|
| |
 |
Электронные компоненты Мануалы яатной температуре, имеют небольшую Ms. Поэтому первый чле 3 последнем выражении преобладает и можно записать: do olMs {Ha - HJ. Стабильность гарантируется, если коэрцитивная сила препят. ствует движению стенок из-за влияния внешнего поля. С точк зрения уменьшения диаметра домена желательно использоват материалы с большей коэрцитивной силой по сравнению с при кладываемыми полями. Если общее поле, действующее на стен ку домена, Яобщ>,0, то на нее действуют внутренние силы, кото рые противодействуют стабильному размеру домена, стремясь уменьшению его диаметра. И наоборот, если Яобщ<0, домен рас ширяется. Если пленка имеет коэрцитивную силу стенки Яс, влия ние магнитного поля делится на три категории: 1) уменьшени домена при Яобщ>Яс; 2) домен стабилен при Яобщ=Яс; 3) до мен расширяется, если Яобщ<Яс. Абсолютные значения общего поля Яобщ увеличиваются с уве личением толщины пленки и уменьшением диаметра домена. По этому для удержания небольших доменов в толстых стенках тре буется более высокая коэрцитивная сила стенки. Общее поле мо жет быть изменено приложенным магнитным полем. Если прило, женное поле противоположно намагниченности домена, общее по ле уменьшается. На рис. 3.3 дана зависимость Яобщ от диаметра домена d от толщины пленки в отсутствие внешнего поля Ясм для плено JVlnBi. Стабильные домены получаются при полях -400... 400 э  S00- Рис. 3.3. Зависимость общего по--ля, действующего иа доменную стенку, от диаметра домеиа 1000 -
Рис. 3.4. Зависимость общего по ля, действующего на доменн стеику, и коэрцитивности стен от толщины магнитной пленки , Пересечение кривых с абсциссой Яс дает минимальный размер-домена. На рис. 3.4 показаны зависимости общего поля Яобщ для раз-1,ых диаметров домена и коэрцитивности стенок Яс от толщины г ленки для MnBi. Видно, что минимальный стабильный размер -омена, определяемый в точках пересечения кривых Яобщ с пря-.:ой Яс, становится больше с увеличением толщины пленки. Из графика можно определить критическую толщину пленки для анного минимального стабильного диаметра домена. Например, домен d=l,5 мкм может быть стабилен в пленках тоньше 850° А. Поле, требуемое для записи и стирания, определяется как эффективное общее поле, действующее на область среды во время, записи или стирания общ - см> , j,e Яр - размагничивающее поле. Знаки + или - применяется ,.ля случая записи или стирания соответственно. Для того чтобы иметь эффективное отрицательное поле во время стирания, Ясм ,JOЛЖHO быть больше Яр. Если ось легкого намагничивания перпендикулярна плоскости среды и домены имеют цилиндрическую форму с диаметром d в толщине среды йпл, причем dhnn, то в центре записываемой области Hp = inMsidfhan). Для легкого стирания это поле должно быть малым. Прикладывать поле только к поверхности записанной области нецелесообразно, поэтому обычно переключающее поле покрывает много большую поверх-юсть, а одномикронная область записи получается благодаря нагреванию пленки лазерным пучком. Переключающее поле требует меньше коэрцитивной силы среды Яс, чтобы в пленке вокруг саписываемой области не происходило переключения намагниченности. Для тонкой пленки Яс обратно пропорционально толщине среды, поэтому тонкие пленки предпочтительнее. При записи в точке компенсации или с температурной зависимостью коэрцитивной чилы приходится принимать компромиссное решение между требуемым полем и пороговой энергией записи. Магнитная среда должна иметь квадратную форму петли гистерезиса. В противном случае остаточная намагниченность может ыть нарушена присутствием внешнего поля, даже если оно не февышает Яс. Так как магнитное поле присутствует не только i записываемых или стираемых, но и в соседних областях, это по-•е может вызвать смещение в отрицательный участок петли гис--ерезиса на ненагретых участках. На практике такие смещения »-едут к размагничиванию и к значительному уменьшению считы-ьаемого сигнала. Если среда имеет петлю гистерезиса квадратной формы и постоянную намагниченность меньше Яс, не завися-иую от приложенного поля, то потери остаточного намагничива-ия не будет. Это гарантирует полный считываемый сигнал зарегистрированной информации. Среды, приближающиеся к удов-•етворению указанных выше требований и пригодные для изго- Таблица 3.1. Значения Фк и для различных материалов Материал Метод записи ские
TbFeO Поликри- CoFe204 сталличе- ские YGalG Bi SmFr Ga IG Г„400 С 7„120°C Гн140°С
Примечания , Низкий шум среды Могут быть готовлены пле ки большой площади i Для метода Укомп долж быть однород ной по состав Кристаллизуе ся в диапазо 350 ... 500° С Требует отжи Шум сседы . Лс,ит = 1000 >.счит=700 н ?ючит = 750 и Небольшой должен быт компенсиров толщиной пл ки, высокое ОСШ Пленки с бо шой поверхн тью трудно п извести Для считыв ния лазеро лазер позвол ет получить • Ф =1,7° п Ф„ = 0,03 ( вер трудно пользовать) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 [ 39 ] 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 |