|
| |
 |
Электронные компоненты Мануалы Ro « 2гс 100 МОм при /с = 30 мкА, С;--% = 1,5пФ. при Ra < Re При увеличении сопротивления источника сигнала выходное сопротивление уменьшается, и возрастающая эквивалентная выходная емкость ограничивает полосу пропускания. В случае Rg Re имеем ;?;*2гЛ1-а)«:==1 МОм при /с = 30мкА, С-2(1%-150"Ф 1- а I Сопоставление двух приведенных выше случаев показывает, что при сопротивлениях источника сигнала, больших по сравнению с величиной Re, происходит уменьшение выходного сопротивления и сужение полосы пропускания, а также увеличение выходной емкости примерно пропорционально коэффициенту усиления по току транзисторов. В случае дифференциального каскада на полевых транзисторах частотные характеристики определяются путем аналогичного анализа. Емкости полевого транзистора показаны на эквивалентной схеме фиг. 1.13, а. Маломощные полевые транзисторы обычно имеют емкость затвор -сток порядка 3 пФ и емкость затвор -исток около 6 пФ. Как и в рассмотренном ранее случае, величина входной емкости обусловлена преимущественно эффектом Миллера, а влияние емкости затвор - исток пренебрежимо мало. При включении транзисторов по схеме с общим истоком входное и выходное сопротивления увеличиваются при наличии резистора в цепи истока аналогично случаю, рассмотренному в разд. 1.1. Из проведенного ранее анализа известно, что сопротивления при включении с общим истоком уменьшаются вдвое по сравнению с дифференциальной схемой. Это обстоятельство учтено на фиг. 1.13,6. Поскольку эта эквивалентная схема имеет такой же вид, как и схема на фиг. 1.9,6 изменяет характеристики обоих. Заметим, что, когда сопротивление источника сигнала стремится к нулю, выходное сопротивление увеличивается, а выходная емкость одновременно уменьшается, приводя к увеличению частоты полюса. Ниже приведены типовые значения параметров  4  Фиг. 1.13 П-образная схема замещения полевого транзистора с р -п-переходом (а); эквивалентная схема с общим истоком (б); эквивалентная схема эффекта Миллера (в). ДЛЯ биполярных транзисторов, емкость обратной передачи .Можно представить при помощи двух эквивалентных емкостей 1 и Сг на фиг. 1.13, е. По аналогии со случаем биполярных транзисторов имеем следующие выражения для этих емкостей: 2 при большом усилении. Входная емкость каскада для дифференциального сигнала предоставляет собой последовательное соединение входных емкостей двух транзисторов, образующих схему, и она равна Будучи сравнимой по величине с входной емкостью биполярного каскада, емкость С/ шунтирует гораздо более высокое входное сопротивление полевых транзисторов уже на низких частотах. Выражение для входного сопротивления имеет вид I + o?C " Пренебрегаем первым слагаемым в уравнении для d и получаем при условии gfsrgs 1 (1.23) Из-за большой величины емкости С/, обусловленной эффектом Миллера, входное сопротивление оказывается малым по сравнению с огромным входным сопротивлением на постоянном токе. Повысить это сопротивление и соответственно расширить частотный диапазон помогает каскодное включение транзисторов, которое будет рассматриваться в разд. 1.5. Модель каскада на полевых транзисторах (фиг. 1.14) получена путем сопоставления результатов предыдущего раздела, в котором найдены величины входного сопротивления и коэффициента усиления по постоянному току, и эквивалентных емко- 2R, -чЛЛЛ  Фиг. 1.14. Эквивалентная схема дифференциального каскада на /юлевых транзисторах для дифференциального сигнала. 0 1 2 3 4 5 6 [ 7 ] 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 |