Импульсное прямое напряжение - при - /ир и=50 мА: 2Д503А, КД503А 2Д503Б, КД503Б 1,53*...1,75*...2,5 В 1.1*...1,8*...3,5В Постоянный обратный ток при foCp=30 В, не более: 2Д503А, 2Д503Б при Г =-60...+25 С 2Д503А, 2Д503Б при 7-= + 125°С . КД503А, КД503Б при 7-=-40...+25°С КД503А, КД503Б при 7-=+125°С . . Заряд переключения при /пр=10 мА и 1/оСр.и=10 В для 2Д503А, 2Д503Б . . Время обратного восстановления при /пр,и= = 10 мА, г7оср,я=10 В, / р=2 мА, не более ...........10* НС Общая емкость диода при 1/оСр=0: 2Д503А, КД503А...... 2Д503Б, КД503Б......1,22*..;1,4*...2,5пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное илн импульсное обратное напряжение 30 В Постоянный или средний прямой ток: 2Д503А, 2Д503Б при Г=-60...-f35 °С, КД503А, КД503Б при 7=-40:..35°С ..... . .. ....SOmA КД503А, КД503Б при 7-=Ч-125-С - . .: --ISmA 2Д503А, 2Д503Б при r=-f 125 °С . v. . , Ю мА 4 мкА 50 мкА 4мкА 50 мкА 25*...30*...120 пКл 1,45*..,1,5*...5 пФ Импульсный прямой ток при < <10 мкс и Q>10: 2Д503А, 2Д503Б при Г=-60...35 °С, КД503А, КД503Б при Г -40...35°С . , . КД503А, КД503Б при 7= + 125°С . . . 2Д503А, 2Д503Б при 7-= + 125.С . . . . Потенциал статического электричества: 2Д503А, 2Д503Б . . . КД503А, КД503Б..... Температура окружающей среды: КД503А, КД503Б..... КД503А, КД503Б .... 200 мА 150 мА , 100 мА 150 В , 100 В -60...+125°С -40...-f 125°С Примечания: I. В интервале температуры окружающей среды +35... + 125°С допустимые значения прямых токов снижаются линейно. г. В режиме однонолупериодного выпрнмлеиия при У^дф ! В. Rp= =75 Ом, ЛнЮ или 100 кОм, Сд=1000 пФ на частоте 350 МГц диоды обеспечивают снижение выпрямленного тока не ниже уровня 0,7 от его значения на низкой частоте. 3. Изгиб выводов допускается не б.чиже 3 мы от корпуса. Растягивающая выводы сила не должна превышать 14.7 Н. 4. Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125 С. 2,6 2,2 1,8 1,к 1,0 0,6
20 40 60 80100 1пр,у,.мА Зависимости прямого импульсного напряжения от импульсного прямого тока
Б 810 20 WIp,MA 1.00 0,75 0,50 0,25
О 10 20 30 Ub6p,B Зависимость общей емкости диода от напряжения пр,и,пйкс 200 150 100 50 О
lo-t.c Зависимость времени обратного восстановления от прямого тока Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса 2=63 2Д504Л, КД504Л Диоды кремниевые, сплавные, импульсные. Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов. Выпускаюгся в мег таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и, схема соединения электродов с выводайи приводятся на корпусе. . . . , Alacca диода не более 0,7 г. 3 с Электрические параметры Постоянное прямое напряжение при lap- = 100 мА: - 2Д504А. КД504А при 7=+25 °С . . 0,78*.. .0,904*... 1 2 в 2Д504А при 7-=125°С, КД504А при Г . = 100°С, не более......1,2 В 2Д504А при Т=-60°С, КД504А при Г= t ==-55 °С, не более......1.4 В Импульсное прямое напряжение при /np.a= =500 мА, не более.......2 В Постоянный обратный ток при t/o6p=40 В, , не более: 2Д504А при Г=-60 и 25 °С. 2Д504А при Т = -55 и +25 °С......2 мкА 2Д504А при 7-= + 125°С, КД504А при 7 - +100 С........100 мкА Заряд переключения при /np=300 мА и [оср,и = 30 В: 2Д504А.........2*...11,О*...15 пКл КД504А, не более..... , 10 пКл Общая емкость диода при t/oCp=5 В, не более ...........20 пФ . Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напряжение..... 40 В Постоянный прямой ток: 2Д504А при 7-=-60-f 35 °С ...... 300 мА 2Д504А при Т= + 125С ..... ЮО мА КД504А при r<-f 25 С ....... 240 мА КД504А при 7= + 100°С..... 80 мА Средний прямой ток КД504А при и=10 мкс и /пр.и=2 А; при Г<:+25 С . . . . . . . . . . 160 мА при r=-f 100°С........-. 80 мА- 1.5 А lA:... . lA Имп>л|,спый прямой ток'2Д504А при /ср=300 мА, 7-= + 25°Си /ср=100 мА, 7-=4-125°С: при /ц = )0 МКС 1 .. ... . . . .; при <n>iQ мкс ,. .., ... Импульсный прямой ток 2Д504А прн: /ср=160 мА, Г=+25Т и /сг=80 мА, 7-=+125Х , .. . ;.. . Аварийная перегрузка КД504А при однократном импульсе тока длительностью 0,5 с . , . . , , Тсыг;сратура окружающей среды; 2Я504А.............. --60... + 125 °С ........ . i . -55... ; +10о°с ПримечэЕия:! В интервале температур среды +35;..+125°С (+25... + 100 С для КД504А) допустимые значения прямых токов снижаются линейно. 2. Изгиб выводов допускается не ближе 3 .мм от корпуса. Растягивающая сила ие должна превышать 19.6 Н для вывоаа диаметром 0,8 и 9,8 Н для вЫ вояг. ли?метром 0.6 мм. 3. Пайка выводов рек.пмеицуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125 С (+100°С пяя КДЕ04А). КД504А /г о
