+7(495)926-7456
+7(495)926-7456
Электронные компоненты  Мануалы 

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 [ 99 ] 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение...... 200 В

Мгновенное обратное напряжение:

2А507А, КА507А.......... 500 В

2А507Б, КА507Б, КА507В....... 300 В

Постоянный прямой ток........ 200 мА

Рассеиваемая мощность:

при Г=-60...+35°С.........5 Вт

при Г= + 100°С..........2 Вт

Температура окружающей среды......-60...

+ 100 °С

Примечания: I. Расчетная индуктивность диода t=0,5 кГн. 2. Общая емкость диода в диапазоне СВЧ не зависит от обратного иа-иряжения (от нуля до максимально допустимого напряжения).

Рроснскс, Вт

2А5 HAi

07f/

,Б) -В)

500 Ш 300 200 iOO

2А507{А,Б) ИА507(АВ)

200 1Б0 120 80 40

2А5 ИА5

07{/ 07(1

-60 -20 20 60 Vr О 20 40 60 Щ(,р,В О 40 BOJ.tiA

Зависимость предельной рассеиваемое мощности от температуры корпуса

Зависимость времени обратного восстановления от напряжения

Зависимость накопленного заряда от тока

Критическая частота при Рпя=1 мВт, /пр=100 мА, =

£/обр=100 В и Я=7 см, не менее: при Г=+25°С; 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б .... 200 ГГц

КА507В........... 150 ГГц

при Г=-60 и +100 "С для 2А507А, 2А507Б,

КА507А, КА507Б.........180 ГГц

Накопленный заряд диода при /пр=100 мА, не более ...... ........ 200 нКл

Прямое сопротивление потерь при Рпд= 1 мВт, /пр= = 100 мА и Х=7 см, не более: 2А507А, 2А507Б, КА507А, КА507Б . . . . 1,5 Ом

КА507В............2,5 Ом

Общая емкость при t/o6p= ЮО В: 2А507А. 2А507Б, КА507А, КА507Б . . . . 0,8...1,2пф

КАБ07В............0,65... 1,2 пф

Емкость корпуса.......... 0,3...0,45пФ



Ш01(А,Б)

О 20 40 601„р.мА

Зависимость прямого сопротивления потерь от тока


О 20 40 60 Uoip.B

Зависимость обратного сопротивления потерь от напряжения

2A508A-1,KAS08A-1

Диоды кремниевые (на основе ионной технологии), переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-t-p-i-n. Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн герметизированной аппаратуры. Бескорпусные, с гибкими выводами. Тип диода приводится на полиэтиленцел.чофановой ленте.

Масса диода не бо.чее 0,05 г.

2AS08A-1 ,т08А-1 8ыВод2

ВыВод 1

ВыВодг

ВыВод1 ВыВодг

Электрические параметры = 1 Вт, /пр=0

и f=

Потери пропускания при Рп =9370 МГц, не более:

при 7=-Ь25°С.......... 0,4 дБ

при 7=-60 и +125С для 2А508А-1 . . . 0,6 дБ Качество диода на низком уровне мощности при

Рпд=1 Вт и /=9370 МГц, не менее..... 600

Время прямого восстановления при /пр=100 мА, /=

= 1000 Гц, /и= 100 мкс и Л„= 100 Ом, не более . . 6 мкс

Время обратного восстаиов.чения при /пр=100 мА,

/=1000 Гц, /„=100 мкс и i?„=100 Ом, ие более . 40 мкс



i20D 1П00

2A508A-1 ИА50ВА-1

30 20 iO

2A5D8A-1 ИА508А-1

Рраснш.Вт 2A508A-t 1,5


0 40 eo minp.tiA 0 2 4 e obep.s -6O-20 20 Boiooic

Зависимость качества диода от тока

0,4 0,3 0.2

2А508А-1 НА508А-1

Зависимость времени обратного восстановления от напряжения

1200

60 20 20 60 100 МТС

Зависимость потерь преобразования от температуры

WOO-/ 800 600 400

Зависимости пре-< дельной рассеиваемой мощности от температуры

2А508/ НА508А

-БО -20 20 60 100 тт.с

Зависимость качества диода от температуры

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное обратное напряжение при 7=-60...

-f 85 °С............. 100 В

Постоянный прямой ток при Г=-60...-f.85°C . . 500 мА

Рассеиваемая СВЧ мощность при 7"=--60...4-60 °С

для 2А508А-1 и Г=-60...+35 °С для КА508А-1 . 1,5 Вт

Коммутируемая импульсная СВЧ мощность при 1„=

- \ мкс и Q=1000 в резонансной щели .... 0,8 кВт

Температура окружающей среды:

2А508А-1............-60... .

+ 125° С

КА508А-1........... -60...

+85 °С

Примечания: 1. При постоянном прямом токе допускается импульсная мощность 50 кВт прн мкс, (?=1000 пен условии, что рассеиваемая

мощность днода не превышает допустимую

2. Изгиб Проволочного вывода допускается не ближе 7 мм от структуры. Допускается воздействие сжимающего усилия на структуру днода не более 0,98 Н. Прн монтаже диода в модуле допускается нагрев до + I60...-H70 °С в течение 15 с. Разрешается перепаивать диоды не более двух раз,



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 [ 99 ] 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193