Главная » Мануалы

1 ... 3 4 5 6 7 8 9 ... 59

. Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при /пр=0,5 мА, ие более:

при 7-=+25...+100 °С ...

при 7-=-60 С...........

Постоянный обратный ток при t/o6p=l В, не более:

при 7-=-60...+25С.........

при 7-=+100С..........

Общая емкость диода при t/o6p=0, не более

0,35 В 0,5 В

50мкА 150 мкА 0,6 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение.....1,5 В

Постоянный обратный ток......, 5 м.

Температура окружающей среды . . . . . -60...

+ 100 00

Примечание. Пайка выводов допускается с теплоотводом при температуре не свыше +170 С в течение 15 с.

2Дк22А

75° с

/+25

С

с

>

у

О 0,1 0,2 0,3 0,4 [/пр. 6

f/ofip.B -2 Ч

+75-

у

2Д422А

20 40 50

Зависимости прямого тока от напряжения

Зависимости обратного тока от напряжения

2Д502А, 2Д502Б, 2Д502В, 2Д502Г

Диоды кремниевые, сплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах в микромодульном исполнении. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с ленточными выводами. Тип диода приводится на корпусе. Катодом служит приваренный вывод.

Масса диода не более 0,05 г.



2Д502{А-Г) BbiSodl , i!iS,35


Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение 2Д502А, 2Д502В при /пр=

= 10 мА и 2Д502Б, 2Д502Г при /пр=50 мА, не более:

при 7-=+25 и+85 С . . ..... IB

при 7-=-60°С........... 1,2 В

Импульсное прямое напряжение при /пр,и=50 мА, не более:

2Д502А, 2Д502В..... ....3,5В

2Д502Б, 2Д502Г.......... 2,5 В

Постоянный обратный ток при [обр= обр.макс, не более:

при 7 =-60...+25°С ........ 5мкА

при7-=+85°С ........... 25мкА

Время обратного восстановления при {7овр=30 В и /пр=

=30 мА, не более ...... 0,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение:

2Д502А, 2Д502Б..... . . ЗОВ

2Д502В, 2Д502Г........ 100 В

Средний прямой ток:

при Г = -60...+25°С ........ 20 мА

при 7 =+85°С . ... . . 10 мА

Импульсный прямой ток при.и<10 мкс . . 300 мА

Температура окружающей среды . . -60...+85°С

Примечания: 1. В интервале температур окружающей среды +25... +85 °С допустимое значение прямого тока снижается линейно.

2. Изгиб выводов не допускается.

3. Пайка выводов рекомендуется не ближе 1 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должка превышать +80 С. После монтажа на ынкро-плату диоды заливаются эмалью ЭП-274Т.



2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М, 2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М

Диоды кремниевые, сплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах в заливных и капсулированных микромодулях. Выпускаются напаянными на керамическую плату с распайкой к пазам 1-6, 1-4 илн 2-5. Тип диода приводится на микропла-те. Анод соединяется с пазом 1 или 2.

Масса диода с микроплатой не более 0,4 г.

12 3


Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение 2ДМ502А-М, 2ДМ502В-М при /пр=10мА И-2ДМ502Б-М, 2ДМ502Г-М при /пр=50мА, не более:

при 7-=-1-25 и -f85°C......... IB

при 7 =-60 °С............ 1,2 В

Импульсное прямое напряжение при /пр,и=50 ик, не бол-ее:

2ДМ502А-М, 2ДМ502В-М ....... 3,5 В

2ДМ502Б-М, 2ДМ502Г-М......... 2,5 В

Постоянный обратный ток при t/oOp=t/oCp,MaKc:

при 7=-60...Ч-25ОС.......... 5 МКА

при 7=+85°С ........... 25мкА

Время обратного восстановления при t/o6p=30 В и /пр=

=30 мА, не более........... 0,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение:

2ДМ502А-М, 2ДМ502Б-М.......ЗОВ

2ДМ502В-М, 2ДМ502Г-М.......100 В

Средний прямой ток: при Т=-60...-f 25 °С . . . . . . . , 20 мА при 7-=-f85°C..........10 мА

Импульсный прямой ток при и<10 мрс . . . 300 мА

Температура окружающей среды . , . . . -60...

-f85°C

Примечания: 1. В интервале температур окружающей среды +25... +85 С допустимое значение пряного тока снижается линейно.