1,00 0,75 0,50 0,25 О
1 2 46810 20 то Ucbp,B 0,1 02 0,3 0,51пр, ЛУ Зависимость общей емкости диода от напряжения О пи, Л'л
Зависимость импульсного' прямого напряжения от пульсного прямого тока 0,3 0,2
о 10 20 30 40 i/ofip,fi - iP 20 :зб Ш Uotg.B . Зависимости заряда переключения от обратного, напряжения Зависимости времени обратного восстановдения от обратного напряжения 1Д507А, ГД507А Диоды германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,21 г. 1Д50 7А, ГД507А, 1Д508А,ГД508(А,Б)
3 С Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при / р=5 мА; 1Д507А при Т=+2Ь и -НТСС, ГД507А при 7-=-f25 и +60 °С.........0,5 В при /пр=5 мА: 1Д507А при 7 =-60°С, ГД507А при 7 = =-40.............0,7 В при /пр=20 мА и 7-=+25С........0,8 В Импульсное прямое напряжение при /пр,п==50 мА, не более: 1Д507А .............3,5 В ГД507А...............4 В Постоянный обратный ток при [/06?=20 В, не более: 1Д507А при Т=-60 и +25 °С, ГД507А при Т=-40 и +25 °С.............50 мкА 1Д507А при 7-=+70 С, ГД507А при 7=+60=С . . 300 ыкА Время обратного восстановления при /пр.и = 1 мА, Собр,и= = 20 В, / р=1 мЛ, не более.........0,1 мкс Общая емкость диода при [оСр=5 В, не более . . . 0,8 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное или импульсное обратное напряжение . 20 В Импульсное обратное напряжение при Q>4 и <5 мкс.............30 В Постоянный или средний прямой ток . . . . 16 мА Постоянный или средний прямой ток при снижении обратного напряжения до 12 В......35 мА Импульсный прямой ток: 1Д507А при <и<1 мкс........ 200 мА ГД507А при <и<10 мкс.......100 мА Температура окружающей среды: 1Д507А............-60...+70 Х ГД507А............-40...+60 °С Примечания: 1. Изгнб выводов допускается не ближе 3 мм от кор< пуса. Растягивающая выводы сила не должна превышать 14,7 Н. 2. Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +72 С. 0,2 0,15 0,10
О 5 10 15 20 ищ,В Зависимость общей емкости диода от напряжения 50 О -Б hoc, НС 60 50
10 20 30 w Гпр,т Зависимость времени обратного восстановления от прямого тока
0,5 О
10- 10- t ,c fOJnpiiA Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока 1Д108А, ГД508А, ГД508Б Диоды германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,2 г. Габаритный чертеж соответствует приборам 1Д507А, ГД507А. Электрические параметры Постоянное прямое напряжение, не более: при /пр=1 мА и 7-=25°С для 1Д508А.....0,4 В при /пр=10 мА, 7 =+25 и +70 °С для 1Д508А, 7 =+25 и +55°С для ГД508А..........0,7 В прн /пр=10 мА, 7-=+25 н +55 °С для ГД508Б . . . 0,65 В прп / ..= 10 мА. Г=-бОХ-для 1Д508А, Т=-40°С для ГЛГ.ОЯА . . ..... 0,9 В 11)1, / р=10 мА и Т=-40°С для ГД508Б- . - . . . 0,85 В lb; iv.boHoe прямое напряжение 1Д508А при /пр,и=30 мА, ГЛЯ08А. ГД508Б .при / р. =12 мА, не более , . . 1,5 В Постоянный обратный ток, не более: при 17обр=8 В: 1Д508А при Г^-60 и +25 С, ГД508А при 7=-40 и +25 °С . . . ;......60 мкА при 17оСр=8 В, 7 =-40 и +25 °С для ГД508Б . . .100 мкА при С/обр=8 В: 1Д508А при 7-=+70°С, ГД508А при Т= = +55°С ...... ...... 150 мкА при (7обр=8 В и 7=+55°С для ГД508Б..... 250 мкА при г7обр=5 В и Т=+25°С для 1Д508А . . . .20* мкА Заряд переключения при /пр=10 мА и t/oCp.h=5 В, не более 20 пКл Обшая емкость диода при t/oop=0,5 В, не более . , . 0,75 пФ Предельные эксплуатационные данные Постоянное обратное напря>кеиие . 8 В Импульсное обратное напряжение при <о<5 мкс и Q>4.............10 В Постоянный или средний прямой ток . , . , 10 мА Импульсный прямой ток при /и<10 мкс . ... 30 мА Температура окружающей среды: 1Д508А ..... v .... . .-60...+70 °С ГД.08А, ГД508Б ......... -40,..+55 С П р, м е ч а в и я: 1 Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от кор-пугй Растягивающая выводы сила не должна превышать 14,7 Н. 2 Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Темперятура корпуса при пгйке не должна превышать- +70 С. Qm,nHn 0,8 0,6 0,2 О
1 -Л 8 1пр,Ш Зависимость общей емкости. Зависимость заряда переклю- >i диода от напряжения.: чения от импульсного прямого У тока . I 2Д509А, КД509А . у V: Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные импульсные, Предназна11ены для применения в импульсных устройствах, B.binjjc7. каются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 ... 59 |
|