|
| |
 |
Электронные компоненты Мануалы ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие Введение Часть I. изделия микроэлектроники как объект производства Глава 1 . технология производства изделий МИКРОЭЛВетРОНИКИ: история РАЗВИТИЯ. общие положения И основные ОПРЕделения ................., • ь Содержание и основные понятия технологии производства изделий микроэлектроники ........................ 1.2. Развитие технологии производства изделий электронной техники в историческом аспекте .................. ° 1.3. Изделия микроэлектроники: классификация, термины, определения ... 19 Глава 2 конструкции элементов полупроводниковых микро- " схем и микропроцессоров на биполярных транзисторах 32 2.1. Принцип действия биполярного транзистора....... 32 2.2. Конструктивно-технологические особенности и варианты интегральных биполярных транзисторов, выполненных по планарно-эпитаксиальной тех- Гнологии....................... 36, Интегральные диоды.................• 2.4. Активные элементы для быстродействующих и сверхскоростных интегральных микросхем................... 48 2.5. Интегральные резисторы.................. 52 2.6. Интегральные конденсаторы.................. 55 2.7. Функционально-интегрированные элементы БИС......... 57 2.8. Конструктивно-технологические варианты изоляции элементов микросхем друг от друга....................• - 54 2.9. Эволюция конструктивно-техиологических вариантов исполнения биполярных транзисторов, диодов и резисторов в логических интегральных микросхемах ................... 2.10. Контакты к кремнию, п»оводннкн разводки, контактные площадки внещних выводов микросхемы...........-...... 2.11. Вспомогательные элементы микросхем............... Глава 3 конструкции элементов полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на мдп-транзисторах....... »i 3.1. Принципы работы и классификация МДП-транзисторов...... 3.2. Вспомогательные элементы МДП-микросхем........... 3.3. Основные характеристики МДП-транзисторов и нх связь с конструктивно-технологическими параметрами.............. 3.4. Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов . . . 3 5 Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС................... 101 3.6. МДП-элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств 1 И 3.7. Конструкции и материалы элементов коммутации в МДП-БИС .... 15 Глава 4. конструкции элементов биполярно-полевых полупроводниковых микросхем............... 133 4.1. Классификация однокристальных биполярно-полевых микросхем .... 133 4.2. Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом....... 133 4.3. Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле ............ 140 4.4. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Инжек-ционно-полевая логика ................. J44 4.5. Конструктивно-технологические варианты биполярно-полевых структур, содержащих МДП-транзисторы............. 148 Глава 5. конструкции элементов и компонентов пленочных гибридных микросхем и микросборок............ 150 5.1. Необходимость и целесообразность использования гибридного конструктивно-технологического варианта изготовления интегральных микросхем 150 5.2. Подложки...................... 152 5.3. Конструкции пленочных элементов.............. 153 5.4. Конструкции элементов коммутации............. 169 5.5. Рекордные результаты, достигнутые прн создании Многоуровневой разводки ........................ 179 5.6. Конструкции пленочных структур с распределенными параметрами ... 185 5.7. Конструкции компонентов гибридных микросхем и микросборок .... 191 Часть II. технология производства и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок Глава 6. исходные материалы и полуфабрикаты для производства полупроводниковых интегральных микросхем......200 6.1. Монокристаллический кремний............... 200 6.2. Эпитаксиальные структуры............... 202 6.3. Эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями....... 203 6.4. Структуры для полупроводниковых микросхем с полной диэлектрической изоляцией элементов................... 203 Глава 7. технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах......... 205 7.1. Изготовление полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с изоляцией элементов р-п переходами ............ 205 7.2. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с полной диэлектрической изоляцией элементов..... 212 7.3. Технология производства полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах с комбинированной изоляцией элементов ...... 217 Глава 8. технологические маршруты производства интегральных полупроводниковых микросхем и микропроцессоров на мдп-транзисторах..................232 8.1. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием алюминиевых затворов......... 232 8.2. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием поликремниевых затворов......... 237 8.3. Технологические маршруты производства микросхем на МДП-транзисторах с использованием поликремниевых затворов и многоуровневой разводки......................243 8.4. Технологические маршруты производства биполярно-полевых полупроводниковых интегральных микросхем..............252 Глава 9, технологические маршруты производства гибридных микросхем и микросборок........... 255 9.1. Технологические маршруты производства тоикоплеиочиых гибридных микросхем...................... 255 9.2. Технологические маршруты производства тонкопленочных гибридных БИС и микросборок................. 260 9.3. Технологические маршруты производства толстопленочных гибридных микросхем .................... 264 9.4. Технологические маршруты производства гибридных БИС и микросборок на стальных эмалированных подложках............ 267 Глава 10. анализ и синтез технологических процессов производ- j- ства интегральных микросхем......... 274 10.1. Анализ технологических процессов производства микросхем ... 274 10.2. Синтез технологических маршрутов производства микросхем .... 282 , 10.3. Гибкое автоматизированное производство в технологии интегральных микросхем..................... 283 J 10.4. Обеспечение эффективности производства и повышения качества изделий микроэлектроники ................... 288 10.5. Требования к чистоте воздушной среды и климатическим параметрам . 295 1 10.6. Основные положения электронно-вакуумной гигиены....... 29( 1 Глава 11. методы выполнения технологических операций и используемое оборудование........... 291 11.1. Операции разделения пластин на кристаллы и подложек на платы . 297 11.2. Операции удаления материалов с поверхности пластин и подложек . . . 301 1 11.3. Операции нанесения тонких и толстых пленок......... 313 11.4. Операции формирования конфигураций элементов интегральных микро- ; схем...................... 332 ; 11.5. Операции литографии................. 342 11.6. Операции формирования р-п переходов в полупроводниках..... 353 11.7. Операции соединения материалов.............. 370 Глава 12. конструкции микросхем и микропроцессоров..... 380 12.1. Конструкции корпусов микросхем и микропроцессоров....... 380 12.2. Конструкция бескорпусных микросхем........... 389 Заключение........................ 391 Список литературы..................... 393 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 [ 66 ] |