2. Температура пайки пазов микроплаты не должна превышать +240 С, длительность пайки не более 1 с.



2Д503А, 2Д5С$ЗВ, НД503А, КД503Б

Диоды кремниевые, эпитаксиальные, импульсные. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,3 г.

Электрические параметры :

Постоянное прямое напряжение при /ор=

= 10 мА:

2Д503А, КД503А при 7=+25°С . . 0,72*...0,8*... 1 В 2Д503Б, КД503Б при 7=+25С . . 0,7*...0,85*... 1,2 В

при 7=-60 и+125°С:

: 2Д503Б.........1,4 В

- 2Д503Б.........1,6 В

КД503А при Т=-40 и +125°С, не более 1,4 В = *

КД503Б при 7-=-40 и+125°С, не более 1,6 В ; Импульсное прямое напряжение - при -

/ир и=50 мА:

2Д503А, КД503А

2Д503Б, КД503Б

1,53*...1,75*...2,5 В 1.1*...1,8*...3,5В

Постоянный обратный ток при foCp=30 В, не более:

2Д503А, 2Д503Б при Г =-60...+25 С

2Д503А, 2Д503Б при 7-= + 125°С .

КД503А, КД503Б при 7-=-40...+25°С

КД503А, КД503Б при 7-=+125°С . . Заряд переключения при /пр=10 мА и 1/оСр.и=10 В для 2Д503А, 2Д503Б . . Время обратного восстановления при /пр,и= = 10 мА, г7оср,я=10 В, / р=2 мА, не более ...........10* НС

Общая емкость диода при 1/оСр=0:

2Д503А, КД503А......

2Д503Б, КД503Б......1,22*..;1,4*...2,5пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное илн импульсное обратное напряжение 30 В

Постоянный или средний прямой ток: 2Д503А, 2Д503Б при Г=-60...-f35 °С, КД503А, КД503Б при 7=-40:..35°С ..... . .. ....SOmA

КД503А, КД503Б при 7-=Ч-125-С - . .: --ISmA 2Д503А, 2Д503Б при r=-f 125 °С . v. . , Ю мА

4 мкА 50 мкА

4мкА 50 мкА

25*...30*...120 пКл

1,45*..,1,5*...5 пФ



Импульсный прямой ток при < <10 мкс и Q>10: 2Д503А, 2Д503Б при Г=-60...35 °С, КД503А, КД503Б при Г -40...35°С . , . КД503А, КД503Б при 7= + 125°С . . . 2Д503А, 2Д503Б при 7-= + 125.С . . . .

Потенциал статического электричества:

2Д503А, 2Д503Б . . .

КД503А, КД503Б.....

Температура окружающей среды:

КД503А, КД503Б.....

КД503А, КД503Б ....

200 мА 150 мА

, 100 мА

150 В , 100 В

-60...+125°С -40...-f 125°С

Примечания: I. В интервале температуры окружающей среды +35... + 125°С допустимые значения прямых токов снижаются линейно.

г. В режиме однонолупериодного выпрнмлеиия при У^дф ! В. Rp= =75 Ом, ЛнЮ или 100 кОм, Сд=1000 пФ на частоте 350 МГц диоды обеспечивают снижение выпрямленного тока не ниже уровня 0,7 от его значения на низкой частоте.

3. Изгиб выводов допускается не б.чиже 3 мы от корпуса. Растягивающая выводы сила не должна превышать 14.7 Н.

4. Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125 С.

2,6 2,2 1,8 1,к 1,0 0,6

2Д503Б,

Ш60Щ

20 40 60 80100 1пр,у,.мА

Зависимости прямого импульсного напряжения от импульсного прямого тока

2Д503(А,6)

ИД503(А,Б).

Б 810 20 WIp,MA

1.00

0,75 0,50 0,25

2Л 503[А,Б) НД503(А,Б)

О 10 20 30 Ub6p,B

Зависимость общей емкости диода от напряжения

пр,и,пйкс

200 150 100 50 О

2Д503(А,Б) ИД503(Л,Б)

lo-t.c

Зависимость времени обратного восстановления от прямого тока

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса

2=63



2Д504Л, КД504Л

Диоды кремниевые, сплавные, импульсные. Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов. Выпускаюгся в мег таллостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и, схема соединения электродов с выводайи приводятся на корпусе. . . . ,

Alacca диода не более 0,7 г.

