+7(495)926-7456
+7(495)926-7456
Электронные компоненты  Мануалы 

0 1 2 3 4 [ 5 ] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168

WNA-

I-vAA


Фиг. 1.9. П-образная" схема замещения биполярного транзистора (а); каскад с общим эмиттером и его упрощенная эквивалентная схема (б); эквивалентная схема с учетом эффекта Миллера (в).

И Са будут действовать так же, как Сс, если равны протекающие в схемах 1.9, б и в токи. Находим

I = hCAEt-Eo) = j(iiCiEi = -jC2Eo, I

Сс при больщих усилениях С С.



c.(i-ff)c,.

"~ 2 + JaRoCc lo - Ro \lRc-

Для того чтобы убедиться в справедливости пренебрежения величиной емкости СеЬ, сравним ее долю во входной емкости с долей емкости эффекта Миллера С]. Влияние емкости перехода эмиттер - база можно определить, исходя из ее связи с величиной площади усиления транзистора «<. В соответствии с [3]

Для типичного кремниевого транзистора при коллекторном токе 50 мкА величина ft больше 50 МГц. В результате

Сб < 3 пФ « Сс.

Рассматривая влияние этой емкости на входнур, приходим к выражению

Для каскадов с высоким усилением величина Сеь пренебрежимо мала по сравнению с емкостью эффекта Миллера.

Чтобы применить полученные выше результаты к дифференциальному каскаду, следует вновь рассматривать этот каскад в виде двух последовательно (относительно прохождения сигнала), соединенных транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, как показано на фиг. 1.2, а. Входная емкость для дифференциального сигнала будет в таком случае представлять собой последовательное соединение входных емкостей двух усилителей по схеме с общим эмиттером. Очевидно,

Типичный дифференциальный каскад с коэффициентом усиления, равным 30, будет иметь входную емкость на низких частотах порядка 50 пФ. Однако эта емкость не постоянна, но уменьшается при увеличении частоты, в то время как усиление каскада падает. Это явление описывается соотношением

Ro/Re

l-hJiaRoCcJ 2

В случае известной величины Cz емкость Ci определяется в соответствии с фиг. 1.9 в виде



J j HoIRl

Сравнивая формулы входной емкости и входного сопротивления и пренебрегая первым слагаемым в выражении для С/, находим полное входное сопротивление в виде

при условии (/? 2/?е) > 1, которое справедливо, если 7?с </"с-Емкостная нагрузка обычно увеличивает входное сопротивление на высоких частотах, емкость эффекта Миллера в то же время уменьшается. Снижение величины последней сдвигает нуль полного входного сопротивления в сторону более низких частот, но не влияет на частоту полюса. Выражение для Zj с учетом Сь -принимает следующий вид:

£.I = Hl-n р n-•

В результате входная емкость для дифференциального сигнала составляет обычно всего 10 пФ на той частоте, при которой происходит 50%-ное шунтирование входного сопротивления. Такая частотная зависимость заставляет учитывать влияние этой емкости. Если последняя равна 50 пФ на частоте 10 Гц, то практически шунтирования входного сопротивления не происходит. Однако эту емкость следует учитывать на частотах, при которых полное входное сопротивление существенно падает.

Соединение двух эквивалентных схем транзисторных каскадов с общим эмиттером, учитывающих эффект Миллера, приводит к эквивалентной схеме каскада для дифференциального сигнала, справедливой при условии 3 > 1 (фиг. 1.10). Входное и выходное сопротивления соответствуют данным разд. 1.1, а полные сопротивления источника сигнала и нагрузки представляют собой результат суммирования соответствующих величин для транзисторов, включенных с общим эмиттером. Решение уравнений, описывающих данную модель, позволяет определить частот-

Входная емкость операционного усилителя обычно подвержена сильному влиянию цепочки частотной коррекции, представляющей собой значительную нагрузку емкостного характера. При величине корректирующей емкости, равной Cl, частота полюса соответствующей входной емкости изменится и вместо предыдущего будет справедливым новое выражение



0 1 2 3 4 [ 5 ] 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168