|
| |
 |
Электронные компоненты Мануалы Примечания: 1. Изгиб выводов допускается не ближе 1 мм от корпуса с радиусом закругления 2 мм. 2. Пайка выводов рекомендуется не ближе 3 мм от корпуса диода при температуре не свыше -1-200 °С в течение 2 с. рас,манс/рас,манс f+Z5°cJ 0,8 0,6 0,4 0,2 ъыхОп -60 -20 20 60 ware
3 PпJ,нBт Зависимость предельной рассеиваемой мощности от температуры Зависимость выходного сопротивления от непрерывной падающей СВЧ мощности АЛ113А, АА113Б Диоды арсенидогаллйевые, планарно-эпитаксиальные, смесительные. Предназначены для применения в преобразователях частоты сантиметрового и дециметрового диапазонов герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре. Масса диода не более 0,002 г. ААНЗЙ.В) jsi ВыЕод 1 
BbiSodZ Q 1 г ЗРпл,11Вт 
Зависимость потерь преобразования от непрерывной падающей СВЧ мощности Зависимость нормированного коэффициента шума от непрерывной падающей СВЧ мощности Зависимость выходного сопротивления от непрерывной падающей СВЧ мощности Потери преобразования при Рпя=3 мВт и Х=3,2 см, не более; АЛПЗЛ............ 6 дБ ААПЗБ............ 6,5 дБ Выпрямленный ток при Рпд=3 мВт и =3,2 см . 0,7...2,5мА Нормированный коэффициент шума при Рпд=3 мВт и >1,=3,2 см, ие более; АА113А............ 7,5 дБ ААПЗБ............ 9 дБ Коэффициент стоячей волны по напряжению при Р„д=3 мВт и Я=3,2 см, не более...... 3,5 Сопротивление диода в нулевой точке, не менее . 1000 Ом Предельные эксплуатационные данные Рассеиваемая мощность........50 мВт Рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 24 ч) и 7=+25°С . . , , 200 мВт Импульсная рассеиваемая мощность.....100 мВт Импульсная рассеиваемая мощность при кратковременном воздействии (не более 10 мин) и 7=+25°С 400 мВт Температура окружающей среды.......-60... +100 "С Примечания: 1. Изгиб выводов допускается не ближе 0,3 ым от кри» сталла с радиусом закругления 0,15 мм. 2 Нагрев диодов при монтаже не должен превышать +125 °С. 3. Смонтированный в микросхему диод рекомендуется защищать компаун. дом (в качестве клеющего вещества - компаунда применять лак KO-S1S). 4. Допускается напряжение смещения не более 0,6 В при меньшей мощно* сти гетеродина. 5. Допускается Применение диодов в режиме детектирования. 2,5 2
1 г 3 pfi.MBr Зависимость выпрямленного тока от непрерывной падающей СВЧ мощности 2,5 2 1,5 1 0,5 О
3 РпА,,МВТ гнорм Зависимость выходного шумового отношения от непрерывной падающей СВЧ мощности
-БО -20 20 БВ wove Зависимость нормированного коэффициента шума от температуры -БО -20 20 ВО lOOlC Зависимость потерь преобразования от температуры ЗЛ114А Диод арсенидогаллиевый, с барьером . Шотки, смесительный. Предназначен для применения в преобразователях частоты на длине волны 8 мм. Выпускается в металлическо.м корпусе. Тип днода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 1,5 г. зАтл BbiBodl ыВод2 2,5 чз * ---•== ВыВвд 1 ВыВодг 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 [ 79 ] 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||