3 с

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение при lap- = 100 мА: -

2Д504А. КД504А при 7=+25 °С . . 0,78*.. .0,904*... 1 2 в 2Д504А при 7-=125°С, КД504А при Г .

= 100°С, не более......1,2 В

2Д504А при Т=-60°С, КД504А при Г= t

==-55 °С, не более......1.4 В

Импульсное прямое напряжение при /np.a=

=500 мА, не более.......2 В

Постоянный обратный ток при t/o6p=40 В, ,

не более:

2Д504А при Г=-60 и 25 °С. 2Д504А при

Т = -55 и +25 °С......2 мкА

2Д504А при 7-= + 125°С, КД504А при

7 - +100 С........100 мкА

Заряд переключения при /np=300 мА и

[оср,и = 30 В:

2Д504А.........2*...11,О*...15 пКл

КД504А, не более..... , 10 пКл

Общая емкость диода при t/oCp=5 В, не более ...........20 пФ .

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение..... 40 В

Постоянный прямой ток:

2Д504А при 7-=-60-f 35 °С ...... 300 мА

2Д504А при Т= + 125С ..... ЮО мА

КД504А при r<-f 25 С ....... 240 мА

КД504А при 7= + 100°С..... 80 мА

Средний прямой ток КД504А при и=10 мкс и

/пр.и=2 А;

при Г<:+25 С . . . . . . . . . . 160 мА

при r=-f 100°С........-. 80 мА-



1.5 А

lA:... . lA

Имп>л|,спый прямой ток'2Д504А при /ср=300 мА, 7-= + 25°Си /ср=100 мА, 7-=4-125°С:

при /ц = )0 МКС 1 .. ... . . . .;

при <n>iQ мкс ,. .., ...

Импульсный прямой ток 2Д504А прн: /ср=160 мА, Г=+25Т и /сг=80 мА, 7-=+125Х , .. . ;.. . Аварийная перегрузка КД504А при однократном импульсе тока длительностью 0,5 с . , . . , , Тсыг;сратура окружающей среды;

2Я504А.............. --60...

+ 125 °С

........ . i . -55...

; +10о°с

ПримечэЕия:! В интервале температур среды +35;..+125°С (+25... + 100 С для КД504А) допустимые значения прямых токов снижаются линейно.

2. Изгиб выводов допускается не ближе 3 .мм от корпуса. Растягивающая сила ие должна превышать 19.6 Н для вывоаа диаметром 0,8 и 9,8 Н для вЫ вояг. ли?метром 0.6 мм.

3. Пайка выводов рек.пмеицуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +125 С (+100°С пяя КДЕ04А).

КД504А

о

2Д504А

1,00

0,75

0,50

0,25 О

2Д50кА HASatfA

1 2 46810 20 то Ucbp,B 0,1 02 0,3 0,51пр, ЛУ

Зависимость общей емкости диода от напряжения

О пи, Л'л

200. .

л

- 150

- tea

Зависимость импульсного' прямого напряжения от пульсного прямого тока

0,3 0,2

.2Д504А НДША ,

гоЬ'<

о 10 20 30 40 i/ofip,fi - iP 20 :зб Ш Uotg.B .

Зависимости заряда переключения от обратного, напряжения

Зависимости времени обратного восстановдения от обратного напряжения



1Д507А, ГД507А

Диоды германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 0,21 г.

1Д50 7А, ГД507А, 1Д508А,ГД508(А,Б)

а.

3 С

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение, не более: при / р=5 мА; 1Д507А при Т=+2Ь и -НТСС, ГД507А

при 7-=-f25 и +60 °С.........0,5 В

при /пр=5 мА: 1Д507А при 7 =-60°С, ГД507А при 7 =

=-40.............0,7 В

при /пр=20 мА и 7-=+25С........0,8 В

Импульсное прямое напряжение при /пр,п==50 мА, не более:

1Д507А .............3,5 В

ГД507А...............4 В

Постоянный обратный ток при [/06?=20 В, не более:

1Д507А при Т=-60 и +25 °С, ГД507А при Т=-40

и +25 °С.............50 мкА

1Д507А при 7-=+70 С, ГД507А при 7=+60=С . . 300 ыкА Время обратного восстановления при /пр.и = 1 мА, Собр,и=

= 20 В, / р=1 мЛ, не более.........0,1 мкс

Общая емкость диода при [оСр=5 В, не более . . . 0,8 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное или импульсное обратное напряжение . 20 В Импульсное обратное напряжение при Q>4 и

<5 мкс.............30 В

Постоянный или средний прямой ток . . . . 16 мА Постоянный или средний прямой ток при снижении

обратного напряжения до 12 В......35 мА

Импульсный прямой ток:

1Д507А при <и<1 мкс........ 200 мА

ГД507А при <и<10 мкс.......100 мА

Температура окружающей среды:

1Д507А............-60...+70 Х

ГД507А............-40...+60 °С

Примечания: 1. Изгнб выводов допускается не ближе 3 мм от кор< пуса. Растягивающая выводы сила не должна превышать 14,7 Н.

2. Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Температура корпуса при пайке не должна превышать +72 С.



0,2 0,15 0,10

Ш507Л,ГД507А

О 5 10 15 20 ищ,В

Зависимость общей емкости диода от напряжения

50 О

hoc, НС

60 50

Щ5О7А,ГД50

10 20 30 w Гпр,т

Зависимость времени обратного восстановления от прямого тока

- 1Д507А

- ГД507А

снижении

0,5 О

Ш507А,ГД507А

10- 10- t ,c fOJnpiiA

Зависимость допустимого импульсного прямого тока от длительности импульса

Зависимость импульсного прямого напряжения от импульсного прямого тока

1Д108А, ГД508А, ГД508Б

Диоды германиевые, микросплавные, импульсные. Предназначены для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода не более 0,2 г. Габаритный чертеж соответствует приборам 1Д507А, ГД507А.

Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение, не более:

при /пр=1 мА и 7-=25°С для 1Д508А.....0,4 В

при /пр=10 мА, 7 =+25 и +70 °С для 1Д508А, 7 =+25

и +55°С для ГД508А..........0,7 В

прн /пр=10 мА, 7-=+25 н +55 °С для ГД508Б . . . 0,65 В



прп / ..= 10 мА. Г=-бОХ-для 1Д508А, Т=-40°С для ГЛГ.ОЯА . . ..... 0,9 В

11)1, / р=10 мА и Т=-40°С для ГД508Б- . - . . . 0,85 В

lb; iv.boHoe прямое напряжение 1Д508А при /пр,и=30 мА, ГЛЯ08А. ГД508Б .при / р. =12 мА, не более , . . 1,5 В

Постоянный обратный ток, не более: при 17обр=8 В: 1Д508А при Г^-60 и +25 С, ГД508А

при 7=-40 и +25 °С . . . ;......60 мкА

при 17оСр=8 В, 7 =-40 и +25 °С для ГД508Б . . .100 мкА

при С/обр=8 В: 1Д508А при 7-=+70°С, ГД508А при Т=

= +55°С ...... ...... 150 мкА

при (7обр=8 В и 7=+55°С для ГД508Б..... 250 мкА

при г7обр=5 В и Т=+25°С для 1Д508А . . . .20* мкА

Заряд переключения при /пр=10 мА и t/oCp.h=5 В, не более 20 пКл Обшая емкость диода при t/oop=0,5 В, не более . , . 0,75 пФ

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напря>кеиие . 8 В

Импульсное обратное напряжение при <о<5 мкс

и Q>4.............10 В

Постоянный или средний прямой ток . , . , 10 мА Импульсный прямой ток при /и<10 мкс . ... 30 мА

Температура окружающей среды:

1Д508А ..... v .... . .-60...+70 °С

ГД.08А, ГД508Б ......... -40,..+55 С

П р, м е ч а в и я: 1 Изгиб выводов допускается не ближе 3 мм от кор-пугй Растягивающая выводы сила не должна превышать 14,7 Н.

2 Пайка (сварка) выводов рекомендуется не ближе 5 мм от корпуса. Темперятура корпуса при пгйке не должна превышать- +70 С.

Qm,nHn

0,8 0,6

0,2 О

1Д508Л ГД508(А,Б)

Ч 6 Uo6p,B

1Д508А

1 -Л 8 1пр,Ш

Зависимость общей емкости. Зависимость заряда переклю- >i диода от напряжения.: чения от импульсного прямого У тока . I

2Д509А, КД509А . у V:

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные импульсные, Предназна11ены для применения в импульсных устройствах, B.binjjc7. каются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются



1 ... 3 4 5 6 7 8 9 ... 59

Яндекс.Метрика